小型化、集成化的硅基场发射-接收器件

    公开(公告)号:CN104658831A

    公开(公告)日:2015-05-27

    申请号:CN201510094671.3

    申请日:2015-03-03

    CPC classification number: H01J1/3042 H01J2201/30403 H01J2201/3048

    Abstract: 一种小型化、集成化的硅基场发射-接收器件,包括:一n型硅衬底;一纳米尖端结构,其制作于n型硅衬底上表面的中间部位,其材料与n型硅衬底的材料相同;一二氧化硅绝缘层,其制作于n型硅衬底上,其中间有一电子发射-接收窗口,该电子发射-接收窗口围绕在纳米尖端结构的周围;一n型掺杂硅片,其制作在二氧化硅绝缘层上,且覆盖二氧化硅绝缘层上的电子发射-接收窗口;一高压源,其正极与n型掺杂硅片连接;一电流表,其正极与高压源连接,负极与n型硅衬底连接。本发明有利于提高大规模研制真空微纳器件过程中的性能和成品率。

    场致电子发射材料和器件
    25.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1311894A

    公开(公告)日:2001-09-05

    申请号:CN99809180.4

    申请日:1999-07-30

    CPC classification number: H01J1/304 H01J2201/30403

    Abstract: 一种场致电子发射材料,具有一带导电表面的基底(1700)。导电表面上的电子发射点分别包括一层电绝缘材料(1703)来确定一在导电表面和绝缘层(1703)之间的第一界面区(1702),以及一在绝缘层(1703)和真空环境之间的第二界面区。处理或生成每一第一界面区(1702)以增强电子从导电表面注入绝缘层(1703)的概率。每一第一界面区(1702)经过这种处理或生成后,要么成为一绝缘体,要么从邻近导电表面的导电性渐变为邻近绝缘层(1703)的绝缘性。

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