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公开(公告)号：CN118102842A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410508848.9
申请日：2024-04-26
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本发明涉及一种自清洁流量芯片的制作工艺。本发明包括提供衬底；制作支撑结构层；制作铂薄膜层；形成铂热电阻丝层；沉积一层第一氧化硅层；制作上游测温元件热电堆下层热电偶、下游测温元件热电堆下层热电偶以及中心热源；制作上游测温元件热电堆上层热电偶和下游测温元件热电堆上层热电偶；制作连接导线；所述铂热电阻丝层分别形成于靠近上游测温元件热电堆下层热电偶、下游测温元件热电堆下层热电偶各自冷端下方。本发明能够实现对测温元件敏感区的自清洁处理，从而保证下次使用时的精度不受影响。
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公开(公告)号：CN117644061A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202410114600.4
申请日：2024-01-29
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司 , 无锡芯灵微电子有限公司
IPC分类号： B07C5/344 , B07C5/00 , B07C5/02 , B07C5/36 , B07C5/38 , G01N3/00 , G01N3/02 , G01B11/00 , G01R31/52
摘要： 本发明公开了基于机器视觉的压力传感器引脚焊接自动检测方法与装置，属于半导体技术领域，用于解决受压力传感器运输、检测装配和其他因素影响，以及缺乏对压力传感器检测内部和外部数据的采集，进而影响对同批次异常压力传感器的品控判别的技术问题；本发明包括进料架，进料架两端外壁上侧支撑架，侧支撑架内壁中部转动套接有下旋转检测架，本发明既能从检测前、检测中对压力传感器进行全程高效监管，即将采集数据与预设数据进行比对、分析，获得相关的评价信号，并据此控制相关部件进行分选，实现对焊接后的压力传感器进行筛分分流式输送，以便于后续根据检测结果对同批次同问题的压力传感器进行对应性再处理。
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公开(公告)号：CN117156941B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311433904.9
申请日：2023-11-01
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本发明涉及一种具有六方密排微孔实心衬底结构流量芯片的制作方法。本发明包括提供N型双抛硅片；在N型双抛硅片的表面制备一层有序六方密排PS球阵列层；采用反应离子刻蚀对N型双抛硅片表面进行蚀刻，形成衬底空腔，同样，采用反应离子刻蚀对有序六方密排PS球阵列层进行蚀刻，使其PS球的形状从球形变成椭球体，从而得到PS椭球体阵列层；在衬底空腔中填充PS树脂球；在PS椭球体阵列层上覆盖一层六方密排SIO层；在六方密排SIO层上覆盖一层氮化硅支撑层；在氮化硅支撑层表面分别制作MEMS热式流量传感器芯片的上游热电堆测温元件、下游热电堆测温元件以及中心热源。该衬底使MEMS热式流量传感器具有优良的稳定性和高可靠性。
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公开(公告)号：CN117387830A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311684052.0
申请日：2023-12-11
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
发明人： 刘同庆
摘要： 本发明公开了适用于MEMS压力传感器的封装结构及其封装方法，属于封装技术领域，本发明是在载有压敏芯片的玻璃基座底端增设传感结构，一方面在进行封装定位时，便于利用传感结构将压敏芯片悬放于外壳体内部，待封装完成后，传感结构用于受压介质的传感，压敏芯片与封装壳体相隔离，且将上传感柱与下传感柱设置成紧密滑动式结构，在初始状态下，下传感柱嵌设于限位环内部，不影响传感结构外部封装，当封装完毕后，向下拉动下传感柱直至其上端部脱离限位环，下传感柱与上传感柱由接触状态转变成非接触状态，进一步避免外壳体上的形变压力通过传感结构向上传递给压敏芯片，有效保障了压敏芯片对高频动态信号的测量精度及频率响应范围。
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公开(公告)号：CN117091751A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311341996.8
申请日：2023-10-17
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种新型压力传感器封装结构，其可以提供两种加压方式，对差压进行检测，从而满足客户的加压需求，提高适用性。其包括壳体和压力传感器芯片，壳体包括上壳体、下壳体，上壳体的一侧设有两个并列的气嘴，上、下壳体相对应位置处分别设有容置腔，上壳体的内部位于容置腔的上端、下壳体的内部位于容置腔的下端分别设有上气室、下气室，两个气嘴的内部分别设有气路通道与上气室连通，压力传感器芯片正置或倒置安装于上、下壳体内部的容置腔内部，且其探针从容置腔中伸出，压力传感器芯片工艺孔或气孔与上气室连通。
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公开(公告)号：CN116448290B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310695679.X
申请日：2023-06-13
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
发明人： 刘同庆
摘要： 本发明涉及压力传感器技术领域，具体公开了一种高频动态MEMS压阻式压力传感器及其制备方法，高频动态MEMS压阻式压力传感器包括包括基底、第一衬底和压力敏感薄膜，压力敏感薄膜设置在第一衬底上，第一衬底设置在所述基底上；压力敏感薄膜包括压敏电阻、欧姆接触区、第一钝化层、第二钝化层、压敏电极层、第三钝化层、第一驱动电极层、第一介电层、第二驱动电极层、第四钝化层、第五钝化层、第一应变电极层和第二介电层。本发明提供的高频动态MEMS压阻式压力传感器，能够有效提高MEMS压阻式压力传感器的高频动态特性，并且可以减小甚至消弭外界环境对传感器的冲击影响，降低压力传感器的零偏和温漂，提高压力传感器的精度。
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公开(公告)号：CN115541071B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202211528266.4
申请日：2022-12-01
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
发明人： 刘同庆
摘要： 本申请公开了一种双极型晶体管式MEMS压力传感器及其制备方法，双极型晶体管式MEMS压力传感器包括：薄膜，悬设于基底上，被设置为根据受到的压力发生不同程度的形变；悬臂梁，设于薄膜的侧面并通过薄膜悬设于支撑结构上；双极型晶体管，包括基区、集电区和发射区，集电区和发射区设于悬臂梁上，基区包括感测段和连接段，感测段设于薄膜上，并通过连接段分别与集电区和发射区连接，基区被设置为通过阻值变化感测薄膜的形变。本申请的双极型晶体管式MEMS压力传感器，其可以在不改变量程和非线性度等性能指标的前提下有效提升传感器的灵敏度，并且，由于其使用双极型晶体管的作为压敏元件，还可以有效抑制传感器的温度漂移。
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公开(公告)号：CN115541071A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211528266.4
申请日：2022-12-01
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
发明人： 刘同庆
摘要： 本申请公开了一种双极型晶体管式MEMS压力传感器及其制备方法，双极型晶体管式MEMS压力传感器包括：薄膜，悬设于基底上，被设置为根据受到的压力发生不同程度的形变；悬臂梁，设于薄膜的侧面并通过薄膜悬设于支撑结构上；双极型晶体管，包括基区、集电区和发射区，集电区和发射区设于悬臂梁上，基区包括感测段和连接段，感测段设于薄膜上，并通过连接段分别与集电区和发射区连接，基区被设置为通过阻值变化感测薄膜的形变。本申请的双极型晶体管式MEMS压力传感器，其可以在不改变量程和非线性度等性能指标的前提下有效提升传感器的灵敏度，并且，由于其使用双极型晶体管的作为压敏元件，还可以有效抑制传感器的温度漂移。
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公开(公告)号：CN115077648A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210995877.3
申请日：2022-08-19
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种MEMS质量流量传感器及制备方法，其测温元件热电偶设计了一种“Z”形冷端工艺，温度测量时，冷热端温差更大，提升了测温灵敏度，提高了对细微温度变化的分辨率，进而增大了质量流量测量量程，其包括衬底，所述衬底上表面设置有一层支撑层，所述支撑层的上表面设置有中心加热元件、测温热电堆元件和温度补偿电阻，所述测温热电堆元件包括测温热电偶对，其特征在于：每个所述测温热电偶对的下层热电偶均为“Z”形结构，所述下层热电偶的下端贯穿支撑层与衬底相连接。
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公开(公告)号：CN111076856B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201910763759.8
申请日：2011-11-23
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
发明人： 刘同庆
摘要： 本发明涉及一种温漂自补偿SOI压力传感器，其包括SOI衬底，所述SOI衬底上设有用于配置成惠斯通电桥的桥路电阻，且SOI衬底对应设置桥路电阻的表面设置用于对惠斯通电桥进行温度补偿的补偿电阻，所述补偿电阻及桥路电阻上设置电连接的互连引线；桥路电阻及补偿电阻间通过绝缘隔离层及钝化层相隔离，绝缘隔离层覆盖于SOI衬底上，钝化层覆盖于绝缘隔离层上；刻蚀对应于设置桥路电阻另一侧的SOI衬底以形成压力腔及压力敏感膜，所述压力腔及压力敏感膜位于桥路电阻的正下方。本发明结构紧凑，实现温漂自补偿，降低成本，稳定性高，一致性好，适合批量生产，适应范围广，安全可靠。
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