一种用于检测金刚石线金刚石颗粒的方法

    公开(公告)号:CN107436276A

    公开(公告)日:2017-12-05

    申请号:CN201710598282.3

    申请日:2017-07-21

    摘要: 本发明提供了一种用于检测金刚石线金刚石颗粒的方法,包括如下步骤:(1)选取金刚石线,其长度为L,将其超声、烘干后进行称重,得到重量g1;(2)然后将金刚石线放入退镀液中进行电化学退镀;(3)完成退镀后将退镀液进行过滤、清洗、烘干得到沉淀的金刚石颗粒,并对金刚石颗粒的重量进行记录,得到重量g2;(4)将退镀后的金刚石线取出后清洗烘干再次称重,得到重量g3,根据减重估算出镀层重量;(5)将收集到的金刚石颗粒通过马尔文激光粒度分析仪得到颗粒大小、圆度值及图像数据;(6)根据步骤(5)得到的数据,得出金刚石硬度。本发明的方法能够检测金刚石颗粒实际大小,同时可进一步获得不同品质的金刚石硬度区别。

    一种带有磁场的硅片切割方法

    公开(公告)号:CN107052969A

    公开(公告)日:2017-08-18

    申请号:CN201710366536.9

    申请日:2017-05-23

    摘要: 本发明提供一种带有磁场的硅片切割方法,通过在硅块的多线切割区域建立一个垂直于线网的磁场,在切割钢线中通上适当的电流,通过磁场对通电导线的洛伦茨力,使切割钢线在垂直硅片表面方向以及切割方向进行小范围的晃动,进而增加对垂直硅片表面方向的作用力,加大硅片表面损伤层的形成。钢线在切缝处的轻微晃动,还可以提高钢线在切缝处的切割能力。具体的,切割区域所加磁场,可以是磁铁、永磁体、通电螺线圈;上述通电螺线圈中所通电流可以是直流电或交流电;切割钢线中所通电流也可以是直流电或交流电。

    一种高效硅晶片热场长晶装置及方法

    公开(公告)号:CN107022791A

    公开(公告)日:2017-08-08

    申请号:CN201710371423.8

    申请日:2017-05-24

    发明人: 陈旭光 张涛 孙鹏

    IPC分类号: C30B29/06 C30B28/06 C30B11/00

    摘要: 本发明提供了一种高效硅晶片热场长晶装置,包括炉体,以及设置于炉体外的冷却器,炉体内设置有保温装置,保温装置内设置有坩埚,坩埚的外侧包覆有坩埚护板,坩埚护板外设置有用于对坩埚加热形成热场的加热器,所述坩埚护板底部设置有冷凝板,冷凝板连接有冷却管,冷却管与冷却器连接。本发明实现了对坩埚点局部强冷,实现了对小块籽晶熔化、生长的有效控制,减少单埚籽晶的投放量,已达到提高硅片质量降低成本目的。

    一种基于剪切增稠机理的太阳能硅片切割液及其制备方法

    公开(公告)号:CN106957710B

    公开(公告)日:2020-03-31

    申请号:CN201710306358.0

    申请日:2017-05-04

    发明人: 刘瑞鸿 孙培亚

    IPC分类号: C10M169/02

    摘要: 本发明提供一种基于剪切增稠机理的太阳能硅片切割液,该切割液由微/纳二氧化硅颗粒、分散介质和SiC粉体组成,通过在分散介质中溶入一定份数的微/纳二氧化硅颗粒,形成有剪切增稠效果的切割液。主要制备步骤包括:将微/纳粒子溶于预处理分散介质中,得到预混液;将预混液进一步分散在分散介质中,得到微/纳二氧化硅分散体系;将SiC粉体加入分散体系中,得到新型剪切增稠太阳能硅片切割液。其相对于现有太阳能多晶硅片切割液具有更好的分散性、稳定性和剪切增稠性能,同时切割成本更低,切割表面质量更好。本发明的基于剪切增稠机理的太阳能硅片切割液的制备工艺简单,操作方便,容易实现工业化生产。

    一种用于去除多晶切割线网厚片端面残胶的脱胶剂

    公开(公告)号:CN110819471A

    公开(公告)日:2020-02-21

    申请号:CN201910960801.5

    申请日:2019-10-11

    摘要: 本发明涉及一种用于去除多晶切割线网厚片端面残胶的脱胶剂,由以下质量百分比的物质组成:有机酸占10-30%;乳酸占2-10%;异辛醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚占0.1-1%;二辛基磺化琥珀酸钠占0.1-1%;1,6-二苯基-1,3,5-己三烯占10-30%;去离子水占40-80%。所述脱胶剂的制备方法如下:将上述质量百分比的物料按照如下顺序放入反应釜内:去离子水、乳酸、有机酸、异辛醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚、二辛基磺化琥珀酸钠、二辛基磺化琥珀酸钠;在室温下进行充分搅拌混合0.5小时,直至混合均匀获得所述脱胶剂。本发明提供了脱胶剂的配方和制备方法以及在生产过程中的使用方法,该去除多晶切割线网厚片端面残胶的脱胶剂,降低了成本,有效脱除残胶,最终达到清洁环保的效果。

    一种单面湿法黑硅制绒方法

    公开(公告)号:CN110473936A

    公开(公告)日:2019-11-19

    申请号:CN201910684230.7

    申请日:2019-07-26

    摘要: 本发明涉及一种单面湿法黑硅制绒方法,通过将硅片以两两相并的方式贴合在一起放置,分别进行碱液抛光,沉积金属颗粒,电化学反应挖孔,而后将贴合的两片分开,修饰孔洞,去除金属离子残留的方式,制备单面制绒黑硅片。制绒后的硅片贴合面经过抛光,非贴合面具有蠕虫状的孔洞结构。本发明中,在完成挖孔后立即进行分片,去除金属残留,避免扩孔反应中的二次挖孔,挖孔后再次进行清洗,去除剩余金属离子,此方法中金属残留量小,制程量率高。本发明工艺使得金属颗粒残留比例更低,非制绒面更平整,最终达到产量提升100%,成本降低40%,电池转化效率提升0.05%的效果。

    一种黑硅含银废水处理添加剂及处理方法

    公开(公告)号:CN109911997A

    公开(公告)日:2019-06-21

    申请号:CN201910132607.8

    申请日:2019-02-22

    摘要: 本发明公开了一种黑硅含银废水处理添加剂及处理方法,由以下的三种添加剂组成:添加剂X1,其为氯化钠,硫化钠,二甲基二硫代氨基甲酸钠中的一种或几种以任意比例混合的混合物;添加剂X2,其为聚合氯化铝铁,聚合硫酸铁,聚合硫酸铝,聚合氯化铁以及聚合硫酸铝铁中的一种或几种以任意比例混合的混合物;添加剂X3,其为聚丙烯酸、聚丙烯酸钠、聚丙烯酸钙、苯乙烯磺酸盐、木质磺酸盐、丙烯酸、甲基丙烯酸和聚丙烯酰胺中的一种或几种以任意比例混合的混合物。本发明的添加剂能在常温下与废水中的银离子迅速反应,生成不溶于水,且具有良好的化学稳定性的螯合物,从而达到捕捉去除重金属的目的。

    一种带有过滤装置的碱抛槽
    38.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109841705A

    公开(公告)日:2019-06-04

    申请号:CN201910141596.X

    申请日:2019-02-26

    IPC分类号: H01L31/18 C30B33/10 B01D29/11

    摘要: 本发明公开了一种带有过滤装置的碱抛槽,包括碱抛槽主槽,所述碱抛槽主槽外通过循环管与碱抛槽主槽内形成回路,所述循环管上安装有过滤装置,所述过滤装置包括过滤箱和伸入过滤箱内的过滤芯,所述碱抛槽主槽内的药液经循环管进入过滤箱内,药液由过滤芯过滤,过滤后的药液再经循环管重新进入碱抛槽主槽内,所述碱抛槽主槽还设置有补液口;本发明通过在碱抛槽主槽外加设一个过滤装置,将脏污和胶体生成物阻隔在过滤箱内,同时将过滤区和补液区分隔开,避免新加药液与脏污反应影响补液效果;碱抛槽主槽内的药液从主槽内流出,经循环电机增压后,打入过滤装置,经过过滤后再流入主槽。

    一种石墨加热器及硅晶体生长炉

    公开(公告)号:CN109280968A

    公开(公告)日:2019-01-29

    申请号:CN201710601867.6

    申请日:2017-07-21

    IPC分类号: C30B29/06 C30B30/04

    摘要: 本发明公开了一种石墨加热器及硅晶体生长炉,所述石墨加热器用于硅晶体生长炉中,所述石墨加热器包括非闭合的环状的加热体,其两端分别形成所述加热体的第一端和第二端,所述加热体上设有至少两个电极脚;所述石墨加热器通过所述电极脚与电源连接,以使所述石墨加热器发热并产生磁场。从而能够抑制硅晶体生长炉中硅熔液对坩埚的壁的冲刷,减少熔体中O、C等杂质的含量,从而获得低含氧碳量的硅晶体,同时还有利于获得平整的固液生长界面。

    一种太阳能多晶硅的定向凝固炉及定向凝固方法

    公开(公告)号:CN109112617A

    公开(公告)日:2019-01-01

    申请号:CN201710487313.8

    申请日:2017-06-23

    IPC分类号: C30B28/06 C30B29/06

    摘要: 本发明提供一种太阳能多晶硅的定向凝固炉,包括炉体,所述炉体内设置有隔热笼,所述隔热笼底部开口,开口处设置有底部密封板,所述底部密封板相对隔热笼移动密封相向隔热笼移动开口;所述隔热笼内设置有加热电极,所述加热电极内部设置有生长坩埚,所述生长坩埚底部设置有冷却块。在加热和熔化过程中,绝热体是封闭的。长晶时将四周绝热体提升,在坩埚下面开出一个传热的口子,使硅液从底部开始冷却,实现由下往上的定向凝固。该生长方法可生长大的多晶硅锭,因而产出量高。另外该工艺控制相对单晶生长简单,生产成本低。