公开(公告)号：CN106487334A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610576432.6

申请日：2016-07-20

申请人： 恩智浦有限公司

发明人： 高远 ,  弗兰克·莱昂 ,  罗伯特·波格但·斯塔泽维斯基

IPC分类号： H03B5/12

CPC分类号： H03B5/1228 ,  H03B5/06 ,  H03B5/1212 ,  H03B5/1265 ,  H03B5/1268 ,  H03B2200/0094 ,  H03B2201/011 ,  H03B2201/012 ,  H03B2201/0266 ,  H03J3/20 ,  H03J2200/10 ,  H03J2200/15 ,  H03L3/00 ,  H03B5/12

摘要： 在实例实施例中，一种设备包括LC电路，该LC电路具有连接在环路中的电容电路和电感电路。在第一模式中，该电感电路中的开关电路提供跨越该LC电路的充电电压，且通过断开该环路中的开关来防止该LC电路的振荡。在第二模式中，该开关电路通过闭合该环路中的该开关来启用该LC电路的该振荡。该可调整电容电路包括电容分支电路，这些电容分支电路被配置成在启用时造成第一量的电容。对于每一电容分支电路，响应于该电容分支电路被停用且该开关电路在该第一模式中工作，初始化电路将该组电容器耦合到对应的参考电压。

公开(公告)号：CN104883129A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201510091978.8

申请日：2015-02-28

申请人： 株式会社岛津制作所

发明人： 土生俊也

IPC分类号： H03B5/08

CPC分类号： H05H1/46 ,  H03B5/06 ,  H03B5/1218 ,  H03B5/1228 ,  H03B5/1296 ,  H03B2200/0094 ,  H03L3/00 ,  H05H1/24 ,  H05H1/30 ,  H05H1/36 ,  H05H2001/4652 ,  H05H2001/4682

摘要： 本发明涉及高频振荡电路。在用于ICP发光分析装置的等离子体生成用途等的大功率用的自激式高频振荡电路中，以低廉的成本来稳定地使自激振荡产生。在包括感应线圈(9)、电容器(36)等的LC共振电路(30)中，配置启动用变压器的次级绕组(38)，对与该绕组(38)磁耦合的初级绕组(5)连接由克拉普振荡电路等构成的启动部(6)。仅在启动时的一定期间内，使启动部(6)动作而通过初级绕组(5)、次级绕组(38)在LC共振电路(30)中感应出高频电流。由此，在与初级绕组(32、33、34、35)磁耦合的全桥驱动电路(10)中的各次级绕组(11、14、17、20)中流过电流，在MOSFET(13、16、19、22)的栅极-源极之间产生电压，MOSFET(13、16、19、22)的导通/截止动作开始，自激振荡开始。

公开(公告)号：CN104821790A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201510026159.5

申请日：2015-01-19

申请人： 瑞士优北罗股份有限公司

发明人： 达历桑德罗·卡尔米内

IPC分类号： H03B5/06

CPC分类号： H03L3/00 ,  H03B5/32 ,  H03B5/36 ,  H03B2200/0082 ,  H03B2200/0094 ,  H03L7/099

摘要： 本方法涉及可靠的晶体振荡器启动方法，其中，将晶体经受的激励电平保持在低位，以避免晶体过载。在应用了参数的启动值(12)之后，控制激励电平，使与启动值相关的激励电平足以确保实现可靠的启动。步进式修改所述参数，以降低激励电平，直到晶体振荡器停止正常运行(17,18)为止。为了判断晶体振荡器是否停止正常运行，将晶体振荡器频率与辅助振荡器频率进行比较。将安全系数加入所述参数中，并将结果作为运行值(19)存储在非易失性存储器中。之后以启动值(13)重新启动晶体振荡器，并在一段延时后应用运行值(14)。可使用与适中激励电平相关的参数初始值确定启动值，并在必要时以步进的形式修改所述参数，以增加激励电平，直到晶体振荡器(20)启动为止。如此确定的启动值同样存储在非易失性存储器中。在后续启动过程中，被存储下来的启动值和运行值可被即刻应用。

公开(公告)号：CN104426479A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310383027.9

申请日：2013-08-29

申请人： 京微雅格(北京)科技有限公司

发明人： 麦日锋 ,  刘明

IPC分类号： H03B5/30

CPC分类号： H03B5/364 ,  H03B5/06 ,  H03B2200/0094

摘要： 本发明披露一种晶体振荡器电路。该电路包括：晶体谐振器电路，产生振荡信号；反相放大电路，第一放大器输入端耦合以接收振荡信号；其中，反相放大器输出反相放大输出信号；偏置电路，具有偏置电路输入端和偏置电路输出端，偏置电路输出端产生由偏置电路输入端控制的偏置电路输出信号，并且偏置电路输出信号耦合到第二放大器输入端；峰值检测电路，比较反相放大输出信号和一个参考信号并且调节峰值检测器输出信号，并且将峰值检测器输出信号送入偏置电路的输入端；其中，所述偏置电路包括自调整电路，用于隔离电源和反相放大器的第二输入端。在一个实施例中，自调整器隔离了电源噪声，因此，晶体振荡器电路有着非常良好的电源噪声抑制能力。

公开(公告)号：CN104124920A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201410166667.9

申请日：2014-04-24

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 小泽治 ,  西冈草志郎

IPC分类号： H03B5/32

CPC分类号： H03B5/364 ,  H03B5/366 ,  H03B2200/0082 ,  H03B2200/0094 ,  H03B2201/0266

摘要： 一种半导体装置，包括：与压电振动器的相应两端连接的第一和第二外部端子，其中压电振动器设置于外部；设置于第一和第二外部端子之间的反相放大器；把反相放大器的输出反馈到反相放大器的输入的反馈电阻；设置于第一外部端子与参考电压端子之间的第一电容元件；与第一电容元件串联地设置的第一电阻元件；设置于第二外部端子与参考电压端子之间的第二电容元件；以及与第二电容元件串联地设置的第二电阻元件。

公开(公告)号：CN104052401A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410095374.6

申请日：2014-03-14

申请人： 飞思卡尔半导体公司

发明人： M·E·施拉曼 ,  方德有 ,  K·L·卡拉维尔

IPC分类号： H03B5/04

CPC分类号： H03L3/00 ,  H03B5/30 ,  H03B2200/0094

摘要： MEMS谐振器系统包括MEMS谐振器、启动电路、反馈电路、振荡器以及开关。所述MEMS谐振器系统被配置为提供有频率和周期的脉冲的启动信号，以便传送给所述MEMS谐振器的能量在短时间被优化，这就缩短了振荡器的启动时间。当所述MEMS谐振器的振荡已实现的时候，所述MEMS谐振器系统被配置为断开所述启动信号，并且在反馈电路中切换以将所述MEMS谐振器维持在振荡状态。

公开(公告)号：CN102118131A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200910265995.3

申请日：2009-12-31

申请人： 意法-爱立信公司 ,  上海恩法半导体科技有限公司

发明人： 黄水文 ,  黄林

IPC分类号： H03B5/04 ,  H03B5/36

CPC分类号： H03L7/00 ,  H03B5/364 ,  H03B2200/0094 ,  H03L3/00

摘要： 本发明提供一种缩短晶体振荡器的启动时间的方法。一种振荡器电路，包括：放大器，其包括至少两个用于接收晶体的端子；以及自动振幅控制环路，其耦合到放大器，并包括在第一运行模式和第二运行模式之间切换的偏置电路。第一运行模式在初始时间段发生，第二运行模式在初始时间段结束之后发生。偏置电路包括第一和第二PMOS晶体管电路，每个晶体管电路包括非切换式PMOS晶体管和切换式PMOS晶体管。可选择地，偏置电路可以包括第一和第二NMOS晶体管电路，每个晶体管电路包括非切换式NMOS晶体管和切换式NMOS晶体管。偏置电路处于内部产生的控制信号的控制之下。

公开(公告)号：CN1268807A

公开(公告)日：2000-10-04

申请号：CN00104770.1

申请日：2000-03-28

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 东川牧世 ,  藤原洋治

IPC分类号： H03B5/36

CPC分类号： H03B5/364 ,  H03B2200/0082 ,  H03B2200/0094

摘要： 配置了三态逻辑反相器缓冲器12和ON/OFF(导通/截止)控制电路11。在振荡起动的过程中,三态逻辑反相器缓冲器12导通工作,振荡器电路按照与逻辑反相器13的增益综合的增益起动。由于用于逻辑器件的电源是恒定的,用于下一级的输出信号的中心电位不变,并因此维持恒定。在用于稳定晶体振荡器电路所需的持续固定的一段时间之后,由所述ON/OFF控制电路11截止三态逻辑反相器缓冲器12,使得仅按照CMOS逻辑反相器13的增益持续振荡运行。因此,可以降低功耗。