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公开(公告)号：CN115849885B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202211632257.X
申请日：2022-12-19
申请人： 宜宾红星电子有限公司
IPC分类号： C04B35/119 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要： 本发明公开了一种高纯高强度氧化铝陶瓷基板及其制备方法，属于电子陶瓷材料技术领域。本发明针对现有技术中陶瓷基板致密度较低、整体抗弯强度偏低等问题，提供了一种高纯高强度氧化铝陶瓷基板的制备方法，包括：将助熔剂、分散剂和混合溶剂A制备为粉浆体系A；将粉浆体系A、氧化铝和混合溶剂B制备为粉浆体系B；将粘接剂、增塑剂和混合溶剂C制备为预溶胶；将粉浆体系B和预溶胶制备为流延浆料；然后流延浆料依次经脱泡、流延成型和排胶，1450～1520℃烧结，得氧化铝陶瓷基板。本发明通过引入Nb2O5‑MgO‑ZrO2复合烧结助剂，在较低温度下制备出高致密度、高强度和断裂韧性的陶瓷烧结体。
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公开(公告)号：CN113321496B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202110742895.6
申请日：2021-07-01
申请人： 宜宾红星电子有限公司
IPC分类号： C04B35/16 , C04B35/20 , C04B35/195 , C04B35/22
摘要： 本发明属于微波介质陶瓷材料领域，尤其是一种复合微波介质陶瓷材料及其制备方法。本发明为解决目前微波介质陶瓷材料品质因数较差，稳定性不高，烧结温度高的问题，提供了一种复合微波介质陶瓷材料及其制备方法。所述复合微波介质陶瓷材料的主要成分包含摩尔比为0.01～0.4:1的钛酸盐和硅酸盐，以及占总质量3～12％的添加剂。制备方法主要是将分散剂与钛酸盐和硅酸盐分别混合后，采用球磨工艺后研磨，再加入和添加剂，烧制成复合微波介质陶瓷材料。本方法通过调整复合介电陶瓷材料中钛酸盐的占比，实现了介电性能灵活可调的目的。所得微波介质陶瓷材料，微波介电损耗较低，在10GHz频率下，Q×F值可稳定达到60000以上。
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公开(公告)号：CN115849885A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211632257.X
申请日：2022-12-19
申请人： 宜宾红星电子有限公司
IPC分类号： C04B35/119 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要： 本发明公开了一种高纯高强度氧化铝陶瓷基板及其制备方法，属于电子陶瓷材料技术领域。本发明针对现有技术中陶瓷基板致密度较低、整体抗弯强度偏低等问题，提供了一种高纯高强度氧化铝陶瓷基板的制备方法，包括：将助熔剂、分散剂和混合溶剂A制备为粉浆体系A；将粉浆体系A、氧化铝和混合溶剂B制备为粉浆体系B；将粘接剂、增塑剂和混合溶剂C制备为预溶胶；将粉浆体系B和预溶胶制备为流延浆料；然后流延浆料依次经脱泡、流延成型和排胶，1450～1520℃烧结，得氧化铝陶瓷基板。本发明通过引入Nb2O5‑MgO‑ZrO2复合烧结助剂，在较低温度下制备出高致密度、高强度和断裂韧性的陶瓷烧结体。
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公开(公告)号：CN115179395A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210849562.8
申请日：2022-07-19
申请人： 宜宾红星电子有限公司
IPC分类号： B28B3/20 , B28B17/02 , C04B35/08 , C04B35/10 , C04B35/581 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种成型方法，尤其是公开了一种用于高平整度陶瓷基片的成型方法，属于电子功能陶瓷生产工艺技术领域。提供一种能有效提高成品陶瓷基片平整度的用于高平整度陶瓷基片的成型方法。所述的成型方法至少包括干法制备造粒料、干压预成型、等静压预处理、等静压成型以及一次性烧结几个步骤，其中，在等静压成型时采用直线升压和阶梯式泄压的方式成型，最大压力值为200～220MPa并保压6～10分钟。
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公开(公告)号：CN112382836A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011411942.0
申请日：2020-12-03
申请人： 宜宾红星电子有限公司
IPC分类号： H01P1/20
摘要： 本发明涉及滤波器技术领域，尤其是一种叠层介质波导滤波器，其包括上陶瓷块、下陶瓷块，上陶瓷块上设置有上右侧主耦合窗口、上左侧主耦合窗口，上右侧主耦合窗口、上左侧主耦合窗口靠近上陶瓷块长边设置，下陶瓷块上设置有下右侧主耦合窗口、下左侧主耦合窗口，下右侧主耦合窗口、下左侧主耦合窗口靠近下陶瓷块长边设置，上陶瓷块、下陶瓷块的边缘设置电场分布较小，电耦合非常弱而磁场较强，上右侧主耦合窗口、上左侧主耦合、右侧主耦合窗口和下左侧主耦合窗口为磁耦合性质，产生的谐波比起电耦合性质产生的谐波更远，更加远离了工作通带，降低了对叠层介质波导滤波器的影响，有效地提高了叠层介质波导滤波器的使用效果。
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公开(公告)号：CN107904575B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201711331429.9
申请日：2017-12-13
申请人： 宜宾红星电子有限公司
摘要： 本发明属于电子功能陶瓷材料技术领域，具体涉及一种氧化铍基衰减瓷金属化方法。本发明所要解决的技术问题是提供一种氧化铍基衰减瓷金属化方法，包括以下步骤：在传统金属化方法基础上，增加预处理和化学镀镍步骤中的激活及钝化操作。本发明方法有效避免了氧化铍基衰减瓷因自身特性所导致的金属化过程缺镀、铺边等缺陷，提升产品质量。
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公开(公告)号：CN110317048A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910764573.4
申请日：2019-08-19
申请人： 宜宾红星电子有限公司
IPC分类号： C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/634 , C04B35/64 , C09K3/00
摘要： 本发明属于微波材料技术领域，具体涉及一种微波器件用吸收材料及其制备方法。所述微波吸收材料由以下重量配比的原料制备而成：工业硅35～45％，氧化铝陶瓷粉35～45％，塑形剂1～5％，粘合剂10～20％。本发明还提供了上述微波器件用吸收材料的制备方法。本发明通过选择合适的辅料以及辅料与工业硅、氧化铝陶瓷粉的配比，使得本发明的吸收材料制作时间短，并且可应用于工作频率范围1.13～18GHz，对应的波导口径为BJ14至BJ140。
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公开(公告)号：CN110265335A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910574823.8
申请日：2019-06-28
申请人： 宜宾红星电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种半导体制冷器件晶粒封装工装，包括摇模工装、合模工装和振动台；本发明通过摇模工装可快速进行两种晶粒的有序装填，导向模和固定模配合对晶粒进行矫正和限位，再配合振动台的振动可极大提高晶粒的装填效率；本发明通过顶模对装填后的晶粒进行顶压限位，在焊接时对晶粒施加作用力，能够有效提高焊接效率与焊接质量；本发明中工装都采用嵌合装配，可实现批量生产，其生产成本较低、生产周期较短，装配简单、方便；本发明通过振动台带动摇模工装振动实现晶粒的快速装填，不需要人工参与，降低了工作人员的操作熟练度要求，能有效降低人工成本。
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公开(公告)号：CN110128117A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910531816.X
申请日：2019-06-19
申请人： 宜宾红星电子有限公司
IPC分类号： C04B35/10 , C04B35/622 , C04B41/88
摘要： 本发明属于电子功能陶瓷材料技术领域，具体涉及一种高纯氧化铝陶瓷材料及其制备方法。所述方法的主要工艺流程如下：高纯氧化铝球磨，喷雾造粒，等静压压制成型，生坯加工，高温烧结成瓷，磨加工，金属化制作，钎焊，抛光。本发明的方法中高纯氧化铝陶瓷与金属化浆料烧结温度低于现有技术50℃左右，从而减少一次烧成温度偏高对氧化铝陶瓷基体造成的负面影响，使得金属化反复多次烧结成为可能，从而通过此方式提高金属化层厚度，同时金属化抗拉强度性能良好，平均抗拉强度≥100MPa；高纯氧化铝陶瓷具有体积密度大，气孔率低，体积电阻率大、抗折强度高、硬度大、低介质损耗、线性膨胀系数小、高绝缘性能的特点。
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公开(公告)号：CN108623288A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810644964.8
申请日：2018-06-21
申请人： 宜宾红星电子有限公司
IPC分类号： C04B35/08 , C04B35/632 , C04B35/634
摘要： 本发明属于电子陶瓷材料生产技术领域，具体涉及一种氧化铍陶瓷流延成型浆料及其生产方法。针对现有技术还未见有氧化铍陶瓷流延成型浆料及其制备方法，无法制备性能更好的氧化铍陶瓷的问题，本发明提供一种氧化铍陶瓷流延成型浆料，其特征在于，浆料的组成为：按重量百分比计，粉体50％～70％，有机溶剂30％～50％，所述粉体为氧化铍粉体、二氧化硅粉体和氧化镁粉体的混合物，所述有机溶剂为邻苯二甲酸酯、甲苯、丁酮、异丙醇、磷酸酯类阴离子乳化剂和聚乙烯醇缩丁醛的混合物。本发明还提供了上述浆料的制备方法，经过预球磨、两次球磨，得到的浆料流延性能好，厚度薄、面积大、效率高、制造工艺更简单，具有明显的经济效益和社会效益。
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