公开(公告)号：CN101241726A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200810085688.2

申请日：2008-02-01

申请人： 希捷科技有限公司

发明人： P·M·琼斯 ,  C·尼斯特利卡 ,  Y-T·赫沙

IPC分类号： G11B9/00 ,  G11B9/02

CPC分类号： G11B9/02 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/1409 ,  G11B9/1436 ,  Y10T428/11

摘要： 一种装置，包括变换器和/或存储介质，其中变换器具有附连其上的多个聚合物绳，存储介质具有附连其上的多个聚合物绳。当该装置包括变换器和存储介质两者时，附连到变换器上的多个聚合物绳可被定位成与附连到存储介质上的多个聚合物绳相互作用。该变换器可以是数据存储设备的探针。该存储介质可以是铁电存储介质。

公开(公告)号：CN101168488A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200710168369.3

申请日：2007-11-16

申请人： 华中科技大学

发明人： 于军 ,  杨斌 ,  郑朝丹 ,  李佳 ,  王耘波 ,  高俊雄 ,  周文利

IPC分类号： C04B41/50 ,  C04B35/462 ,  G11B9/02

摘要： 本发明公开了一种铁电存储器用柱状掺钕钛酸铋铁电薄膜的制备方法，属于微电子新材料与器件范围。本发明铁电存储器用柱状掺钕钛酸铋铁电薄膜使用溶胶凝胶方法制备，前躯体溶液浓度为0.04～0.05摩尔/升，在每次旋转涂覆后，都对经过烘烤、热解的薄膜进行退火处理，退火时，把薄膜样品从室温、大气环境中直接放入已升温至645～655℃的管式炉中，在空气气氛下，退火5～10分钟。本发明铁电存储器用柱状掺钕钛酸铋铁电薄膜为择优取向的多晶薄膜，晶粒呈柱状且尺寸较大，具有疲劳特性较好和结晶温度较低的优点，可与现有CMOS工艺兼容。

公开(公告)号：CN1767025A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510102838.2

申请日：2005-09-13

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 高亨守 ,  丁柱焕 ,  洪承范 ,  朴弘植 ,  朴哲民 ,  白庚录

IPC分类号： G11B9/02

CPC分类号： B82Y10/00 ,  G11B9/02 ,  G11B9/1409 ,  G11B9/1472

摘要： 提供了一种铁电记录介质，包括：铁电记录层，由极性可反转的铁电材料形成；各向异性导电层，覆盖铁电记录层并能够基于外部的能量变成导电体或非导电体。

公开(公告)号：CN114730567B

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202080080478.3

申请日：2020-12-15

申请人： 西部数据技术公司

发明人： A·卡利佐夫 ,  K·斯里尼瓦桑 ,  B·普拉萨德

IPC分类号： G11B5/127 ,  H01M4/02 ,  G11C11/16 ,  G11B9/14 ,  G11B9/02 ,  G11B5/86 ,  G11B5/40

摘要： 一种数据存储驱动器包括磁记录介质，该磁记录介质包括在底部电极层与顶部电极层之间的铁电层。对该铁电层施加的电压产生转移到靠近该铁电层形成的铁磁记录层的应变。转移到该记录层的应变的变化会改变该记录层的磁特性。可选择性地向全部或部分铁电层施加电压，以将该铁磁记录层置于低矫顽磁力状态以辅助写入数据。基于对在底部电极层与顶部电极层之间包括铁电层的磁记录介质的控制来提供电压辅助磁记录(VAMR)。

公开(公告)号：CN113948114A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202110794412.7

申请日：2021-07-14

申请人： 铁电存储器股份有限公司

发明人： M·门内加 ,  J·奥克

IPC分类号： G11C5/02 ,  G11C5/06 ,  G11C5/14 ,  G11B9/06 ,  G11B9/02 ,  G11C16/10 ,  G11C16/14

摘要： 提供了一种存储器单元布置，该存储器单元布置可包括：多条第一控制线；多条第二控制线；多条第三控制线；多个存储器单元集中的每个存储器单元集包括存储器单元并且分配给多条第一控制线中的对应的一条第一控制线，并且包括可经由对应的第一控制线、多个第二控制线中的对应的一条第二控制线和多条第三控制线寻址的至少第一存储器单元子集，以及可经由对应的第一控制线、多条第二控制线和多条第三控制线中的对应的一条第三控制线寻址的至少第二存储器单元子集。多条第三控制线中的对应的一条第三控制线对多个存储器单元集中的每个存储器单元集的第二存储器单元子集进行寻址。

公开(公告)号：CN101114483B

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN200710139868.X

申请日：2007-07-24

申请人： 希捷科技有限公司

发明人： M·A·希尔格勒

IPC分类号： G11B9/02

CPC分类号： G11B5/02 ,  G11B5/314 ,  G11B5/65 ,  G11B5/82 ,  G11B2005/0002

摘要： 一种设备包括：包括压电材料和铁磁材料的数据存储介质、用于向该数据存储介质的一部分施加电场的电场源、以及用于向数据存储介质的该部分施加磁场的写入极。也提供了由该装置执行的方法。

公开(公告)号：CN101025969B

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN200610160367.5

申请日：2006-11-15

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 南润宇 ,  闵桐基

IPC分类号： G11B9/02 ,  G12B21/02 ,  G01N13/10

CPC分类号： G11B9/02 ,  G01Q80/00 ,  G11B9/1409 ,  G11B11/007 ,  G11B2005/0021

摘要： 本发明提供了一种使用半导体探针再现信息的方法和设备。该设备包括：存储介质，包括铁电记录层，其中通过排列极化畴的极化方向来存储信息，和形成于铁电记录层上的物理记录层，通过形成凹点来在其上写入信息；产生复合信号的半导体探针，复合信号包括由存储介质的铁电记录层的电场变化产生的电场信号和由于物理记录层的形状变化引起的温度变化产生的热信号；信号探测器，探测由半导体探针产生的复合信号；解调器，解调由信号探测器探测的复合信号且从复合信息提取电场信号和热信号。通过调制将由场变化产生的信号和由热变化产生的信号彼此分离且探测了有效的信息信号，从而改善了信噪比，即使在存在热噪声的情况下也可以稳定地再现信息信号。

公开(公告)号：CN1767025B

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200510102838.2

申请日：2005-09-13

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 高亨守 ,  丁柱焕 ,  洪承范 ,  朴弘植 ,  朴哲民 ,  白庚录

IPC分类号： G11B9/02

CPC分类号： B82Y10/00 ,  G11B9/02 ,  G11B9/1409 ,  G11B9/1472

摘要： 提供了一种铁电记录介质，包括：铁电记录层，由极性可反转的铁电材料形成；各向异性导电层，覆盖铁电记录层并能够基于外部的能量变成导电体或非导电体。

公开(公告)号：CN1604212B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200410092149.3

申请日：2004-09-06

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 洪承范 ,  金成栋 ,  丁柱焕 ,  闵桐基 ,  朴弘植 ,  白庚录 ,  朴哲民 ,  金鈗锡

IPC分类号： G11B9/02 ,  G11B11/00

CPC分类号： B82Y10/00 ,  G11B9/02 ,  G11B9/14 ,  G11B9/1409 ,  G11B9/149 ,  G11B13/00 ,  G11B2005/0021

摘要： 提供一种使用探针技术在存储装置上写入数据的方法。在将数据写入到存储装置上的方法中，该存储装置包括一用于读写数据的阻性探针，一通过阻性探针将数据写到上面的铁电写介质和一个安置在铁电写介质下表面上的降低电极，通过在阻性探针和降低电极上施加一电压，同时将热量和电场施加到铁电写介质上用于写数据的区域。

公开(公告)号：CN101320577A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810142887.2

申请日：2008-02-22

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 西蒙·比尔曼 ,  张银珠 ,  田信爱 ,  洪承范 ,  金容宽

IPC分类号： G11B9/02

CPC分类号： G11B9/02

摘要： 提供一种具有铁电纳米点的铁电信息存储介质和一种制造该铁电信息存储介质的方法。该铁电信息存储介质包括衬底，形成在衬底上的电极，以及形成在电极上的铁电纳米点，其中铁电纳米点彼此相互分离，并且多个铁电纳米点形成单个位区。