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公开(公告)号:CN103608661B
公开(公告)日:2017-07-11
申请号:CN201280021684.2
申请日:2012-05-03
Applicant: 西门子医疗保健诊断公司
Inventor: F.克鲁夫卡
IPC: G01N21/00
CPC classification number: G01J1/42 , G01J3/10 , G01J3/42 , G01N21/645 , G01N21/6452 , G01N2021/6419 , G01N2021/6421 , G01N2021/6478 , G01N2201/0627
Abstract: 公开了适于帮助在对试验器皿中的试验样本进行照明的方法和装置。所述方法包括通过关闭除了感兴趣的光源之外的所有光源并取得读数来对多个波长光源进行排序。照明装置具有:支架,所述支架具有第一和第二臂以及其之间的被适配为接纳试验器皿的空间;耦合到第一臂的光源阵列和透镜阵列;被适配为对来自每个光源的光信号进行滤波的带通滤波器阵列;被适配为对发射到试验器皿的光的范围进行限制的至少一个孔阵列;以及耦合到第二臂的单个光电检测器,被适配为在不移动试验器皿的情况下从每个光源接收光信号。公开了系统,其他方面相同。
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公开(公告)号:CN106932093A
公开(公告)日:2017-07-07
申请号:CN201710092871.4
申请日:2017-02-21
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 本发明涉及一种自动锁频光电等效平衡系统,经过斩波器调制后的光信号照射在热释电探测器表面上产生电压信号,经过前置放大电路放大后输出作为采样信号,同时斩波器中控制器产生一个与采样信号同频率的参考触发信号,一起送入模数转换器;被采样后的参考触发信号经数字锁相环电路,变换为与参考触发信号同频率等相位的两个正交参考信号;采样信号经过数字带通滤波后和参考信号一起经过数字信号处理器进行处理输出,再通过数模转换器转为模拟量输出调制信号,经过功率放大加热调制电路将平衡加热的信号提升功率并输出到热释电探测器表面加热层上。适应不同频率的参考信号,锁定和跟踪参考信号频率,实现了光学辐射加热信号和电学功率加热信号之相位的自动匹配。
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公开(公告)号:CN104596929B
公开(公告)日:2017-06-23
申请号:CN201310530879.6
申请日:2013-10-31
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G01N21/00
CPC classification number: G06K9/66 , G01J1/42 , G01N33/0062 , G06K9/00 , G06K9/6256
Abstract: 本发明公开了一种确定空气质量的方法和设备。所述方法包括:确定至少一个关键区域;在所述关键区域的至少一个位置处,获取基准清晰图像、在较差空气质量下的训练图像及对应的实际空气质量指数;根据从所述基准清晰图像以及所述训练图像中提取的特征以及所述实际空气质量指数训练该关键区域的空气质量模型。利用本发明实施例的方法和设备,可以根据图像确定空气质量。
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公开(公告)号:CN106784054A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201710128164.6
申请日:2017-03-06
Applicant: 北京世纪金光半导体有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0312 , H01L31/0352 , H01L31/107 , G01J1/42
CPC classification number: H01L31/107 , G01J1/42 , H01L31/022408 , H01L31/022475 , H01L31/0312 , H01L31/03529
Abstract: 本发明公开了一种紫外雪崩光电二极管探测器,所述探测器的每个器件单元从上至下依次包括CE电极、SiO2层、P‑well或N‑well、衬底和背面电极;其中,所述P‑well或N‑well的上部中心设置有点状雪崩二极管,所述点状雪崩二极管与所述CE电极电连通;所述SiO2层的外围周向设置有接地GND。本申请采用宽禁带半导体材料来制作,雪崩区与光子收集区域分开,雪崩倍增结区较小,能制作出比较低雪崩电压的器件,雪崩区域电场均匀性可控性好;同时在雪崩倍增高场区域比较小的同时保证大面积的光探测区域,提高了量子效率;减小雪崩区域的面积,有助于减小暗电流和暗激发,同时对于晶片质量和缺陷的容忍度提高,防止了大面积雪崩倍增高场区在缺陷位置的提前击穿。
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公开(公告)号:CN106784029A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201710038485.7
申请日:2017-01-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/02 , H01L31/0232 , H01L31/08 , G01J1/42
CPC classification number: H01L31/02016 , G01J1/42 , G01J2001/4295 , H01L31/02327 , H01L31/08
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹线列探测装置。该探测装置由八元线列式探测器件、组合聚焦装置、可控温杜瓦单元、前置放大器及读出电路等四部分组成。该线列太赫兹探测装置通过八元铜光锥和聚四氟乙烯透镜组成的聚焦装置会聚入射的太赫兹波;通过平面耦合型碲镉汞探测器件接收太赫兹波并将其转换为电信号,并由前置放大器及读出电路放大并读出;可控温杜瓦单元用于提供合适的工作温度。该种线列探测器件响应范围可覆盖0.03‑4THz,可在近室温及液氮(77‑250K)条件下实现高灵敏度线列扫描式太赫兹探测。
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公开(公告)号:CN106716089A
公开(公告)日:2017-05-24
申请号:CN201580052707.X
申请日:2015-09-28
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor: 北川润也
CPC classification number: G01J5/06 , G01J1/42 , G01J5/0275 , G01J5/10 , G01J5/48 , G01J2005/0048 , G01J2005/0077 , H04N5/2173 , H04N5/243 , H04N5/33 , H04N5/357 , H04N5/359
Abstract: 本发明提供一种防止映入于被摄体而能够获取适合求出被摄体的温度的红外线图像的红外线图像获取装置以及红外线图像获取方法。红外线图像获取装置(10)具备红外线摄像部(12)、对应区域检测部(13)、映入区域检测部(14)以及图像校正部(15)。红外线摄像部(12)获取相对于被摄体的拍摄方向相互不同的第1图像(F11)和第2图像(F12)。对应区域检测部(13)检测第1图像(F11)、第2图像(F12)中的与被摄体对应的第1对应区域(R11)、第2对应区域(R12)。映入区域检测部(14)检测第1图像(F11)中的红外线量比第2图像(F12)中的红外线量多的第1映入区域(RX11)、第2映入区域(RX12)。图像校正部(15)根据第2映入区域(RX12)校正第1映入区域(RX11)。
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公开(公告)号:CN105263396B
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201480031891.5
申请日:2014-05-29
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: G02B27/0068 , A61B3/1015 , A61B3/13 , A61B3/14 , G01J1/42 , G01J9/00 , G01M11/02 , G01M11/0264 , G02B26/06 , G02B27/0927 , G02F1/01 , G02F1/0121 , G02F1/133553 , G02F1/136277 , G02F2201/346 , G02F2203/12 , G02F2203/18
Abstract: 自适应光学系统包括:对入射到包含排列成二维状的N个区域的调制面上的光学像的相位进行空间调制的空间光调制器;从上述空间光调制器接收调制后的上述光学像的波前传感器,该波前传感器包括由与上述N个区域分别对应的N个透镜二维状排列而成的透镜阵列,和对包含由该透镜阵列形成的M个会聚光斑的光强度分布进行检测的光检测元件,上述自适应光学系统基于根据上述光强度分布得到的上述光学像的波前形状,对显示于上述空间光调制器的相位图案进行控制来补偿波前畸变,在上述自适应光学系统中,在执行上述波前畸变的补偿时,确定上述空间光调制器的上述区域与形成于上述波前传感器的上述会聚光斑的对应关系。
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公开(公告)号:CN106556373A
公开(公告)日:2017-04-05
申请号:CN201610907922.X
申请日:2016-10-18
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: G01C1/00 , G01J1/42 , G01J2001/4266
Abstract: 本发明公开了一种太阳光的入射方向和强度的测量方法及装置。在待测位置,通过合理布置5个或5个以上光照度或光强度传感器,采集同一时刻不同传感器的光强信息;结合传感器受光面法向方向矢量等信息,根据太阳入射光与光照传感器间的相互作用关系,建立太阳直射光求解算法,计算出该时刻太阳直射光的光强、入射方向,及环境光的光强等信息。本发明能够通过简单的光照传感器装置测量太阳直射光的入射方向及光强等参数。
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公开(公告)号:CN104205027B
公开(公告)日:2017-03-01
申请号:CN201280071632.6
申请日:2012-10-18
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: G01S17/48 , G01J1/42 , G01J2001/4238 , G01S17/026 , G06F3/0304 , G06F3/0421 , H05B33/0845
Abstract: 本发明提供一种光传感器。在基板(2)的表面(2A)设置有3个发光元件(3)~(5)和1个感光元件(6)。感光元件(6)配置于连结3个发光元件三角形区域(TA1)相接的长方形(RA1)。从3个发光元件(3)~(5)射出的光束的光轴(V1)~(V3)和假定的XY平面(Sxy)的交点垂直地投影到基板(2)的表面(2A)时形成三角形(TA0),形成与该三角形(TA0)相接的长方形(RA0)。对从3个发光元件(3)~(5)射出的光的方向进行设定,以使得长方形(RA0)的纵向和横向尺寸(X0)、(Y0)与长方形(RA1)的纵向和横向尺寸(X1)、(Y1)相比,纵向和横向中至少有一个方向的尺寸较大。(3)~(5)的三角形区域(TA1)的范围内。形成与
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公开(公告)号:CN106449860A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201510553484.7
申请日:2015-09-02
Applicant: 财团法人交大思源基金会
IPC: H01L31/113 , H01L31/0352 , G01J1/42
CPC classification number: H01L31/02162 , H01L31/035227 , H01L31/1129 , H01L31/1136 , G01J1/42
Abstract: 本发明提供一种光感测装置及其应用。光感测装置包含晶体管、硅纳米通道以及滤光染料层。晶体管包含源极、漏极及栅极。硅纳米通道连接源极与漏极设置用于接收光照。滤光染料层位于硅纳米通道接收光照的表面上。本发明的光感测装置以及利用其进行光感测的方法是利用硅纳米通道接收光照,进而改变晶体管的电流,将光信号转换为电信号,并藉由电信号计算光照的强度,藉此感测光。本发明的光感测装置具有高灵敏度,又可动态的进行元件参数调整,具有广大的应用领域与市场。
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