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公开(公告)号：CN113614873A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201980087246.8
申请日：2019-11-26
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01J37/147
Abstract: 公开了微结构偏转器阵列(622)，微结构偏转器阵列(622)包括多个多极结构(622‑1至622‑47)。微偏转器的偏转器阵列包括具有距阵列中心轴线第一径向偏移的第一多极结构(622‑26、……622‑47)以及具有距阵列中心轴线第二径向偏移的第二多极结构(622‑1)。第一径向偏移大于第二径向偏移，并且第一多极结构包括比第二多极结构更多数量的极电极，以在多个多极结构将多个带电粒子束偏转时减少偏转像差。微结构偏转器阵列可以被包含在多束检查装置的改进的源转换单元中。
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公开(公告)号：CN110352469A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201780081259.5
申请日：2017-12-22
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01J37/141 , H01J37/145 , H01J37/317
Abstract: 本公开提出一种防旋转透镜，并将其用作具有预子射束形成机构的多射束装置中的防旋转聚光透镜。防旋转聚光透镜在改变其电流时保持子射束的旋转角度不变，从而使得预子射束形成机构能够尽可能多地阻断未使用的电子。以这种方式，多射束装置可以以高分辨率和高吞吐量观察样本，并且能够用作检查和/或查看半导体制造工业中的晶片/掩模上的缺陷的产量管理工具。
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公开(公告)号：CN113892163B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202080039350.2
申请日：2020-05-18
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01J37/09 , H01J37/244 , H01J37/28
Abstract: 公开了通过减少多射束设备中的二次带电粒子检测器的检测元件之间的串扰，来增强成像分辨率的系统和方法。多射束设备包括用于将来自样品的多个二次带电粒子射束投射到带电粒子检测器(140)上的电光系统。该电光系统包括第一预限制孔径板(155P)和射束限制孔径阵列(155)，第一预限制孔径板(155P)包括被配置为阻挡多个二次带电粒子射束的外围带电粒子的第一孔径；射束限制孔径阵列(155)包括被配置为修整多个二次带电粒子射束的第二孔径。带电粒子检测器可以包括多个检测元件(140_1、140_2、140_3)，其中多个检测元件中的一个检测元件与多个二次带电粒子射束中的对应修整后的射束相关联。
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公开(公告)号：CN119480595A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411568129.2
申请日：2020-05-18
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 任伟明 , 刘学东 , 胡学让 , 陈仲玮 , M·G·M·J·玛森
Abstract: 公开了减轻多射束设备中的库仑效应的系统和方法。该多射束设备可以包括：带电粒子源，被配置为沿着初级光轴生成初级带电粒子束；第一孔阵列，该第一孔阵列包括第一多个孔，该第一多个孔具有形状并且被配置为生成源自初级带电粒子束的多个初级子束；聚光透镜，包括沿着初级光轴可调的平面；以及第二孔阵列，该第二孔阵列包括第二多个孔，该第二多个孔被配置为生成与多个子束相对应的探测子束，其中多个探测子束中的每个探测子束包括至少基于聚光透镜的平面的位置和第二孔阵列的特性的对应初级子束的带电粒子的部分。
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公开(公告)号：CN112041965B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN201980029418.6
申请日：2019-04-11
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01J37/317
Abstract: 公开了一种带电粒子束装置的改进的源转换单元。源转换单元包括第一微结构阵列，该第一微结构阵列包括多个微结构。多个微结构被分组为一个或多个组。一个组中的微结构的对应电极由驱动器电连接和驱动以影响对应的一组束波。一个组中的微结构可以是单极结构或多极结构。一个组中的微结构具有相对于装置的光轴的相同或基本相同的径向偏移。一个组中的微结构相对于其径向偏移方向具有相同或基本相同的取向角。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112567493B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN201980053848.1
申请日：2019-07-31
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01J37/28 , H01J37/04 , H01J37/153 , H01J37/05
Abstract: 公开了用于在多束装置中观察样品的系统和方法。一种带电粒子光学系统可以包括：偏转器，其被配置为形成带电粒子源的虚像；和转印透镜，其被配置为在图像平面上形成带电粒子源的实像。图像平面可以至少形成在光束分离器附近，该光束分离器被配置为分离由源生成的初级带电粒子和由初级带电粒子与样品的交互而生成的次级带电粒子。图像平面可以形成在光束分离器的偏转平面处。多束装置可以包括带电粒子色散补偿器以补偿光束分离器的色散。在转印透镜与带电粒子色散补偿器之间，图像平面可以被形成为与光束分离器相比更靠近转印透镜。
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公开(公告)号：CN113614873B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN201980087246.8
申请日：2019-11-26
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01J37/147
Abstract: 公开了微结构偏转器阵列(622)，微结构偏转器阵列(622)包括多个多极结构(622‑1至622‑47)。微偏转器的偏转器阵列包括具有距阵列中心轴线第一径向偏移的第一多极结构(622‑26、……622‑47)以及具有距阵列中心轴线第二径向偏移的第二多极结构(622‑1)。第一径向偏移大于第二径向偏移，并且第一多极结构包括比第二多极结构更多数量的极电极，以在多个多极结构将多个带电粒子束偏转时减少偏转像差。微结构偏转器阵列可以被包含在多束检查装置的改进的源转换单元中。
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公开(公告)号：CN113192815B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202110492081.1
申请日：2017-01-27
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01J37/06 , H01J37/145 , H01J37/147 , H01J37/22 , H01J37/28 , G01N23/00
Abstract: 本公开的实施例涉及多个带电粒子束的装置。提出了一种具有尺寸、取向和入射角可变的总FOV的新多束装置。新装置提供了加速样本观察和使得更多样本可观察的更大灵活性。更具体地，作为在半导体制造工业中检查和/或审查晶片/掩模上的缺陷的产量管理工具，新装置提供了实现高吞吐量和检测更多种类的缺陷的更多可能性。
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公开(公告)号：CN111527582B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN201880064414.7
申请日：2018-10-02
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01J37/28
Abstract: 已经公开了一种用于多光束检查的多光束装置，其具有改进的源转换单元，该改进的源转换单元具有高电气安全性、机械可用性以及机械稳定性。该源转换单元包括具有多个图像形成元件的图像形成元件阵列、具有多个微补偿器的畸变补偿器阵列、以及具有多个预弯曲微偏转器的预弯曲元件阵列。在阵列中的每个中，相邻元件被放置在不同层中，并且一个元件阵列包括放置在不同层中的两个或更多个子元件。微补偿器的子元件可以具有不同的功能，诸如微透镜和微消象散器。
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公开(公告)号：CN110945621B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN201880048462.7
申请日：2018-07-12
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01J37/05 , H01J37/147 , H01J37/28 , H01J37/244
Abstract: 提供了用于补偿单束或多束设备中的分束器的色散的系统和方法。本公开的实施例提供了分散装置，分散装置包括被配置为诱导束色散的静电偏转器和磁性偏转器，束色散被设置以消除由分束器生成的色散。静电偏转器和磁性偏转器的组合可以用于在所诱导的束色散被改变以补偿由分束器生成的色散变化时，将由于分散装置引起的偏转角保持不变。在一些实施例中，由于分散装置而引起的偏转角可以被控制为零，并且没有由于分散装置而引起的初级束轴变化。
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