超导稳定化材料、超导线及超导线圈

    公开(公告)号:CN111279002B

    公开(公告)日:2022-12-02

    申请号:CN201880069609.0

    申请日:2018-10-30

    Abstract: 本发明提供一种用于超导线的超导稳定化材料,其由铜材料构成,所述铜材料在总计3质量ppm以上且100质量ppm以下的范围内含有选自Ca、Sr、Ba及稀土元素中的一种或两种以上的添加元素,且剩余部分为Cu及不可避免杂质,除了气体成分的O、H、C、N及S以外的所述不可避免杂质的总浓度为5质量ppm以上且100质量ppm以下,所述超导稳定化材料的半软化点温度为200℃以下,维氏硬度为55Hv以上,剩余电阻比(RRR)为50以上且500以下。

    金属基底基板
    33.
    发明公开
    金属基底基板 审中-实审

    公开(公告)号:CN115399077A

    公开(公告)日:2022-11-25

    申请号:CN202180025264.0

    申请日:2021-03-31

    Abstract: 本发明的金属基底基板为通过依次层叠金属基板、绝缘层及电路层而成的金属基底基板,所述绝缘层包含绝缘树脂和无机物填料,绝缘层在100℃的弹性模量(单位:GPa)、电路层在100℃的弹性模量(单位:GPa)、绝缘层的厚度(单位:μm)、电路层的厚度(单位:μm)、金属基板的厚度(单位:μm)被设定为满足规定的式子。

    海绵状钛片材及水电解用电极、水电解装置

    公开(公告)号:CN115298362A

    公开(公告)日:2022-11-04

    申请号:CN202180020830.9

    申请日:2021-03-09

    Abstract: 能够与其他部件充分接触且能够使液体和气体良好地流通并扩散的海绵状钛片材由钛或钛合金的烧结体构成,并且呈具有连通气孔的三维网状结构,所述连通气孔在所述海绵状钛片材的表面开口且与内部的气孔连通,所述海绵状钛片材的气孔率在70%以上且95%以下的范围内,平均气孔直径在50μm以上且600μm以下的范围内,根据平均厚度t和翘曲量w算出的平面度F=w/t为1以下。

    硫化锂的制造方法
    36.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115279688A

    公开(公告)日:2022-11-01

    申请号:CN202180021546.3

    申请日:2021-02-02

    Abstract: 硫化锂的制造方法包括:准备工序(步骤S12),将原料和还原剂投入到炉中,所述原料以具有到120℃为止重量减少5%以上且25%以下的特性的硫酸锂为主成分;及升温工序(步骤S14),在炉中,将原料和还原剂进行加热以使其升温。

    接合体的制造方法及绝缘电路基板的制造方法

    公开(公告)号:CN115136299A

    公开(公告)日:2022-09-30

    申请号:CN202180015718.6

    申请日:2021-03-22

    Abstract: 在将包括金属板的多个不同材料的层叠体在加压及加热状态下进行接合时,将依次层叠有第一金属箔/碳片或陶瓷片/石墨片的第一按压部件,以第一金属箔与所述层叠体的第一金属板的表面接触的方式配置,第一金属箔由加热时在第一金属箔的接触面不与第一板部件反应的材料形成,第一金属箔的杨氏模量(GPa)与厚度(mm)的乘积为0.6以上且100以下,能够对层叠体进行均匀地加压而制造良好的接合体,能够抑制在层叠体的表面附着异物。

    绝缘电路基板
    38.
    发明公开
    绝缘电路基板 审中-实审

    公开(公告)号:CN115039217A

    公开(公告)日:2022-09-09

    申请号:CN202180012106.1

    申请日:2021-03-16

    Abstract: 该绝缘电路基板(10)为:在陶瓷基板(11)的表面层叠并接合有由铝或铝合金组成的铝板(12、13),在铝板(12、13)中,在与陶瓷基板(11)的接合界面固熔有Cu,从接合界面起向铝板(12、13)侧沿厚度方向100μm位置处的Cu浓度B质量%与接合界面处的Cu浓度A质量%之比B/A为0.30以上且0.85以下。

    接合用片
    39.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115023305A

    公开(公告)日:2022-09-06

    申请号:CN202180011354.4

    申请日:2021-01-26

    Abstract: 提供一种接合用片,其为使用铜粒子的接合用片,不易引起因铜粒子的氧化所致的烧结性的降低,能够形成致密且孔隙少的接合层,能够以高强度接合电子零件等。接合用片(1)包含铜粒子(2)及沸点为150℃以上的溶剂(3),关于铜粒子(2),铜粒子(2)的表面被有机保护膜包覆,铜粒子(2)与溶剂(3)的含量比以质量比计为99:1~90:10,铜粒子(2)的BET直径在50nm以上且300nm以下的范围内。

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