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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107851545A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680046423.4
申请日：2016-08-12
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： 勇-霍·亚历克斯·庄 , 银英·肖李 , 刘学峰 , 约翰·费尔登
CPC classification number: G03F7/70008 , H01J1/304 , H01J1/34 , H01J35/065 , H01J37/073 , H01J2201/30411 , H01J2201/3048 , H01J2237/0635
Abstract: 一种电子源形成于具有相对第一表面及第二表面的硅衬底上。至少一个场发射体制备于所述硅衬底的所述第二表面上以增强电子的发射。为防止硅的氧化，使用使氧化及缺陷最小化的过程来将薄的连续硼层直接安置于所述场发射体的输出表面上。所述场发射体可呈现例如棱锥及圆形晶须的各种形状。一或若干任选栅极层可放置于场发射体尖端处或放置成略低于所述场发射体尖端的高度以实现对发射电流的快速准确控制及高发射电流。所述场发射体可经p型掺杂且经配置以在反向偏置模式中操作，或所述场发射体可经n型掺杂。
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公开(公告)号：CN104658831A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510094671.3
申请日：2015-03-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01J1/304
CPC classification number: H01J1/3042 , H01J2201/30403 , H01J2201/3048
Abstract: 一种小型化、集成化的硅基场发射-接收器件，包括：一n型硅衬底；一纳米尖端结构，其制作于n型硅衬底上表面的中间部位，其材料与n型硅衬底的材料相同；一二氧化硅绝缘层，其制作于n型硅衬底上，其中间有一电子发射-接收窗口，该电子发射-接收窗口围绕在纳米尖端结构的周围；一n型掺杂硅片，其制作在二氧化硅绝缘层上，且覆盖二氧化硅绝缘层上的电子发射-接收窗口；一高压源，其正极与n型掺杂硅片连接；一电流表，其正极与高压源连接，负极与n型硅衬底连接。本发明有利于提高大规模研制真空微纳器件过程中的性能和成品率。
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公开(公告)号：CN104658829A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510094612.6
申请日：2015-03-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01J1/304
CPC classification number: H01J1/304 , H01J2201/3048 , H01J2201/30488
Abstract: 一种阶梯状组分渐变的AlN薄膜型冷阴极，包括：一n型SiC衬底；一n型金属电极，其制作在n型SiC衬底下表面；一AlN薄膜型冷阴极，其外延生长在n型SiC衬底上；一金属阳极，其位于AlN薄膜型冷阴极的上面，且不与AlN薄膜型冷阴极接触；一高压源，其正极连接金属阳极；一电流计，其正极连接高压源，负极与n型金属电极连接。本发明是利用负电子亲和势的优势，将电子发射到真空中。
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公开(公告)号：CN104756221B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201380058004.9
申请日：2013-09-06
Applicant: 哈维尔克有限责任公司
Inventor： H.W.P.库普斯
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , C23C14/28 , C23C14/30 , H01B1/14 , H01B1/16 , H01B1/20 , H01B1/22 , H01J9/025 , H01J19/38 , H01J19/57 , H01J43/246 , H01J2201/3048 , H01J2201/30488 , H01J2201/30496
Abstract: 本发明涉及纳米颗粒材料（NGM），其具有通过电荷以在室温下在重叠激子表面轨道状态下由玻色——爱因斯坦——凝聚（BEC）产生的玻色子的形式移动而以与高Tc半导体相比100倍的电流密度传导电流的非凡能力，并且具有光相关导电率。该材料被设置在导电连接之间，并且是纳米晶体复合材料。本发明还涉及包括NGM的电部件和用于使用无机化合物通过施加于基底的微粒束致沉积来制造NGM的方法和装置，所述无机化合物由于其蒸气压而被吸附在基底的表面上，并且其使得晶体传导相被嵌入包围材料的无机绝缘基质中。
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公开(公告)号：CN104756221A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201380058004.9
申请日：2013-09-06
Applicant: 哈维尔克有限责任公司
Inventor： H.W.P.库普斯
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , C23C14/28 , C23C14/30 , H01B1/14 , H01B1/16 , H01B1/20 , H01B1/22 , H01J9/025 , H01J19/38 , H01J19/57 , H01J43/246 , H01J2201/3048 , H01J2201/30488 , H01J2201/30496
Abstract: 本发明涉及纳米颗粒材料（NGM），其具有通过电荷以在室温下在重叠激子表面轨道状态下由玻色——爱因斯坦——凝聚（BEC）产生的玻色子的形式移动而以与高Tc半导体相比100倍的电流密度传导电流的非凡能力，并且具有光相关导电率。该材料被设置在导电连接之间，并且是纳米晶体复合材料。本发明还涉及包括NGM的电部件和用于使用无机化合物通过施加于基底的微粒束致沉积来制造NGM的方法和装置，所述无机化合物由于其蒸气压而被吸附在基底的表面上，并且其使得晶体传导相被嵌入包围材料的无机绝缘基质中。
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