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公开(公告)号：CN114005777A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111594630.2
申请日：2021-12-24
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
Abstract: 本公开实施例公开了一种键合系统和键合方法。键合系统包括：键合组件，包括：键合头以及贯穿键合头的第一光通路；第一对准组件，用于在键合头位于第一位置时，确定拾取面相较于水平面的偏移量；键合组件，还用于根据偏移量，驱动键合头移动至平行于水平面的第二位置；第一对准组件，还用于在键合头位于第二位置时，通过第一光通路的第二端向第一端发射检测光信号；第一对准组件，还用于接收检测光信号经第一待键合管芯反射的反射光信号，并根据接收的反射光信号确定第一待键合管芯的当前位置与第一目标位置之间的第一偏差值；第二对准组件，用于确定晶圆上第二待键合管芯的当前位置与第二目标位置的第二偏差值。
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公开(公告)号：CN113793811A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111351802.3
申请日：2021-11-16
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L25/065
Abstract: 本发明提供了一种芯片堆叠结构的连接方法，包括：提供一基板；将至少两个芯片堆叠结构固定在所述基板上，相邻的两个芯片堆叠结构之间具有间隙，每个芯片堆叠结构包括堆叠设置的多层芯片，每层芯片包括衬底、形成于所述衬底上焊盘以及覆盖所述衬底和所述焊盘的介质层，所述间隙暴露所述焊盘的侧面；去除所述间隙侧面的部分衬底和部分介质层，使所述焊盘局部突出于所述介质层；在所述芯片堆叠结构和所述基板表面形成连接材料层，去除所述芯片堆叠结构和所述基板表面的连接材料层，形成连接层，相邻的所述焊盘通过所述连接层连接；以及，填充所述间隙，以使至少两个芯片堆叠结构连接在一起。解了决芯片面积越大，良率越低的问题。
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公开(公告)号：CN113634544A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110939158.5
申请日：2021-08-16
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
Abstract: 本发明提供了一种晶圆清洗机构，用于对晶圆进行清洗，所述晶圆的表面贴附有承载膜，包括：绷膜环、清洗槽及清洗支架；其中，所述清洗支架用于固定所述绷膜环，所述清洗槽位于所述绷膜环下方，所述承载膜贴附于所述绷膜环上，所述晶圆位于所述绷膜环的内环面内且所述晶圆的边缘与所述绷膜环的内环面之间具有间隙，所述晶圆朝向所述清洗槽并浸入所述清洗槽内的清洗液中。本发明在所述晶圆的清洗过程中，由于所述清洗液不接触所述承载膜的表面，从而避免所述清洗液与所述承载膜发生物理化学反应导致所述晶圆受污染，并保证了所述晶圆的清洗洁净度且工艺兼容性高。
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公开(公告)号：CN114203541B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202111420791.X
申请日：2021-11-26
IPC: H01L21/285
Abstract: 本发明公开了一种将金属电极转移至二维材料上的方法，其包括：获取待转移结构，所述待转移结构包括衬底、形成于衬底上的过渡层以及形成于过渡层上的金属电极图案；对所述过渡层进行湿法刻蚀，去除未被金属电极图案覆盖的所述过渡层；通过有机柔性材料将待转移结构中的金属电极图案从所述过渡层上整体粘起并贴合至目标结构中的二维材料上；去除所述有机柔性材料，完成金属电极与二维材料的范德华接触。通过引入过渡层并结合湿法刻蚀和干法转移，使得容易实现待转移图案的整体剥离，大大提高了制备的成功率，且通过范德华力结合金属电极和二维材料，能够大大提高两者的接触性能。
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公开(公告)号：CN115236880B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202210857713.4
申请日：2022-07-20
IPC: G02F1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于相变原理的太赫兹波调制器及其制备方法，其中，该太赫兹波调制器包括由下而上依次设置的衬底层、碲化锗相变材料层和覆盖层；衬底层和覆盖层均采用对太赫兹波透明的材料制成；碲化锗相变材料层，其上施加有纳秒级别的瞬时能量，用于根据施加的瞬时能量大小非易失性且可逆的改变碲化锗的相态，从而实现透射太赫兹波在不同调制状态间可逆的转化。本发明利用碲化锗的相变原理及不同相态碲化锗的光学性能在较宽的频率范围内都有着极大的对比度，通过在碲化锗上施加瞬时能量，改变其相态，从而实现对较宽频率范围内的太赫兹波调制，且本发明结构简单，无需持续向碲化锗施加能量，即可维持碲化锗的状态，具有能耗低的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117976660A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410361538.9
申请日：2024-03-27
Applicant: 湖北江城实验室
IPC: H01L23/544 , H01L23/528 , H01L21/66 , G01R31/26
Abstract: 公开了一种半导体结构及其热测试方法，半导体结构包括：堆叠结构，堆叠结构包括测试结构以及位于测试结构相对的两侧并与测试结构接触的发热层和感测层，发热层内设置有第一导电层，感测层内设置有第二导电层，第一导电层包括第一输入端和第一输出端，第二导电层包括第二输入端和第二输出端；至少一个第一测试焊盘、至少一个第二测试焊盘、至少一个第三测试焊盘以及至少一个第四测试焊盘，分立设置在堆叠结构的上表面；多个互连结构，在堆叠结构内沿竖直方向延伸延伸；其中，第一测试焊盘和第二测试焊盘通过互连结构分别与第一输入端和第一输出端对应电连接，第三测试焊盘和第四测试焊盘通过互连结构分别与第二输入端和第二输出端对应电连接。
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公开(公告)号：CN117826541A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410045349.0
申请日：2024-01-11
Applicant: 湖北江城实验室
Abstract: 本公开实施例提供了一种光刻机的清洁方法，光刻机包括载台、设置于载台上方的物镜以及用于提供曝光光束的曝光光源，载台上附着有污染物；清洁方法包括：提供控片，将控片置于载台上；对控片执行曝光工艺，曝光光源通过物镜向控片辐射曝光光束以加热控片，控片将热量传递至附着在载台上的污染物，以降低污染物与载台之间的粘附性。
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公开(公告)号：CN114039108B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202111327566.1
申请日：2021-11-10
Abstract: 本发明公开了一种耐高温水系锌离子电池电解液及其制备方法和应用，属于电化学技术领域。本发明的耐高温水系锌离子电池电解液，包括A组分、B组分、C组分、D组分和水溶性锌盐；A组分为腈类溶剂；B组分为亚砜类溶剂和/或酰胺类溶剂；C组分为溶剂水；D组分为磷系液体阻燃剂；A组分、B组分、C组分、D组分的体积比为VA：VB：VC：VD，其中：0＜VA＜10，0＜VB＜10，0＜VC＜10，0＜VD＜10；A组分、B组分、C组分、D组分的体积比优选为6：2：1：1或5：2：2：1。本发明以高温电解液构建了一种在100℃高温下可正常运行并保持较高的比容量、较长循环寿命、安全高效等优异化学性能的耐高温水系锌离子电池。
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公开(公告)号：CN117371171A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311125674.X
申请日：2023-08-31
Applicant: 湖北江城实验室科技服务有限公司
IPC: G06F30/20 , G06F119/14
Abstract: 本申请实施例提供一种密封环可靠性的评估方法，该方法包括：根据密封环实际结构构建密封环的仿真模型；仿真模型至少包括沿第一方向延伸、沿第二方向堆叠的多层金属层，以及位于相邻两层所述金属层的金属过孔；定义仿真模型的测试应力和测试温度；在一定测试温度下，向仿真模型的受力面施加不同方向的测试应力，以确定密封环中金属层的形变性能；其中，仿真模型的受力面与第一方向和第二方向构成的平面平行；在形变性能满足预设条件的情况下，确认密封环的可靠性满足要求。
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公开(公告)号：CN117316763A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311175038.8
申请日：2023-09-12
Applicant: 湖北江城实验室
IPC: H01L21/308 , H01L21/311
Abstract: 公开了一种半导体结构及其制造方法，该制造方法包括：提供衬底，在衬底上形成第一图案化掩膜层，以第一图案化掩膜层为掩膜刻蚀衬底，以形成第一沟槽，衬底未被刻蚀的区域构成凸起结构；在衬底上形成第二图案化掩膜层，第二图案化掩膜层至少覆盖凸起结构的侧壁和上表面，第二图案化掩膜层上形成有开口，开口暴露第一沟槽的部分底面；以第二图案化掩膜层为掩膜，从开口刻蚀衬底，以在第一沟槽的下方形成第二沟槽。
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