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    热致发声装置及其制备方法
    21.
    发明授权
    热致发声装置及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN101990152B

    公开(公告)日：2013-08-28

    申请号：CN200910109570.3

    申请日：2009-08-07

    申请人： 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

    发明人： 刘亮 ,  陈卓 ,  刘锴 ,  冯辰 ,  姜开利 ,  范守善

    IPC分类号： H04R23/00 ,  H04R31/00

    CPC分类号： C23C14/0005 ,  H04R23/002

    摘要： 一种热致发声装置，其包括：一信号输入装置以及一发声元件，该发声元件包括一金属膜，且该金属膜与所述信号输入装置电连接；其中，该发声元件进一步包括一基体及设置于该基体的多个微结构，所述金属膜设置于所述多个微结构且通过该多个微结构与所述基体悬空设置，所述信号输入装置输入电信号给该金属膜，并通过该金属膜加热周围气体介质发出声波。本发明还提供一种上述热致发声装置的制备方法。由于所述热致发声装置中的金属膜可通过多个微结构与所述基体表面悬空设置，且具有较小的单位面积热容，从而使该金属膜具有较高的发声强度。

    借助于有机分离剂制备平行平面片的方法
    24.
    发明公开
    借助于有机分离剂制备平行平面片的方法 失效

    公开(公告)号：CN1610729A

    公开(公告)日：2005-04-27

    申请号：CN02810319.X

    申请日：2002-05-21

    申请人： 西巴特殊化学品控股有限公司

    发明人： H·魏纳特

    IPC分类号： C09C1/00 ,  C23C14/00

    CPC分类号： B82Y30/00 ,  C01P2004/20 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/12 ,  C09C1/62 ,  C09C1/627 ,  C09C1/64 ,  C23C14/0005 ,  C23C14/024 ,  Y10T428/31663

    摘要： 本发明涉及制备平行平面片的新方法，其包括步骤a)在低于大气压的压力下在载体上气相淀积分离剂以制备分离剂层，b)在低于大气压的压力下在该分离剂层上气相淀积至少一种产物层，和c)使该分离剂层在溶剂中溶解，并形成悬浮液，在该悬浮液中至少存在呈平行平面片状的产物层，其特征在于，该分离剂选自蒽、蒽醌、乙酰胺基苯酚、乙酰水杨酸、樟脑酸酐、苯并咪唑、苯－1，2，4－三羧酸、双苯基－2，2－二羧酸、双(4－羟基苯基)－砜、二羟基蒽醌、乙内酰脲、3－羟基苯甲酸、8－羟基喹啉－5－磺酸－一水合物、4－羟基香豆素、7－羟基香豆素、3－羟基萘－2－羧酸、间苯二酸、4，4－亚甲基－双－3－羟基萘－2－羧酸、萘－1，8－二羧酸酐、苯邻二甲酰亚胺和其钾盐、酚酞、吩噻嗪、糖精和其盐、四苯基甲烷、苯并[9，10]菲、三苯基甲醇以及至少二种这些物质的混合物。特别适合的分离剂证明是具有至少一个苯环的芳族化合物。此外本发明还涉及这样获得的平行平面片的应用以及按照这些方法获得的产品。

    一种转移ITO薄膜的方法
    28.
    发明公开
    一种转移ITO薄膜的方法 无效

    公开(公告)号：CN106676472A

    公开(公告)日：2017-05-17

    申请号：CN201611166575.6

    申请日：2016-12-16

    申请人： 桂林电子科技大学

    发明人： 朱归胜 ,  徐华蕊 ,  陈一达 ,  俞兆喆 ,  赵昀云 ,  颜东亮

    IPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

    CPC分类号： C23C14/0005 ,  C23C14/086 ,  C23C14/35 ,  C23C14/5873

    摘要： 本发明公开了一种转移ITO薄膜的方法，先在铜箔上采用磁控溅射技术沉积一定厚度的ITO薄膜，然后在ITO薄膜的表面喷涂一定厚度的环氧树脂AB胶，同时将喷涂了环氧树脂AB胶的面与PET膜通过辊压方式进行贴合，并在一定温度下加热一定时间使环氧树脂AB胶固化，最后放入硝酸铁刻蚀液去除铜箔，并用去离子水清洗后烘干，得到转移的ITO薄膜。本发明解决了高温沉积ITO薄膜向柔性衬底的转移，有效提高PET柔性衬底ITO薄膜的光电性能，克服已有技术不能直接通过高温沉积在柔性衬底上实现结晶态，或通过改进沉积工艺或薄膜制备方法的途径对柔性衬底ITO薄膜结晶性能的提升也并不明显的技术问题。

    阳极氧化膜的制造方法
    30.
    发明授权
    阳极氧化膜的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN103154329B

    公开(公告)日：2015-09-16

    申请号：CN201180048346.3

    申请日：2011-10-06

    申请人： 夏普株式会社

    发明人： 林秀和

    IPC分类号： C25D11/04 ,  C23C14/58 ,  C25D11/12 ,  C25D11/24

    CPC分类号： C25D1/08 ,  C23C14/0005 ,  C23C14/185 ,  C23C14/5853 ,  C25D11/04 ,  C25D11/10 ,  C25D11/12 ,  C25D11/24

    摘要： 本发明的阳极氧化膜的制造方法包含：工序（a），准备层叠结构体（10），层叠结构体（10）具备：基材（12）；牺牲层（16），其形成于基材（12）上，含有铝；以及铝层（18），其形成于牺牲层（16）的表面；工序（b），对铝层（18）部分地进行阳极氧化，由此形成具有多个微细的凹部（22a）的多孔氧化铝层（20a）；以及工序（c），在工序（b）后将多孔氧化铝层（20a）从层叠结构体分离。根据本发明，能比以往更简便地制造具有多孔氧化铝层的自我支撑型的阳极氧化膜。