硅基光子分子的设置与制备方法

    公开(公告)号:CN101114102A

    公开(公告)日:2008-01-30

    申请号:CN200710025127.9

    申请日:2007-07-13

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 硅基光子分子的设置方法,以气相共形薄膜生长制备的光子分子,在玻璃和硅衬底设有直径尺寸为0.5-5μm,高度为0.4-2μm的柱形平台,并以共形薄膜生长方法制备含两个或多个有源层为a-SiNz的三维限制微腔结构:即形成两个有源层的三维DBR限制结构的微腔;设有两个DBR位于两个有源层两侧微腔的谐振波长为λ,DBR包括4±10个周期的中低折射率层和高折射层的a-SiNx和a-SiNy薄膜,每个折射层厚度为λ/4n);n是折射率,有源层是折射率在低折射率层和高折射层的折射率之间a-SiNz薄膜,厚度为λ/(2n);两个有源层之间的距离为m个周期,DBR的厚度d=m×L,m为0.5-9.5,L为一个周期高低折射率薄膜的厚度。

    一种低电压、高增益电荷泵电路

    公开(公告)号:CN101106323A

    公开(公告)日:2008-01-16

    申请号:CN200710023138.3

    申请日:2007-06-06

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种电荷泵电路结构,包括辅助电荷泵、电平移位器和主电荷泵,辅助电荷泵为电平移位器提供次高电平(VDD),并用于改善主电荷泵低阶开关(P1,P2)控制时钟的摆幅,加速其启动过程;主电荷泵启动后又反过来为电平移位器提供最高电平(VCP),最终改善了主电荷泵高阶开关(P3,P4)控制时钟的摆幅。本发明能有效控制开关管的电导,提高电压增益,避免了高阶电荷泵通常遇到的低效率、启动时间长等缺陷,具有高电源增益,启动时间短等特征,并且适合于低电压应用环境。

    接口可配置的通用串行总线控制器

    公开(公告)号:CN101071406A

    公开(公告)日:2007-11-14

    申请号:CN200710019710.9

    申请日:2007-02-06

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种接口可配置的USB控制器,包含USB标准收发单元接口控制模块、端点(ENDPOINT)控制逻辑模块、控制状态机模块、可配置位宽的接口控制模块;USB标准收发单元接口控制模块接收从主机传来的数据包,并进行解析,在控制状态机模块的控制下将数据分发到各端点控制逻辑模块,并且通过接口控制模块与微处理器和FIFO(先进先出单元)进行通讯。本发明符合USB2.0规范要求,支持高达480Mbps的传输速率,它提供了可配置的微处理器接口和先进先出(FIFO)接口,能够以IP核的形式方便地与多种微控制器核相连接集成,并且也易于集成在AMBATM、VCITM、OCPTM等多种片上系统(SOC)体系架构中。

    用335型弱碱性阴离子交换树脂处理酞菁绿废水中铜的方法

    公开(公告)号:CN1544347A

    公开(公告)日:2004-11-10

    申请号:CN200310106344.2

    申请日:2003-11-19

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 一种用335型弱碱性阴离子交换树脂处理酞菁绿废水中铜的方法,其特征在于:首先将335型弱碱性阴离子交换树脂进行预处理:选用335型弱碱性阴离子交换树脂放入吸附柱中,然后用稀盐酸以低流速流经装有335型碱性阴离子交换树脂的吸附柱,后用水或去离子水清洗该树脂柱,然后用稀碱液以低流速处理该树脂柱,最后用水或去离子水清洗该树脂柱直至出水呈弱碱性;调节酞菁绿废水的pH值,使之以低流速通过上述预处理后的离子交换树脂柱,并控制其处理温度,再经另外一个离子交换树脂吸附柱,可使酞菁绿废水中的铜离子基本去除;再对饱和的离子交换树脂柱脱附及再生以便下次重复使用。具有工艺简单,投资少,见效快的特点,能一次达到排放标准并可作为制备聚合氯化铝絮凝剂的前道工序,有利于废物利用和环境保护。

    利用电沉积技术制备可调电子和光子带隙的三维半导体量子点光子晶体的方法

    公开(公告)号:CN1387069A

    公开(公告)日:2002-12-25

    申请号:CN02137805.3

    申请日:2002-06-20

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 利用电沉积技术制备可调电子和光子带隙的三维半导体量子点光子晶体的方法:由胶体化学方法制备II-VI族半导体CdSe、CdS或ZnO等量子点,得到单分散性高的电子带隙可调的半导体量子点;用胶体化学方法,分别通过正硅酸乙酯水解和苯乙烯单体聚合制备尺寸在200-400纳米的溶胶SiO2和PS小球;通过自然沉积法,由溶胶SiO2和PS小球自组织晶化,沉积在ITO导电玻璃上制备成三维光子晶体模板;然后用电沉积法将半导体量子点填充入PS模板。本发明方法得到的CdSe等光子晶体的电子带隙可调,使其覆盖可见光范围,本发明材料在器件应用上有了更为广泛的空间。

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