公开(公告)号：CN106898551A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201611186007.2

申请日：2016-12-20

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 崔新逸 ,  赵炫珉 ,  金湘甲 ,  梁成勋 ,  丁有光 ,  安秉斗

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1362

CPC分类号： H01L27/1225 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13685 ,  G02F2201/123 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1262 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L2029/42388 ,  H01L2227/323 ,  H01L29/66742 ,  G02F1/1362 ,  H01L21/28008 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/42364

摘要： 本发明提供一种制造薄膜晶体管的方法、薄膜晶体管基板和平板显示装置。其中制造薄膜晶体管的方法包括：在基板上形成氧化物半导体；在基板上层叠绝缘层和金属层以覆盖氧化物半导体；在金属层上形成光敏图案；通过使用光敏图案作为掩模蚀刻金属层而形成栅电极，其中栅电极的一部分交叠氧化物半导体的第一氧化物半导体区域；通过使用光敏图案作为掩模来部分地蚀刻绝缘层而形成栅绝缘膜，其中栅绝缘膜包括在光敏图案下面的具有第一厚度的第一绝缘区域和具有小于第一厚度的第二厚度的第二绝缘区域；以及在栅绝缘膜上执行等离子体处理以使得氧化物半导体的在第二绝缘区域下面的第二氧化物半导体区域变得导电。

公开(公告)号：CN104900706A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510082801.1

申请日：2015-02-15

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 安秉斗 ,  金兑映 ,  牟然坤

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32

CPC分类号： H01L21/02472 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02441 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3248 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/022 ,  H01L27/3262

摘要： 提供了一种薄膜晶体管、薄膜晶体管基板、显示设备以及制造薄膜晶体管的方法。所述薄膜晶体管包括：栅电极；有源层，与栅电极绝缘；源电极和漏电极，与栅电极绝缘并且电连接到有源层；第一蚀刻停止层，由绝缘材料形成，并且与有源层的位于有源层的电连接到源电极和漏电极的区域之间的部分接触；第二蚀刻停止层，位于第一蚀刻停止层上，第二蚀刻停止层由与用于形成第一蚀刻停止层的绝缘材料相同类型的绝缘材料形成，第二蚀刻停止层具有比第一蚀刻停止层的密度高的密度；以及第三蚀刻停止层，位于第二蚀刻停止层上。

公开(公告)号：CN103094351A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210247010.6

申请日：2012-07-17

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 朴在佑 ,  李制勋 ,  安秉斗 ,  朴世容 ,  朴埈贤 ,  金建熙 ,  林志勋 ,  李京垣

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/26

CPC分类号： H01L27/1225 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明提供一种显示装置，所述显示装置包括：第一基板；栅极线，栅极线设置在第一基板上，并包括栅电极；栅极绝缘层，栅极绝缘层设置在栅极线上；半导体层，半导体层设置在栅极绝缘层上；数据线，数据线设置在半导体层上，并连接到源电极；漏电极，漏电极设置在半导体层上，并面对源电极；钝化层，钝化层设置在数据线上，其中，半导体层包含含有铟、锡和锌的氧化物半导体。铟以大约5原子百分比(at％)至大约50at％的量存在，其中，锌与锡的比为大约1.38至大约3.88。

公开(公告)号：CN108461522B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN201810151517.9

申请日：2018-02-14

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金建佑 ,  贾智铉 ,  权泰勋 ,  权镐均 ,  李敏九 ,  李在一 ,  郑镇泰 ,  车承智 ,  安秉斗 ,  李正浩

IPC分类号： H10K59/131

摘要： 提供一种显示装置，所述显示装置包括：基底，包括第一像素区域、第二像素区域和外围区域，第二像素区域具有比第一像素区域的面积小的面积并连接到第一像素区域，外围区域至少部分地围绕第一像素区域和第二像素区域；第一像素，设置在第一像素区域中；第二像素，设置在第二像素区域中；第二布线，连接到第二像素；延伸线，延伸到外围区域；虚设部分，位于外围区域中以与延伸线叠置；电力线，连接到第一像素区域和第二像素区域；以及连接线，位于外围区域中以连接到虚设部分，连接线电连接到第二像素区域的一部分，其中，第二像素区域包括与连接线连接的第一子像素区域以及除了第一子像素区域之外的第二子像素区域。

公开(公告)号：CN106898551B

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN201611186007.2

申请日：2016-12-20

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 崔新逸 ,  赵炫珉 ,  金湘甲 ,  梁成勋 ,  丁有光 ,  安秉斗

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1362

摘要： 本发明提供一种制造薄膜晶体管的方法、薄膜晶体管基板和平板显示装置。其中制造薄膜晶体管的方法包括：在基板上形成氧化物半导体；在基板上层叠绝缘层和金属层以覆盖氧化物半导体；在金属层上形成光敏图案；通过使用光敏图案作为掩模蚀刻金属层而形成栅电极，其中栅电极的一部分交叠氧化物半导体的第一氧化物半导体区域；通过使用光敏图案作为掩模来部分地蚀刻绝缘层而形成栅绝缘膜，其中栅绝缘膜包括在光敏图案下面的具有第一厚度的第一绝缘区域和具有小于第一厚度的第二厚度的第二绝缘区域；以及在栅绝缘膜上执行等离子体处理以使得氧化物半导体的在第二绝缘区域下面的第二氧化物半导体区域变得导电。

公开(公告)号：CN103378165B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201310126339.1

申请日：2013-04-12

申请人： 三星显示有限公司 ,  国民大学校 ,  算学协力团

发明人： 林志勋 ,  安秉斗 ,  金建熙 ,  朴埈贤 ,  李制勋 ,  朴在佑 ,  金大奂 ,  郑贤广 ,  金在亨

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： G02F1/1368 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/7869

摘要： 一种薄膜晶体管包括：栅电极；设置为覆盖栅电极的第一绝缘层；半导体层，设置在第一绝缘层上，该半导体层包括第一侧表面部分；源电极，设置在半导体层上；以及漏电极，设置在第一绝缘层上，该漏电极包括第二侧表面部分。第一侧表面部分与第二侧表面部分接触。

公开(公告)号：CN103378165A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310126339.1

申请日：2013-04-12

申请人： 三星显示有限公司 ,  国民大学校算学协力团

发明人： 林志勋 ,  安秉斗 ,  金建熙 ,  朴埈贤 ,  李制勋 ,  朴在佑 ,  金大奂 ,  郑贤广 ,  金在亨

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： G02F1/1368 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/7869

摘要： 一种薄膜晶体管包括：栅电极；设置为覆盖栅电极的第一绝缘层；半导体层，设置在第一绝缘层上，该半导体层包括第一侧表面部分；源电极，设置在半导体层上；以及漏电极，设置在第一绝缘层上，该漏电极包括第二侧表面部分。第一侧表面部分与第二侧表面部分接触。