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公开(公告)号:CN102498230B
公开(公告)日:2016-09-07
申请号:CN201080040853.8
申请日:2010-07-14
申请人: MSM克里斯塔尔公司
CPC分类号: C23C14/0005 , C23C14/06
摘要: 本发明提供了制造可转位刀片的方法,所述方法包括:在可分离异型衬底(10)上借由PVD法沉积形成可转位刀片(40)的刀片材料层,以及分离该衬底以获得外形独立的部件作为可转位刀片。
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公开(公告)号:CN105839062A
公开(公告)日:2016-08-10
申请号:CN201610207325.6
申请日:2016-04-05
申请人: 吉林师范大学
IPC分类号: C23C14/35 , C23C14/20 , C23C14/18 , C23C14/10 , C23C14/58 , B22F1/00 , B82Y40/00 , B82Y30/00
CPC分类号: C23C14/35 , B22F1/0044 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C14/0005 , C23C14/10 , C23C14/185 , C23C14/205 , C23C14/5806 , C23C14/5873
摘要: 本发明公开了一种复合型多层膜结构银纳米线及其制备方法,主要采用物理沉积技术和退火处理相结合的方法,利用磁控溅射技术在二维有序胶体球模板上制备出[Ag 20~30nm/SiO2 3~5nm]n纳米多层膜阵列,并进一步对其在氩气保护下进行退火处理,从而形成复合型多层膜结构表面生长出银纳米线。这种方法制备成本低、耗时少,且具有结构稳定、可控性强、纯度高的特点,将二氧化硅和银结合到一起,二氧化硅可以改变金属周围的电介质环境,而且可以防止银发生氧化,使银纳米线结构存活时间更长。此外,结构具有丰富的热点,有很高的SERS活性,可应用于分子探测与识别技术等领域、电子学、磁学、声学、光学等领域。
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公开(公告)号:CN102985857B
公开(公告)日:2016-02-24
申请号:CN201180034864.X
申请日:2011-07-14
申请人: 旭硝子株式会社
CPC分类号: H01P7/00 , B05D1/60 , B05D3/002 , B05D5/12 , C23C14/0005 , C23C14/04 , C23C14/225 , C23C16/0254 , G02B1/007 , H01P11/008 , Y10T156/10
摘要: 提供一种制造生产性优异的超材料的方法。本发明涉及一种超材料的制造方法,所述超材料具备相对于电磁波发生共振的电磁波共振体,所述超材料的制造方法中,包括如下情况:对于具有与所述电磁波共振体的形状对应的形状的支承体蒸镀形成所述电磁波共振体的材料,由此向所述支承体配置电磁波共振体。
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公开(公告)号:CN104736645A
公开(公告)日:2015-06-24
申请号:CN201280076591.X
申请日:2012-09-13
申请人: 爱卡美国公司
CPC分类号: B22F9/04 , C09C1/0015 , C09C1/64 , C09D17/00 , C09D17/002 , C09D17/006 , C23C14/0005 , C23C14/024 , C23C14/20 , C23C14/34 , C23C14/546 , C23C16/01 , C23C16/06
摘要: 描述了形成小片材料,例如薄片,其中包括,但不限于金属薄片,例如铝薄片的方法。该方法牵涉施加剥离体系到载体或转鼓上,随后溶解,释放在其上形成的一层或多层不溶解层,例如一层或多层金属层。描述了特定组的分散剂,当掺入到剥离体系内时,它导致改进的工艺效率,和更加一致的产品。描述了本发明的额外特征和方面。
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公开(公告)号:CN102978570A
公开(公告)日:2013-03-20
申请号:CN201210487140.7
申请日:2012-11-26
申请人: 蔡莳铨
发明人: 蔡莳铨
IPC分类号: C23C14/20
CPC分类号: C23C14/0005 , B32B3/28 , B32B27/08 , B32B27/306 , B32B27/32 , B32B27/36 , B32B27/40 , B32B2255/10 , B32B2255/205 , B32B2307/51 , C23C14/028 , C23C14/12 , C23C14/14 , C23C14/20 , Y10T428/24529
摘要: 本发明涉及一种金属蒸镀薄膜,由从下而上依次形成或贴合的第一高分子材料层、金属蒸镀层、第二高分子材料层和可水解高分子材料层组成,金属蒸镀层、第一和第二高分子材料层的X轴与Y轴皆为波浪形,可水解高分子材料层的下表面的X轴与Y轴皆为波浪形。较佳地,第二高分子材料层涂布在金属蒸镀层上。可水解高分子材料层涂布在第二高分子材料层上。还涉及金属蒸镀薄膜制作中间体和相关制作方法,其采用载体膜来制作。本发明的金属蒸镀薄膜设计巧妙,结构简洁,其金属蒸镀层能更均匀地扩张或拉伸,具有相当强的弹性,不开裂,并能更容易地转移附着于物件的立体曲面上,且制作巧妙简便,适于大规模推广应用。
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公开(公告)号:CN102560481A
公开(公告)日:2012-07-11
申请号:CN201110436563.1
申请日:2011-12-13
申请人: 通用电气公司
CPC分类号: F01D5/187 , B23P15/04 , B23P2700/13 , C23C4/01 , C23C4/02 , C23C14/0005 , C23C24/04 , F01D5/186 , F05D2230/31 , F05D2230/313 , F05D2230/90 , F05D2250/12 , F05D2250/13 , Y02T50/67 , Y02T50/672 , Y02T50/676 , Y10T428/13
摘要: 本发明涉及使用两层式结构涂层来制造构件的方法。提供了一种制造构件的方法。该制造方法包括使第一结构涂层层淀积在衬底的外表面上。衬底具有至少一个空心内部空间。该制造方法进一步包括通过第一结构涂层层而加工衬底,以在第一结构涂层层中限定一个或多个开口,以及在衬底的外表面中形成相应的一个或多个凹槽。各个凹槽均具有相应的基部,并且至少部分地沿着衬底的表面延伸。该制造方法进一步包括使第二结构涂层层淀积在第一结构涂层层上面以及在凹槽(一个或多个)上面,使得凹槽(一个或多个)和第二结构涂层层共同限定一个或多个通道以冷却构件。还公开了一种构件。
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公开(公告)号:CN102498181A
公开(公告)日:2012-06-13
申请号:CN201080037562.3
申请日:2010-08-18
申请人: 尾池工业株式会社
CPC分类号: C23C14/205 , B22F1/0055 , B22F9/04 , B22F2001/0092 , C01P2004/20 , C01P2004/22 , C01P2004/54 , C09C1/62 , C09D11/322 , C23C14/0005
摘要: 本发明提供一种鳞片状薄膜细粉末分散液。即,对鳞片状薄膜细粉末实施使鳞片状薄膜细粉末不容易沉淀的处理,在使用了该鳞片状薄膜细粉末的金属颜料中,鳞片状薄膜细粉末分散在墨水中,其结果可以防止喷嘴堵塞,并且可以使得到的印刷物具有丰富的金属光泽。鳞片状薄膜细粉末分散液是通过把金属单质、合金或金属化合物粉碎后形成的鳞片状薄膜细粉末含在溶剂中得到的,鳞片状薄膜细粉末的平均长径为0.5μm以上5.0μm以下,最大长径为10μm以下,平均厚度为5nm以上100nm以下,长宽比为20以上。
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公开(公告)号:CN101933100A
公开(公告)日:2010-12-29
申请号:CN200880122615.4
申请日:2008-10-21
发明人: 杰弗里·R·达恩 , 黎丁巴 , 皮埃尔·菲利普·弗格森 , 马克·N·奥布罗瓦茨
CPC分类号: H01M4/134 , C22C1/0433 , C22C13/00 , C23C14/0005 , C23C14/205 , H01B1/02 , H01B1/04 , H01M4/136 , H01M4/58 , H01M4/621 , H01M10/0525
摘要: 本发明提供了一种电极组合物,所述电极组合物包含活性物质,所述活性物质包含钴、锡和碳,以及制备和使用所述电极组合物的方法。本发明还提供了包括提供的电极组合物的电极、包括提供的电极的电化学电池以及包括至少一个提供的电化学电池的电池组。在一些实施例中,所述组合物还包括铁。
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公开(公告)号:CN101060980B
公开(公告)日:2010-09-22
申请号:CN200580039714.2
申请日:2005-11-17
申请人: 阿克佐诺贝尔股份有限公司
CPC分类号: H01L31/1884 , B32B5/16 , B32B5/30 , B32B15/04 , B32B27/36 , B32B2250/40 , B32B2264/10 , B32B2264/102 , B32B2307/202 , B32B2307/412 , B32B2457/20 , C23C14/0005 , C23C14/086 , H01L31/1892 , H01L51/0097 , Y02E10/50 , Y10T428/24364
摘要: 本发明涉及一种制备柔性机械补偿的透明层状材料的方法,其中所述柔性机械补偿的透明层状材料包含在两面均至少部分覆盖了透明无机材料层的透明载体,该方法包括如下连续步骤:a)提供两个临时基材;b)将透明无机材料层施加至各临时基材上;c1)将透明载体施加至透明无机材料层上;或者c2)将用于透明聚合载体的可聚合前体施加至透明无机材料层上,随后使可聚合前体聚合成透明载体;和d)除去临时基材。
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公开(公告)号:CN1214472C
公开(公告)日:2005-08-10
申请号:CN02151648.0
申请日:2002-12-20
申请人: LG电子株式会社
发明人: 金镇教
IPC分类号: H01L33/00
CPC分类号: C30B23/02 , C23C14/0005 , C23C14/0641 , C23C14/228 , C30B25/02 , C30B29/406 , Y10S117/915 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要: 本发明公开了一种用于制造GaN基底的装置和方法:通过在腔室内使GaN层在衬底上生长,并在此后使GaN层与衬底在同一腔室中相分离,而防止了由于温度下降而使GaN基底产生微裂纹或发生弯曲。本发明包括:腔室,在该腔室中装载有衬底;用于对腔室进行加热的加热装置;Ga载器,安装在腔室内,用于接纳可产生Ga分子的材料;喷射管,用于向腔室中注入可产生氮气分子的气体,氮气分子产生气体与Ga分子产生材料发生化学反应,而在衬底上形成GaN层;以及透明的窗孔,设置在腔室的外周上,用于向衬底照射激光束。
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