公开(公告)号：CN103378165B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201310126339.1

申请日：2013-04-12

申请人： 三星显示有限公司 ,  国民大学校 ,  算学协力团

发明人： 林志勋 ,  安秉斗 ,  金建熙 ,  朴埈贤 ,  李制勋 ,  朴在佑 ,  金大奂 ,  郑贤广 ,  金在亨

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： G02F1/1368 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/7869

摘要： 一种薄膜晶体管包括：栅电极；设置为覆盖栅电极的第一绝缘层；半导体层，设置在第一绝缘层上，该半导体层包括第一侧表面部分；源电极，设置在半导体层上；以及漏电极，设置在第一绝缘层上，该漏电极包括第二侧表面部分。第一侧表面部分与第二侧表面部分接触。

公开(公告)号：CN103378165A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310126339.1

申请日：2013-04-12

申请人： 三星显示有限公司 ,  国民大学校算学协力团

发明人： 林志勋 ,  安秉斗 ,  金建熙 ,  朴埈贤 ,  李制勋 ,  朴在佑 ,  金大奂 ,  郑贤广 ,  金在亨

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： G02F1/1368 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/7869

摘要： 一种薄膜晶体管包括：栅电极；设置为覆盖栅电极的第一绝缘层；半导体层，设置在第一绝缘层上，该半导体层包括第一侧表面部分；源电极，设置在半导体层上；以及漏电极，设置在第一绝缘层上，该漏电极包括第二侧表面部分。第一侧表面部分与第二侧表面部分接触。

公开(公告)号：CN107819038B

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN201710817570.3

申请日：2017-09-12

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 林志勋 ,  金宰范 ,  朴晙皙 ,  孙暻锡 ,  林俊亨

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/43 ,  H01L27/32

摘要： 提供了一种晶体管和一种具有该晶体管的显示装置。所述晶体管包括：半导体层，包括沟道部、第一接触部和第二接触部；栅电极，面对浮置栅极；浮置栅极，设置在半导体层和栅电极之间浮置栅极与半导体层和栅电极绝缘。浮置栅极包括氧化物半导体。

公开(公告)号：CN104078468B

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201410119693.6

申请日：2014-03-27

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金建熙 ,  朴辰玹 ,  李京垣 ,  安秉斗 ,  林志勋 ,  林俊亨

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77 ,  G02F1/136

摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板，该薄膜晶体管阵列面板包括：栅电极，设置在衬底上；绝缘层，设置在栅电极上；氧化物半导体，设置在栅极绝缘层上；源电极，与氧化物半导体的一部分重叠；漏电极，与氧化物半导体的另一部分重叠；以及缓冲层，设置在氧化物半导体与源电极之间以及氧化物半导体与漏电极之间。缓冲层包括锡（Sn）作为掺杂材料。掺杂材料的重量百分比大于约0%并且小于或等于约20%。

公开(公告)号：CN104078468A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410119693.6

申请日：2014-03-27

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金建熙 ,  朴辰玹 ,  李京垣 ,  安秉斗 ,  林志勋 ,  林俊亨

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77 ,  G02F1/136

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288

摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板，该薄膜晶体管阵列面板包括：栅电极，设置在衬底上；绝缘层，设置在栅电极上；氧化物半导体，设置在栅极绝缘层上；源电极，与氧化物半导体的一部分重叠；漏电极，与氧化物半导体的另一部分重叠；以及缓冲层，设置在氧化物半导体与源电极之间以及氧化物半导体与漏电极之间。缓冲层包括锡（Sn）作为掺杂材料。掺杂材料的重量百分比大于约0%并且小于或等于约20%。

公开(公告)号：CN103367455A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201210554742.X

申请日：2012-12-19

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 安秉斗 ,  林志勋 ,  金建熙 ,  李京垣 ,  李制勋

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： 一种多半导体氧化物TFT(sos-TFT)在电荷-载流子迁移率和/或阈值电压变化性方面提供了改进的电功能性。sos-TFT可以用来形成用于显示装置的薄膜晶体管阵列面板。示例sos-TFT包括：绝缘的栅极；第一半导体氧化物层，具有含有第一半导体氧化物的组分；第二半导体氧化物层，具有也包含半导体氧化物的不同组分。第一半导体氧化物层和第二半导体氧化物层具有各自的沟道区，所述沟道区受到施加到栅极的控制电压的电容性影响。在一个实施例中，第二半导体氧化物层包含第一半导体氧化物层中不含有的至少一种添加元素，其中，添加元素是镓(Ga)、硅(Si)、铌(Nb)、铪(Hf)和锗(Ge)中的一种。

公开(公告)号：CN109148514B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN201810619392.8

申请日：2018-06-15

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 孙暻锡 ,  金亿洙 ,  金宰范 ,  林俊亨 ,  林志勋

IPC分类号： H10K59/131 ,  H10K59/121 ,  H01L21/84

摘要： 提供了一种显示设备和一种制造该显示设备的方法。所述显示设备包括：基底，其上限定有第一区域、与第一区域间隔开的第二区域和在第一区域和第二区域之间并且沿弯曲轴弯曲的弯曲区域；第一薄膜晶体管(“TFT”)和第二TFT；以及第一导电层和第二导电层。第一TFT包括：第一有源层，包括多晶硅；第一栅电极；以及第一电极，设置在与第一导电层的水平相同的水平处，第二TFT包括：第二有源层，包括氧化物半导体；第二栅电极；以及第二电极，设置在与第二导电层的水平相同的水平处。

公开(公告)号：CN107819038A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201710817570.3

申请日：2017-09-12

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 林志勋 ,  金宰范 ,  朴晙皙 ,  孙暻锡 ,  林俊亨

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/43 ,  H01L27/32

CPC分类号： H01L27/1251 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  G02F2202/10 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1262 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/788 ,  H01L2227/323 ,  H01L29/786 ,  H01L29/43

摘要： 提供了一种晶体管和一种具有该晶体管的显示装置。所述晶体管包括：半导体层，包括沟道部、第一接触部和第二接触部；栅电极，面对浮置栅极；浮置栅极，设置在半导体层和栅电极之间浮置栅极与半导体层和栅电极绝缘。浮置栅极包括氧化物半导体。

公开(公告)号：CN107799603A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710790406.8

申请日：2017-09-05

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 朴晙皙 ,  林志勋 ,  金宰范 ,  林俊亨 ,  孙暻锡

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L29/423 ,  H01L21/34

CPC分类号： H01L29/78648 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/7869 ,  H01L2029/42388 ,  H01L27/124 ,  H01L29/78627 ,  H01L29/78696

摘要： 提供了一种薄膜晶体管阵列面板和相关制造方法。所述薄膜晶体管阵列面板包括晶体管，所述晶体管可以包括半导体、源电极、漏电极和栅电极。半导体可以包括第一掺杂区、第二掺杂区、源区、漏区和沟道区。沟道区设置在源区与漏区之间。第一掺杂区设置在沟道区与源区之间。第二掺杂区设置在沟道区与漏区之间。第一掺杂区的掺杂浓度低于源区的掺杂浓度。第二掺杂区的掺杂浓度低于漏区的掺杂浓度。源电极电连接到源区。漏电极电连接到漏区。栅电极与沟道区叠置。

公开(公告)号：CN103022144A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210359296.7

申请日：2012-09-24

申请人： 三星显示有限公司 ,  朴镇成 ,  株式会社神户制钢所

发明人： 安秉斗 ,  李制勋 ,  朴世容 ,  朴埈贤 ,  金建熙 ,  林志勋 ,  朴在佑 ,  朴镇成 ,  钉宫敏洋 ,  三木绫 ,  森田晋也 ,  岸智也 ,  田尾博昭

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/24

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66969

摘要： 本发明提供了一种氧化物半导体。该氧化物半导体包括第一材料和第二材料，该第一材料包括选自由锌（Zn）和锡（Sn）组成的组中的至少一种，其中第一材料与氧（O）之间的电负性差值减去第二材料与氧（O）之间的电负性差值而得到的值小于约1.3。