用于制造GaN基底的装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN1214472C

    公开(公告)日:2005-08-10

    申请号:CN02151648.0

    申请日:2002-12-20

    发明人: 金镇教

    IPC分类号: H01L33/00

    摘要: 本发明公开了一种用于制造GaN基底的装置和方法:通过在腔室内使GaN层在衬底上生长,并在此后使GaN层与衬底在同一腔室中相分离,而防止了由于温度下降而使GaN基底产生微裂纹或发生弯曲。本发明包括:腔室,在该腔室中装载有衬底;用于对腔室进行加热的加热装置;Ga载器,安装在腔室内,用于接纳可产生Ga分子的材料;喷射管,用于向腔室中注入可产生氮气分子的气体,氮气分子产生气体与Ga分子产生材料发生化学反应,而在衬底上形成GaN层;以及透明的窗孔,设置在腔室的外周上,用于向衬底照射激光束。