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公开(公告)号：CN103094076B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201110363887.7
申请日：2011-11-02
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/02
摘要： 本发明涉及一种用于在0.18μm工艺MIM电容中形成氮化硅薄膜的方法，其特征在于，分别通过第一管路和第二管路向等离子化学气相沉积PECVD反应腔中通入SiH4气体和NH3气体，所述SiH4和NH3在所述反应腔中发生化学反应所生成的氮化硅沉积在所述MIM电容的下电极金属层上形成氮化硅薄膜，其中：向所述第一管路和所述第二管路之一另外通入N2气体；并且通过调节SiH4气体、NH3气体以及N2气体的流速、PECVD反应腔的压力和温度使得氮化硅沉积的速度降低。本发明还提供了一种MIM电容的形成方法。
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公开(公告)号：CN105097776A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410178535.8
申请日：2014-04-29
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/532 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76834 , H01L21/02131 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/76801 , H01L23/5283 , H01L23/53295 , H01L27/1248 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种绝缘体上硅器件的金属间介质层结构，包括覆盖金属互连的富硅氧化物层、富硅氧化物层上的氟硅玻璃层、及氟硅玻璃层上的非掺杂硅酸盐玻璃层，所述富硅氧化物层的厚度为700埃±10％。本发明还涉及一种绝缘体上硅器件，以及一种绝缘体上硅器件的金属间介质层的制造方法。本发明厚度较大的富硅氧化物层可以将可动离子俘获在不饱和键上，使得可动离子难以穿过富硅氧化物层，实现了阻挡可动离子的目的。在栅氧化层完整性评估中有良好的表现，避免了可动离子在界面处的聚集造成器件的损坏。
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公开(公告)号：CN105095537A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410194101.7
申请日：2014-05-08
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G06F17/5009 , G06F17/5036 , G06F2217/78 , H01L27/0207 , Y02E60/76 , Y04S40/22
摘要： 本发明提供一种高压器件的仿真模型和高压器件仿真模型的建模方法。仿真模型包括：核心晶体管；漏端电阻，漏端电阻的第一端电连接到核心晶体管的漏极并且漏端电阻的第二端用作高压器件的漏极；源端电阻，源端电阻的第一端电连接到核心晶体管的源极并且源端电阻的第二端用作高压器件的源极。漏端电阻的电阻值关系式是：RD＝(RD0/W)*(1+CRD*VDERDD+1/(1+PRWDD*VDERDD))*TFAC_RD，TFAC_RD＝(1+TCRD1*(TEMP-25)+TCRD2*(TEMP-25)*(TEMP-25))。仿真模型采用改进的电阻值关系式来修正外接电阻的电阻值，提高了高压器件模型的仿真精度。
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公开(公告)号：CN105092111A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410196810.9
申请日：2014-05-09
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司
发明人： 苏佳乐
摘要： 本发明提供一种电容式压力传感器和其制作方法，该电容式压力传感器包括：绝缘衬底；下电极，其形成在所述绝缘衬底上；半导体衬底，在其第一表面上形成有凹槽，所述半导体衬底的所述第一表面与所述下电极相对且键合至所述绝缘衬底，且所述下电极容纳在所述凹槽内并与所述半导体衬底之间存在间隙；上电极，其为形成在所述凹槽对应的半导体衬底中的掺杂区；以及上电极引线和下电极引线，其分别连接至所述上电极和所述下电极。该电容式压力传感器通过将上电极和下电极分别形成在半导体衬底和绝缘衬底上，可以避免使用成本昂贵的TSV技术来隔离。并且采用本发明的技术可以避免工艺较为复杂的深坑刻蚀，进而可以避免因刻蚀而影响电容的特性。
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公开(公告)号：CN104916674A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510181744.2
申请日：2015-04-17
申请人： 东南大学 , 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/08
CPC分类号： H01L29/7393 , H01L29/0607 , H01L29/0808
摘要： 一种电流增强型横向绝缘栅双极型晶体管，在维持闩锁能力不变的前提下，提高电流密度和关断速率。该半导体具备：在P型衬底上设有埋氧，埋氧上设有N型漂移区，其上设有P型体区和N型缓冲区，N型缓冲区内设有P型集电极区，P型集电极区上连接有阳极金属，在N型漂移区的上方设有场氧层，在P型体区内设有P型阱区，P型阱区内设有P型发射极区和发射极区，上述4区域的内侧边界同步内陷形成方形凹槽，发射极区围绕凹槽依次定义为第一P型发射极区、第二三四N型发射极区、第五P型发射极区，N型漂移区外凸并充满方形凹槽，P型体区表面设有栅氧化层，在栅氧化层表面设有多晶硅层，在多晶硅层上连接有栅金属。
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公开(公告)号：CN102723353B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201110078650.4
申请日：2011-03-30
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明实施例公开了一种高压功率LDMOS器件及其制造方法。所述高压功率LDMOS器件包括：基底；位于基底内的渐变漂移区，所述渐变漂移区包括掺杂类型相同的漏端阱区和源端阱区，所述漏端阱区和源端阱区相连通，且所述漏端阱区的深度大于源端阱区的深度；位于所述渐变漂移区上的场氧化层。本发明所提供的高压功率LDMOS器件及其制造方法，具有工艺简单、成本较低的优点；且工艺过程容易控制，可使器件的击穿电压和导通电阻等关键参数保持较好的稳定性。
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公开(公告)号：CN104883134A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201410069311.3
申请日：2014-02-27
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种陀螺仪前置放大电路，所述陀螺仪前置放大电路包括实现电荷信号到电压信号的转换的第一电路和实现对低频噪声的有效滤除的第三电路，所述第一电路的输出端与所述第三电路的输入端相连。本发明还提供一种包含所述陀螺仪前置放大电路的电子装置。根据本发明，使得陀螺仪的前置放大电路在没有采用低噪声前置放大器的情况下，仍然可以满足系统噪声的要求，极大地降低了陀螺仪前置放大电路的设计难度。
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公开(公告)号：CN104882479A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201410073866.5
申请日：2014-02-28
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
摘要： 本发明提供的HVPMOS器件及其制造方法，所述HVPMOS器件包括：P型衬底，设置在底部；缓冲层，设置在所述P型衬底上方；N型阱区，设置在所述缓冲层上方；侧面隔离区，设置在所述N型阱区外侧；栅极，设置在所述N型阱区之上；源区，设置在所述栅极左侧；漏区，设置在所述栅极右侧，所述漏区包括位于N型阱区内的漂流层，设置在所述漂流层上方的场氧化层和P型重掺杂区；其特征在于，在所述HVPMOS器件的漂流层有P型杂质注入，所述P型杂质注入面密度为(1.2-1.6)×1014cm-2量级。通过在漂移区进行P型杂质注入的浓度，可以非常有效地减低HVPMOS器件的导通电阻和提高击穿电压等性能参数。
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公开(公告)号：CN104848847A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201410056419.9
申请日：2014-02-19
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司
IPC分类号： G01C19/5776
CPC分类号： G05B19/04
摘要： 本发明提供一种陀螺仪传感器控制电路和电子装置，涉及传感器技术领域。本发明的陀螺仪传感器控制电路，包括选通电路、电荷放大电路、积分器电路和模数转换电路，其中，所述选通电路的输入端与陀螺仪传感器的输出端相连，所述选通电路的输出端与所述电荷放大电路的输入端相连，所述电荷放大电路的输出端与所述积分器电路的输入端相连，所述积分器电路的输出端与所述模数转换电路的输入端相连。本发明的陀螺仪传感器控制电路，通过采用积分器电路代替现有技术中的混频电路、锁相环电路和低通滤波器，节省了电路面积，降低了电路功耗，并提高了系统信噪比。本发明的电子装置，使用了该陀螺仪传感器控制电路，同样具有上述优点。
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公开(公告)号：CN103390588B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201210141757.3
申请日：2012-05-09
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司
发明人： 郭术明
IPC分类号： H01L21/8246 , G06F17/50
CPC分类号： H01L27/115 , G06F17/5068 , G11C17/12 , H01L27/0207 , H01L27/11233
摘要： 本发明提供一种基于OTP存储器制作MROM存储器的方法，依据OTP存储器版图，去除所述用于存储数据“0”的OTP存储单元的第二MOS管的浮栅以使该OTP存储单元转化为用于存储数据“0”的MROM存储单元，并保留所述OTP存储器版图中用于存储数据“1”的OTP存储单元的原有结构作为用于存储数据“1”的MROM存储单元，以形成MROM存储器版图，然后依据MROM存储器版图制作MROM存储器。本发明对经过调试、存储数据确定好的OTP存储器版图修改成MROM存储器版图，在制作过程中只需要修改一层掩膜就可以把制作OTP的工艺转化为制作MROM的工艺。本发明大大的节省了器件的编程、测试的时间和成本，简化了工艺过程，从而大大地降低了产品的成本，提高了利润。
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