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公开(公告)号：CN118028784A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410418735.X
申请日：2024-04-09
申请人： 陛通半导体设备(苏州)有限公司
摘要： 本发明提供一种晶圆加热盘及半导体设备，晶圆加热盘设置的声波源组件具有双层液冷结构，冷却液从外界通过管路进入冷却液进口后先在声波发生器上表面的空隙流动，实现声波发生器上层液冷功能，然后冷却液汇入回液槽并进入冷却道，通过冷却道对回液槽内部区域的声波发生器的下表面进行全面液冷，实现声波发生器下层液冷功能；该双层液冷结构可实现对声波发生器上下表面的散热，大大提高散热能力，保证器件的使用寿命及性能。另外，还由于声波发生器设置于底座的上表面且与隔热组件直接接触，有效减小了声波源与晶圆之间的距离，同时还降低了声波在冷却液中传播的几率，从而有效提高了声波源的能量利用率，保证声波对晶圆上沉积薄膜的辅助效果。
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公开(公告)号：CN115241026A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202211169361.X
申请日：2022-09-26
申请人： 陛通半导体设备(苏州)有限公司
摘要： 本发明提供一种旋转装置，该旋转装置包括：具有漏液隔离罩、主支架、固定轴组件及旋转轴组件的磁耦合联轴器；漏液隔离罩扣装于冷却室的上方并形成一内置空间，其中，内置空间与冷却室连通；主支架安装于冷却室的上方，固定轴组件通过主支架挂装于漏液隔离罩的外部；旋转轴组件位于内置空间中，其旋转轴的顶端挂装于漏液隔离罩的顶部，底端贯穿冷却室的顶部并与磁控管相连；其中，固定轴组件与旋转轴组件基于径向磁耦合作用做旋转运动。通过本发明提供的旋转装置，解决了现有旋转机构因动态密封件磨损而导致冷却液渗漏到冷却室外部，污染腐蚀物理气相沉积设备外部设施的问题。
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公开(公告)号：CN114875375B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210807218.2
申请日：2022-07-11
申请人： 陛通半导体设备(苏州)有限公司
摘要： 本发明提供一种具有辅助磁场的磁控溅射设备，包括：磁控管、靶材、辅助磁场、旋转基片台及腔体：辅助磁场包括磁场强度不小于5000高斯的第一、第二辅助磁场；第一辅助磁场由至少一个第一永磁体形成，水平高度靠近靶材下方，其最上方的第一永磁体的靠近腔体的磁极与磁控管最外侧靠近靶材的磁极相反；第二辅助磁场由至少一个第二永磁体形成，水平高度靠近旋转基片台上方；第一及第二永磁体均固定于腔体的局部的外侧壁；旋转基片台用于承载基片并带动基片做水平方向的360°以内的往复旋转运动。该设备形成的膜层在厚度均匀性、应力均匀性及填孔性能等方面达到较佳效果的同时设备结构简单，沉积速率较高，且制造成本更低。
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公开(公告)号：CN113774360A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111330342.6
申请日：2021-11-11
申请人： 陛通半导体设备(苏州)有限公司
IPC分类号： C23C16/458
摘要： 本发明提供一种往复旋转升降的化学气相沉积设备，包括腔体、基座、固定支架、升降机构及旋转机构。本发明利用磁流体密封原理实现设备密封，并实现旋转升降功能为一体，可同时满足往复旋转、升降移动、晶圆加热等的协同工作的同时互不影响，且往复式旋转可避免电气线在旋转过程中发生物理缠绕损毁的问题。另外，旋转机构内可设置吹气装置，避免腔体内形成的微颗粒对旋转机构（磁液）的影响，可保证旋转机构高效稳定的运行。相对于现有设备，本发明的往复旋转升降的化学气相沉积设备的整体结构精简了较多传动组件，由此减少了由于较多冗余组件造成的不稳定性以及产生的机械磨损，使升降和旋转控制的准确度更高，稳定性更强，制造成本和功耗更低。
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公开(公告)号：CN113249702A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110765236.4
申请日：2021-07-07
申请人： 陛通半导体设备(苏州)有限公司
摘要： 本发明提供一种提高磁控溅射环境洁净度的磁控溅射设备，包括：永磁装置、靶材、靶材背板、适配块、上挡板、下挡板、晶圆基座及腔体；上挡板沿周向设置于腔体的内部；上挡板由上向下包括一体成型的翻边、倾斜部及第一延伸部，其中，上挡板通过翻边安装在适配块上，倾斜部与靶材侧面的倾斜角度一致，第一延伸部自腔体的边缘向腔体的中心延伸，且第一延伸部在横向方向的投影覆盖靶材边缘的非有效溅射区域。通过设置上挡板，可有效阻挡应力膜层在非有效溅射区域的堆积，从而有效避免了非有效溅射区域由于应力膜层逐渐堆积导致应力膜层开裂甚至脱落产生粒子的问题，同时还可以阻挡非有效溅射区域产生的粒子进入至溅射工作环境中。
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公开(公告)号：CN118207517B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410636636.9
申请日：2024-05-22
申请人： 陛通半导体设备(苏州)有限公司
摘要： 本发明提供一种声波辅助薄膜沉积设备，包括两个沿左右方向依次分布的工艺腔体，每个工艺腔体中均设有加热器及声波发生模块，声波发生模块能产生超声波或兆声波，加热器位于声波发生模块上，加热器包括加热层，声波发生模块产生的超声波或兆声波能通过加热层传递至晶圆，且两个工艺腔体之间设有声波隔离单元，声波隔离单元包括声波隔离块，声波隔离块包括两个沿左右方向间隔分布且相互平行的声波隔离板及声波反射板，声波反射板的两端分别与两个所述声波隔离板固接，声波反射板相对于两个所述声波隔离板倾斜设置，声波反射板与声波隔离板之间形成声波隔离空腔。本声波辅助薄膜沉积设备，能有效提高薄膜的覆盖率及均匀性。
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公开(公告)号：CN115579701B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202211575895.2
申请日：2022-12-09
申请人： 陛通半导体设备(苏州)有限公司
摘要： 本发明提供一种可旋转电连接的插头组件及半导体设备，包括固定部、壳体、定子、第一与第二接线端、转子、第一与第二转动导电杆、第一与第二触点结构、第三与第四接线端，其中，壳体装设于固定部上并设有中心通孔、第一与第二环形凹腔；定子包括第一、第二环形导电组件，第一、第二接线端分别连接第一、第二环形导电组件；第一、第二转动导电杆横向贯穿转子且分别伸入第一、第二环形凹腔内；第一、第二触点结构分别固定连接于第一、第二转动导电杆并分别与第一、第二环形导电组件滑动连接；第三、第四接线端分别与第一、第二转动导电杆连接。采用本发明的可旋转电连接的插头组件可有效避免供电导线破损、断裂导致的漏电、触电、火灾等安全隐患。
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公开(公告)号：CN113667964B
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202111010449.2
申请日：2021-08-31
申请人： 陛通半导体设备(苏州)有限公司
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/02 , C23C16/505 , H01L21/02
摘要： 本申请公开了一种TEOS膜的制作方法，涉及半导体技术领域。该方法包括在硅晶圆上沉积第一层TEOS薄膜以及在第一层TEOS薄膜上沉积第二层TEOS薄膜，其中第一层TEOS薄膜沉积过程中未采用低频射频电源进行电离，而第二层TEOS薄膜的沉积过程中采用了低频射频电源进行电离。第一层TEOS薄膜的厚度为20～400nm，第二层TEOS薄膜的厚度为2000～6000nm。第一层TEOS薄膜具有较低的压应力，使得其与硅晶圆的粘附力较强而不容易脱膜。第二层TEOS薄膜的具有较佳的致密性，从而降低漏电流。因此，采用本申请提供的制作方法制得的TEOS膜既保持了较好的绝缘性能，同时也不容易从硅晶圆上脱落。
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公开(公告)号：CN115241026B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211169361.X
申请日：2022-09-26
申请人： 陛通半导体设备(苏州)有限公司
摘要： 本发明提供一种旋转装置，该旋转装置包括：具有漏液隔离罩、主支架、固定轴组件及旋转轴组件的磁耦合联轴器；漏液隔离罩扣装于冷却室的上方并形成一内置空间，其中，内置空间与冷却室连通；主支架安装于冷却室的上方，固定轴组件通过主支架挂装于漏液隔离罩的外部；旋转轴组件位于内置空间中，其旋转轴的顶端挂装于漏液隔离罩的顶部，底端贯穿冷却室的顶部并与磁控管相连；其中，固定轴组件与旋转轴组件基于径向磁耦合作用做旋转运动。通过本发明提供的旋转装置，解决了现有旋转机构因动态密封件磨损而导致冷却液渗漏到冷却室外部，污染腐蚀物理气相沉积设备外部设施的问题。
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公开(公告)号：CN114875375A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210807218.2
申请日：2022-07-11
申请人： 陛通半导体设备(苏州)有限公司
摘要： 本发明提供一种具有辅助磁场的磁控溅射设备，包括：磁控管、靶材、辅助磁场、旋转基片台及腔体：辅助磁场包括磁场强度不小于5000高斯的第一、第二辅助磁场；第一辅助磁场由至少一个第一永磁体形成，水平高度靠近靶材下方，其最上方的第一永磁体的靠近腔体的磁极与磁控管最外侧靠近靶材的磁极相反；第二辅助磁场由至少一个第二永磁体形成，水平高度靠近旋转基片台上方；第一及第二永磁体均固定于腔体的局部的外侧壁；旋转基片台用于承载基片并带动基片做水平方向的360°以内的往复旋转运动。该设备形成的膜层在厚度均匀性、应力均匀性及填孔性能等方面达到较佳效果的同时设备结构简单，沉积速率较高，且制造成本更低。
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