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公开(公告)号:CN111398977A
公开(公告)日:2020-07-10
申请号:CN202010281405.2
申请日:2020-04-10
申请人: 深圳市灵明光子科技有限公司
IPC分类号: G01S17/10 , G01S17/89 , G01S7/4863 , G01S7/4865
摘要: 本发明公开了一种可提高分辨率的成像装置及其成像方法和探测设备。其中,成像装置包括:发射端,包括多个光发射器,用于照射设定区域;处理模块,用于控制各光发射器的工作时序,每次使至少一个光发射器工作;分光模块,用于将光发射器发射的光进行分光处理,使其呈阵列方式分区域照射所述设定区域;接收端,用于接收所述设定区域的目标物体的反射光,并根据曝光区域生成影像;所述处理模块,还用于根据影像和光传播时间获取目标物体的图像和距离。本发明通过发射端在不同时间段内发射光信号,经分光模块调制使光信号以阵列方式分区照射目标物体的设定区域,来使接收端分区曝光实现深度成像和测距,从而提高了图像分辨率。
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公开(公告)号:CN109659377A
公开(公告)日:2019-04-19
申请号:CN201811524540.4
申请日:2018-12-13
申请人: 深圳市灵明光子科技有限公司
IPC分类号: H01L31/0232 , H01L31/107 , H01L27/144 , H01L27/146 , H01L31/18
摘要: 本发明公开了一种单光子雪崩二极管及制作方法、探测器阵列、图像传感器,其中,背照式单光子雪崩二极管设置有陷光结构和侧壁反射墙,入射光经过陷光结构反射、散射、折射后被分散到各个角度,加上侧壁反射墙的反射作用,可以延长光在背照式单光子雪崩二极管中的有效光程,从而提高了光在背照式单光子雪崩二极管中的吸收效率;一种背照式单光子雪崩二极管的制作方法,实现了背照式单光子雪崩二极管的制作。而包含背照式单光子雪崩二极管的光电探测器阵列和图像传感器,由于具有背照式单光子雪崩二极管,有效提高了光电探测器阵列和图像传感器的光吸收效率。
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公开(公告)号:CN118642993A
公开(公告)日:2024-09-13
申请号:CN202410887150.2
申请日:2024-07-03
申请人: 深圳市灵明光子科技有限公司
摘要: 本申请涉及通信技术领域,提供了一种dToF智能模组通信方法、装置、dToF智能模组及存储介质。本申请通过在主控制器端与dToF智能模组之间的通讯协议数据包中添加校验值字节,任何一端在接收到对端发送的数据包时,按照相同的校验算法进行校验值计算,并与接收到的数据包中携带的校验值进行比对。如果两者一致,则认为数据传输是可靠的;否则,认为数据传输存在问题,主控制器端会发起多次重试的机制,从而确保通信的稳定可靠。本申请提高了嵌入式系统中主控制器端与dToF智能模组之间通过SPI或I2C通信协议进行通信的可靠性,确保了数据传输的完整性和准确性。
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公开(公告)号:CN113504532B
公开(公告)日:2024-04-19
申请号:CN202110658120.0
申请日:2021-06-11
申请人: 深圳市灵明光子科技有限公司
IPC分类号: G01S7/484 , G01S17/10 , G01S17/894
摘要: 本申请提高了一种基于直接飞行时间法的光信号调制方法及测距系统,其中,所述调制方法包括:发射粗激光;获取多个细激光调制参数,其中,所述细激光调制参数根据反射回的粗激光进行设置;根据所述多个细激光调制参数分别对多个细激光分别进行调制,从而得到可区分的多个细激光;发射调制后的所述多个细激光。本申请通过发射多个细激光,使得接收模块可将多次接收到的细激光进行处理,进而得到多个图像,可通过图像增强和图像合成得到更精确的测距结果;并且对多个细激光进行了不同的调制,使得所述多个细激光之间产生区别,实现了对多个细激光的区分。
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公开(公告)号:CN109659377B
公开(公告)日:2024-04-16
申请号:CN201811524540.4
申请日:2018-12-13
申请人: 深圳市灵明光子科技有限公司
IPC分类号: H01L31/0232 , H01L31/107 , H01L27/144 , H01L27/146 , H01L31/18
摘要: 本发明公开了一种单光子雪崩二极管及制作方法、探测器阵列、图像传感器,其中,背照式单光子雪崩二极管设置有陷光结构和侧壁反射墙,入射光经过陷光结构反射、散射、折射后被分散到各个角度,加上侧壁反射墙的反射作用,可以延长光在背照式单光子雪崩二极管中的有效光程,从而提高了光在背照式单光子雪崩二极管中的吸收效率;一种背照式单光子雪崩二极管的制作方法,实现了背照式单光子雪崩二极管的制作。而包含背照式单光子雪崩二极管的光电探测器阵列和图像传感器,由于具有背照式单光子雪崩二极管,有效提高了光电探测器阵列和图像传感器的光吸收效率。
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公开(公告)号:CN117554933A
公开(公告)日:2024-02-13
申请号:CN202311547531.8
申请日:2023-11-20
申请人: 深圳市灵明光子科技有限公司
摘要: 本发明提供一种测距直方图的底噪计算方法与装置,方法包括:向目标发射激光脉冲信号;接收经所述目标反射回的回波信号并对所述回波信号的飞行时间进行直方图统计,得到测距直方图;按预设统计规则对所述测距直方图进行光子数统计,并去除统计结果中与所述回波信号对应的光子数,得到底噪的光子数累加值;根据所述底噪的光子数累加值计算底噪统计范围内每个时间箱的光子数平均值,得到平均底噪。通过去除光子数统计结果中回波信号的光子数,使得直方图的底噪提取更加准确,有效避免多回波信号因底噪计算误差被丢弃。
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公开(公告)号:CN117276397A
公开(公告)日:2023-12-22
申请号:CN202310108579.2
申请日:2023-01-17
申请人: 深圳市灵明光子科技有限公司
IPC分类号: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/107 , H01L21/266 , H01L21/265
摘要: 本申请涉及半导体制作领域,公开了一种单光子雪崩二极管器件及其制作方法,包括:在衬底的表面形成依次层叠的第一介质层和图形化第二介质层;利用图形化第二介质层的遮挡,对衬底依次进行N型掺杂和P型掺杂,形成PN结;N型掺杂区域和P型掺杂区域沿衬底的厚度方向分布;腐蚀图形化第二介质层,形成开口变大的图形化第二介质层;利用开口变大的图形化第二介质层,对衬底进行N型轻掺杂,形成保护环;去除第一介质层和图形化第二介质层;进行后续工艺处理,得到单光子雪崩二极管器件。本申请在制作保护环时直接腐蚀图形化第二介质层,使图形化第二介质层的开口变大,进而制作出保护环,不需通过制作光刻胶来制作保护环,降低制作成本。
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公开(公告)号:CN116701217A
公开(公告)日:2023-09-05
申请号:CN202310700598.4
申请日:2023-06-13
申请人: 深圳市灵明光子科技有限公司
摘要: 本申请提供了飞行时间模组的测试数据分析方法及设备,该方法包括:预先设置多个测试指标,并设置相应的测试标准;解析测试数据,获得不同的测试环境下、不同的指定位置下的所有直方图数据,对所有的直方图数据进行分析,获得多个不同类型的待处理数据,并将不同的测试环境、不同的指定位置、对应的待处理数据进行一一关联;根据每个待处理数据,计算对应的测试指标值;判断每个测试指标值是否满足测试标准,并存储测试判断结果;将不同的测试环境、不同的指定位置、对应的测试指标值、对应的测试判断结果进行关联,生成测试报告。采用本申请可以提高测试数据的分析效率,并且更加准确地对飞行时间模组的测试数据进行分析。
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公开(公告)号:CN116666404A
公开(公告)日:2023-08-29
申请号:CN202310914212.X
申请日:2023-07-25
申请人: 深圳市灵明光子科技有限公司
IPC分类号: H01L27/144 , H01L27/02 , H01L31/107 , H10N97/00 , H01L31/18 , H01L21/822
摘要: 本申请涉及SPAD领域,公开了一种SPAD阵列及其制作方法,SPAD阵列包括多个SPAD单元组件;每个SPAD单元与临近的SPAD单元通过多个沟槽隔离区隔开;SPAD单元组件包括:SPAD单元和淬灭电阻;在横截面上,SPAD单元呈现规则形状;淬灭电阻设于SPAD单元的一边或多边;淬灭电阻包括由下至上依次层叠的第一多晶硅电阻、隔离介质层和第二多晶硅电阻;第一多晶硅电阻的第一端作为淬灭电阻的一端;第一多晶硅电阻的第二端通过第二金属与第二多晶硅电阻的第一端连接;第二多晶硅电阻的第二端作为淬灭电阻的另一端;淬灭电阻的一端通过第一金属与SPAD单元的阴极电连接或外接高压;淬灭电阻的另一端通过第三金属外接高压或与SPAD单元的阴极电连接。
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公开(公告)号:CN116559846A
公开(公告)日:2023-08-08
申请号:CN202310408055.5
申请日:2023-04-17
申请人: 深圳市灵明光子科技有限公司
IPC分类号: G01S7/497 , G01S17/08 , G01S17/931
摘要: 本发明提供一种用于全固态激光雷达的光子探测方法、装置与激光雷达,方法包括:对SPAD阵列进行标定,确定与激光器中每个发光的光斑或光条对应的感光像素所包括的SPAD单元,并作为初始开启区域记录下来;开启初始开启区域的SPAD单元对目标进行探测;获取已开启的SPAD单元输出的直方图数据;根据直方图数据,自适应调整下一次曝光时开启的SPAD单元的位置,当下一次开启的SPAD单元的直方图数据中信噪比满足设定值时,下一次开启的SPAD单元为需要的SPAD单元;根据需要的SPAD单元输出的直方图数据,计算得到目标的距离信息。通过对SPAD阵列进行区域标定,在每次曝光时基于信噪比自适应调整SPAD单元的开启位置进行光子接收,确保探测效果的同时有效降低探测功耗与数据量。
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