公开(公告)号：CN111640796A

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN202010485711.8

申请日：2020-06-01

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 马晓华 ,  宓珉瀚 ,  周雨威 ,  张濛 ,  王鹏飞

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/20

摘要： 本发明涉及一种5G民用射频GaN基HEMT器件、MOS-HEMT器件及制备方法，GaN基HEMT器件制备方法包括：在Si衬底上依次生长碳掺杂GaN缓冲层、非故意掺杂GaN缓冲层、AlN插入层和InAlN势垒层，碳掺杂GaN缓冲层和非故意掺杂GaN缓冲层组成GaN缓冲层；在InAlN势垒层上制备源电极和漏电极；在InAlN势垒层、AlN插入层和非故意掺杂GaN缓冲层中制备GaN基HEMT器件的电学隔离；在InAlN势垒层上制备钝化层；在钝化层中制备栅脚凹槽，使栅脚凹槽贯穿钝化层；在栅脚凹槽中和钝化层上制备栅电极。该制备方法属于传统制备工艺，生产效率高，避免高成本复杂工艺如再生长技术的引入，从优化异质结材料的角度以较低成本实现高性能低电压器件，有利于GaN基HEMT器件在5G低成本民用市场中的推广。

公开(公告)号：CN103237323B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201310165257.8

申请日：2013-05-07

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 张冰 ,  吴晨 ,  翁平 ,  张奭 ,  颜克洲 ,  邱智亮 ,  王鹏飞 ,  景杨 ,  潘伟涛

IPC分类号： H04W28/08 ,  H04W72/04

摘要： 本发明公开了一种基于多通道的并行节点接纳方法，主要解决现有节点接纳方法接纳效率不高的问题。其实现步骤是：分配信道资源，划分接纳周期；在每个接纳周期内规划不同用途的时隙；利用下行和上行探测帧时隙，构成双向信令通道；利用下行探测帧，完成下行功率控制和下行信道训练；从属节点选择空闲的双向信令通道，并发送上行探测帧；中心节点根据收到的上行探测帧，发送下行探测帧；从属节点接收下行探测帧，查询所选择的双向信令通道的状态；根据查询到的状态，完成节点接纳过程。本发明具有接纳时间短，从属节点多时不易发生冲突，接纳效率高的优点，可应用于各种采用时分复用/时分多址机制分配信道的局域网和接入网领域。

公开(公告)号：CN116825830A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310729525.8

申请日：2023-06-19

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 宓珉瀚 ,  温馨怡 ,  周雨威 ,  龚灿 ,  王鹏飞 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/20

摘要： 本发明公开了一种多维栅控高线性N面GaN基射频功率器件及其制备方法，包括：衬底，依次设置于衬底上的缓冲层、势垒层和沟道层；源极和漏极，位于沟道层上，源极和漏极间隔设置；氮化硅层，位于沟道层上，且位于源极和漏极之间，氮化硅层包括栅脚区域，栅脚区域暴露出沟道层；沟道阵列结构，沟道阵列结构的投影位于栅脚区域，沟道阵列结构包括多个间隔排布的刻蚀部分，刻蚀部分由刻蚀掉至少部分沟道层形成，或由刻蚀掉沟道层和至少部分势垒层形成；沿垂直于衬底的方向，刻蚀部分的投影为矩形或梯形；栅极，覆盖于沟道阵列结构上、以及部分氮化硅层上。本发明能够提供高频、高线性N面GaN基Fin/Fin‑like HEMT器件。

公开(公告)号：CN116741635A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310737736.6

申请日：2023-06-20

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 宓珉瀚 ,  温馨怡 ,  周雨威 ,  龚灿 ,  王鹏飞 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778

摘要： 本发明公开了一种基于无掩膜再生长低阻延伸层的HEMT器件制备方法，包括：在衬底上外延生长N面GaN/AlGaN异质结结构；在所述N面GaN/AlGaN异质结结构的表面定义HEMT器件的源区和漏区并形成源区沟槽和漏区沟槽；低温外延生长n+GaN材料或n+InGaN材料，形成无掩膜再生长低阻延伸层；制作器件隔离区；形成源电极和漏电极；形成钝化层；形成栅极凹槽；表面沉积介质层；基于所述栅极凹槽制作浮空T型栅，得到制备完成的HEMT器件。本发明制备出的HEMT器件能够用于6G太赫兹频段。

公开(公告)号：CN107544550B

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN201610473714.3

申请日：2016-06-24

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 孙伟 ,  郭宝龙 ,  赵春宇 ,  张琦 ,  刘润之 ,  郭振嘉 ,  王鹏飞 ,  陈许蒙

IPC分类号： G05D1/12

摘要： 本发明公开了一种基于视觉引导的无人机自动着陆方法，其实现方案是：1.GPS导航引导无人机进入降落平台上空；2.根据机载相机的拍摄图像检测粗定位标志，计算降落平台相对于无人机的位置坐标；3.使用无人机双层PID控制器控制无人机开始降落；4.更新降落平台相对于无人机的位置坐标，从而更新双层PID控制器的输入量；5.当无人机降落达到能够识别精确定位标志的条件时，使用Apriltags技术实时检测，得出新的降落平台的中心坐标，更新双层PID控制器输入量，完成无人机的精确着陆。本发明解决了GPS引导无人机着陆精度低的问题，可用于无人机的精确自主着陆。

公开(公告)号：CN111430456A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN202010177072.9

申请日：2020-03-13

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 宓珉瀚 ,  马晓华 ,  王鹏飞 ,  张濛 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06

摘要： 本发明涉及一种基于跨导补偿法的类Fin侧墙调制的HEMT器件及其制备方法，该HEMT器件包括：衬底层；插入层，位于衬底层上；缓冲层，位于插入层上；源电极，位于缓冲层的一端；漏电极，位于缓冲层的另一端；势垒层，位于缓冲层上，且位于源电极和漏电极之间，其中，势垒层上设置有沿栅宽方向排列的若干凹槽，凹槽的深度小于势垒层的厚度；钝化层，覆盖在源电极、漏电极和势垒层上，其中，沿栅宽方向上，钝化层中贯穿有栅槽，且若干凹槽位于栅槽下；栅电极，位于若干凹槽和栅槽中，且位于钝化层表面；金属互联层，贯穿钝化层且位于源电极、漏电极上。该HEMT器件通过沿栅宽方向排列若干凹槽形成类Fin结构，可以满足高频高线性和高压高线性的应用需求。

公开(公告)号：CN107544550A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201610473714.3

申请日：2016-06-24

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 孙伟 ,  郭宝龙 ,  赵春宇 ,  张琦 ,  刘润之 ,  郭振嘉 ,  王鹏飞 ,  陈许蒙

IPC分类号： G05D1/12

摘要： 本发明公开了一种基于视觉引导的无人机自动着陆方法，其实现方案是：1.GPS导航引导无人机进入降落平台上空；2.根据机载相机的拍摄图像检测粗定位标志，计算降落平台相对于无人机的位置坐标；3.使用无人机双层PID控制器控制无人机开始降落；4.更新降落平台相对于无人机的位置坐标，从而更新双层PID控制器的输入量；5.当无人机降落达到能够识别精确定位标志的条件时，使用Apriltags技术实时检测，得出新的降落平台的中心坐标，更新双层PID控制器输入量，完成无人机的精确着陆。本发明解决了GPS引导无人机着陆精度低的问题，可用于无人机的精确自主着陆。

公开(公告)号：CN114942418B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202210658266.X

申请日：2022-06-10

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 左磊 ,  陈晋宇 ,  李亚超 ,  禄晓飞 ,  赵民 ,  高永婵 ,  赵政 ,  王鹏飞

IPC分类号： G01S7/41

摘要： 本发明公开了基于邻近距离的单脉冲测角方法，主要解决现有技术测角精度较低、抗噪性能差的问题。其实现方案是：接收宽带雷达的和通道、方位差通道和俯仰差通道回波信号；获取各通道回波信号的高分辨一维距离像；对一维像门限检测，选取扩展目标的散射点并测出对应散射点距雷达的距离；测量扩展目标对应散射点的方位角和俯仰角；计算每个散射点的坐标以及其距离其他散射点的平均欧式距离；对平均欧式距离升序排序，剔除平均欧式距离相对较大的散射点，计算剩余散射点的几何中心坐标；根据几何中心坐标计算扩展目标的中心方位角和中心俯仰角。本发明测角精度高，抗噪性能强，测角稳定，抑制角闪烁效应效果好，可用于目标跟踪和探测。

公开(公告)号：CN116598350A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202310330757.6

申请日：2023-03-30

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 宓珉瀚 ,  马晓华 ,  李晗溱 ,  龚灿 ,  周雨威 ,  王鹏飞

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开了一种基于原位SiNx的GaN HEMT器件及其制备方法，包括：衬底，以及依次设置于衬底上的GaN缓冲层、高极化强度薄势垒层、原位SiNx层；隔离区，位于器件两端，并贯穿原位SiNx层和高极化强度薄势垒层，直至部分GaN缓冲层内；钝化层，位于隔离区和原位SiNx层上；源、漏电极，位于靠近隔离区的器件两端，并贯穿钝化层直至部分原位SiNx层内；其中，源、漏电极在退火过程中下渗，直至部分GaN缓冲层内；T型栅电极，贯穿钝化层和原位SiNx层，直至高极化强度薄势垒层的上表面，以及位于部分钝化层上。本发明可以低成本实现低欧姆接触电阻，并设计制备高频GaN HEMT器件，满足5G及6G应用要求。

公开(公告)号：CN108830860B

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN201810332846.3

申请日：2018-04-13

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 齐飞 ,  朱晖 ,  石光明 ,  王鹏飞

IPC分类号： G06T7/11 ,  G06T7/194 ,  G06K9/62 ,  G06V10/74 ,  G06V10/762

摘要： 本发明提供了一种基于RGB‑D约束的双目图像目标分割方法和装置，通过获得双目图像的视差信息；获得所述双目图像的颜色数据模型；根据所述视差信息获得视差图的深度数据模型；计算所述双目图像相邻像素点的相似性；获得所述双目图像目标分割的网络流图与能量函数表达式；根据计算所述能量函数的最小解获得所述网络流图的分割结果，其中，所述网络流图的分割结果即所述双目图像的目标分割结果。解决现有技术中双目图像目标分割的准确率较低、实时性差、完整性不太理想的技术问题，实现了减少概率计算的依赖性，增强概率模型的通用性，有助于提升分割的结果，同时考虑像素点的视差信息，利用前景和背景处于不同深度中的特征，提升分割结果的技术效果。