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公开(公告)号：CN115290209A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210800738.0
申请日：2022-07-08
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种原位测量脉冲工作模式下电子器件温度分布的装置及方法，所述原位测量脉冲工作模式下电子器件温度分布的装置包括：脉冲激光系统，所述脉冲激光系统用于产生脉冲探测激光；信号调制系统，所述信号调制系统用于产生调制驱动器的第一调制信号和调制电源模块的第二调制信号；拉曼光谱系统，所述拉曼光谱系统用于探测和处理拉曼散射信号；样品台，所述样品台用于放置待测器件。本发明可解决现有拉曼测温装置无法实现对于工作在高频状态下电子器件时间分辨的温度分布测量的技术难题，能够实现原位测量脉冲工作模式下电子器件的温度分布。
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公开(公告)号：CN115018063A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210642467.0
申请日：2022-06-08
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于相变或铁电忆阻器电子突触实现STDP模拟的方法及系统，所述方法包括以下步骤：获取相变或铁电忆阻器的开关曲线；基于所述开关曲线，获取写入过程阈值电压、擦除过程阈值电压、电导增大对应的外加电压区间以及电导降低对应的外加电压区间；获取突出前信号和突出后信号；基于所述开关曲线，获取中间阻态；获取相变或铁电忆阻器置于所述中间阻态时的电导值；基于获取的突出前信号、突出后信号以及电导值，实现STDP模拟。本发明提供的方法实现较为简单且可实现可靠的STDP数据收集。
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公开(公告)号：CN113264766A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110634038.4
申请日：2021-06-07
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/49 , C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/624
Abstract: 本发明公开了一种无铅压电薄膜材料及其制备方法，无铅压电薄膜材料的化学通式为：(1‑x％)(Bi0.5Na0.5)TiO3‑x％BaZrO3；包括，将BNT‑xBZ前驱体溶液陈化，得到溶胶；将溶胶均匀旋涂在基片上，得到湿膜；对湿膜进行热解，烧结处理，得到中间薄膜；在中间薄膜上，重复旋涂溶胶，热解及烧结处理，得到预设厚度的薄膜；对预设厚度的薄膜进行退火热处理，得到所述的无铅压电薄膜材料；本发明通过在(Bi0.5Na0.5)TiO3基体中引入BaZrO3，构建了独特的准同型相界，即弛豫‑铁电相界；位于弛豫‑铁电相界的薄膜组分压电活性增强，在电场作用下产生可逆的场致相变效应，从而获得显著提高的应变性能，其应变及压电性能远超现有的铅基材料。
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公开(公告)号：CN109898138B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201910150084.X
申请日：2019-02-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种在锗衬底上外延生长单晶钛酸钡薄膜的方法，属于单晶薄膜外延制备领域。对(001)取向的Ge衬底进行超声清洗，然后装入脉冲激光沉积系统的腔室中，并将腔室抽至背底真空，将衬底加热至800℃，维持一定的气压和温度状态后，对衬底进行退火处理，使其表面重构以便后续薄膜生长过程中薄膜的结晶，调整气压和温度，控制温度在500‑800℃，打开激光器，进行薄膜生长，至一定程度后停止生长，使衬底自然降温，待样品降至室温后向腔室内通入空气，打开腔体取出样品，完成生长。可以简便地、低成本地实现Ge上钛酸钡薄膜的外延生长，得到的薄膜界面清晰、薄膜为单晶外延生长、薄膜表面平整。
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公开(公告)号：CN109023261B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201810849978.3
申请日：2018-07-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯促进结晶的可转移钙钛矿氧化物压电织构薄膜的制备方法，包括：1)选择石墨烯作为氧化物与衬底的中间层材料；2)选择使用脉冲激光沉积技术作为薄膜生长手段，控制生长温度500℃～800℃；控制氧气分压在10Pa～20Pa；控制激光能量在1.5J/cm2～3J/cm2，频率在1Hz～10Hz；本发明制备出的钙钛矿结构的薄膜经X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、压电力显微镜(PFM)分析，生长得到的薄膜具有良好的织构结晶特性，膜层厚度300nm以内可控；而且薄膜表面平整，均方根粗糙度在1nm之内；生长的薄膜具有压电性，具有转移至任意衬底的潜力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109166790A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810849986.8
申请日：2018-07-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/033
Abstract: 本发明公开了一种利用金属应力层剥离石墨烯上钙钛矿氧化物压电薄膜的方法，包括以下步骤：1)选取在石墨烯层上生长的钙钛矿氧化物压电薄膜；2)选择金属Cr作为金属应力层材料；3)Cr金属应力层生长过程中，控制氩气气压在0.3～1.0Pa；控制Cr金属应力层生长在40～100W的低功率生长5～10分钟，而后使用150W～200W的高功率生长2小时；4)步骤3)得到的Cr应力层/薄膜/石墨烯/衬底上粘胶带，并将胶带撕离衬底，实现压电薄膜的剥离。本发明为了实现简便地在任意柔性衬底上制备具有高质量的钙钛矿氧化物压电薄膜，利用石墨烯与三维材料接触形成的微弱的范德瓦尔斯力以及金属应力层，实现钙钛矿氧化物压电薄膜的剥离，并进一步完成薄膜的转移。
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公开(公告)号：CN105200404A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510556092.6
申请日：2015-09-02
Applicant: 西安交通大学
IPC: C23C20/08
Abstract: 本发明提供一种外延生长的具有垂直相界的铌酸钾钠-锆酸钡-钛酸铋钠无铅压电薄膜的制备方法，采用化学溶液沉积工艺，以KNN-BZ-BNT先驱体溶液，通过乙酸锰、乙酸钴和氯化亚铁等掺杂降低薄膜中的漏电流密度，提高KNN-BZ-BNT薄膜的电学性能，采用旋转涂覆工艺沉积在(100)、(110)、(111)三种不同取向的单晶SrTiO3衬底、(100)取向的单晶LaAlO3和(100)取向的单晶SrRuO3衬底上，热处理后得到致密无裂纹且具有外延特性的单层单晶薄膜。多次重复旋涂-热处理工艺后得到厚度为100～600nm的外延生长的具有垂直相界的KNN-BZ-BNT无铅压电薄膜。
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公开(公告)号：CN102863212A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210224769.2
申请日：2012-07-02
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , H01L41/187
Abstract: 本发明涉及一种用于高频超声换能器的无铅压电复合厚膜的制备方法，包括以下步骤：（1）按照Bi0.5Na0.5TiO3的化学计量比,制备钛酸铋钠先驱体溶胶；（2）制备微纳米级Bi0.5(Na1-xKx)0.5TiO3钛酸铋钾钠陶瓷粉体；（3）将微纳米级陶瓷粉体与钛酸铋钠先驱体溶胶混合，可以按照需求调整复合厚膜中陶瓷粉体的质量含量从20%-80%，制备混合浆料；（4）重复旋涂工艺-热处理工艺，得到具有无铅压电复合厚膜。本发明方法能够有效降低厚膜的烧结温度，降低钾、钠、铋元素的挥发，提高厚膜的介电、铁电、压电性能。
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公开(公告)号：CN119023512A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411145824.8
申请日：2024-08-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N11/16
Abstract: 本发明属于MEMS传感器领域，公开了一种阵列式微悬臂梁MEMS黏度传感器芯片及其工作方法，包括固支体，固支体上连接有若干微悬臂梁阵列悬空结构，微悬臂梁阵列悬空结构包括一端与固支体连接的压电悬臂梁和与压电悬臂梁另一端连接的悬臂板，压电悬臂梁上设有与压电悬臂梁长度方向平行的压电电极对，压电电极对作为压电悬臂梁的顶电极，相邻的压电悬臂梁之间连接有衔接梁；若干微悬臂梁阵列悬空结构包含第一微悬臂梁阵列悬空结构和至少两个第二微悬臂梁阵列悬空结构，其中，第一微悬臂梁阵列悬空结构的悬臂板的长度小于第二微悬臂梁阵列悬空结构的悬臂板的长度。该黏度传感器芯片能够提升流体黏度的测量精度，且在流体中具备压电自激励与自检测性能。
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公开(公告)号：CN116741535A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310680431.6
申请日：2023-06-08
Applicant: 广东捷成科创电子股份有限公司 , 西安交通大学
Abstract: 本发明提供了一种宽温区介电陶瓷材料及其制备方法，应用于陶瓷材料技术领域。其化学式为(1‑x)(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3‑xNaNbO3，其中，0.03≤x≤0.06，x为摩尔数。通过铌酸钠加入到钛酸铋钠基陶瓷中，调节两个介电峰的介电常数值和对应温度值，得到温度稳定性好，介电常数高的无铅介电陶瓷；利用流延技术制备陶瓷材料，材料厚度范围广、形状多样化，可适用于多种应用需求；本发明的压电陶瓷材料成本低，制备工艺简单，利于工业化生产。本发明的(1‑x)(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3‑xNaNbO3钛酸铋钠三元陶瓷材料宽温稳定性能好，材料体系不含铅，制备工艺简单且适用于大规模工业化生产，具有良好的应用前景。
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