图像传感器及其制造方法
    32.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118471993A

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202410002532.2

    申请日:2024-01-02

    Abstract: 公开了一种图像传感器及用于制造图像传感器的方法。所述图像传感器包括:基底,包括有源区域和外围区域,有源区域包括多个光电转换像素,外围区域在有源区域周围延伸;透明窗,在基底上;壁结构,沿着基底的外围在外围区域上并且密封基底与透明窗之间的空间;平坦化绝缘层,在基底的外围区域的一部分和有源区域上;以及多个透镜图案,在平坦化绝缘层上。平坦化绝缘层包括第一透镜区域至第三透镜区域,并且透镜图案在第一透镜区域至第三透镜区域上具有不同的形状和/或以不同的间隔布置。

    半导体器件和图像传感器
    34.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107785385B

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN201710741357.9

    申请日:2017-08-25

    Abstract: 本发明提供一种半导体器件和一种图像传感器。半导体器件可以包括:衬底;衬底中的器件隔离图案,以将第一像素和第二像素彼此电隔离;器件隔离图案中的导电图案;以及器件隔离图案的侧表面上的掺杂层。掺杂层的导电类型可以与衬底的导电类型不同。

    图像传感器及制造其的方法

    公开(公告)号:CN107768388B

    公开(公告)日:2022-02-22

    申请号:CN201710700946.2

    申请日:2017-08-16

    Abstract: 一种配置为提供提高的可靠性的图像传感器可以包括含多种不同元素的电荷钝化层,不同元素的每种元素为金属元素或准金属元素。不同元素可以包括周期表元素的第一族的第一元素以及周期表元素的第二不同的族的第二元素。电荷钝化层可以包括非晶晶体结构。

    图像传感器
    36.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108122936B

    公开(公告)日:2021-11-30

    申请号:CN201710781134.5

    申请日:2017-09-01

    Abstract: 本发明涉及一种图像传感器。该图像传感器包括:多条沿第一方向延伸的行线;包括多条第一列线和多条第二列线的多条列线,所述多条列线与所述多条行线相交;以及沿所述多条行线和所述多条列线排列的多个像素,所述多个像素包括多个像素组,所述多个像素组中的每个像素组都包括两个或更多像素。每个像素都包括第一光电元件、第二光电元件、连接到第一光电元件的第一像素电路以及连接到第二光电元件的第二像素电路。在每一像素组中,第一像素电路共享所述多条第一列线之一,第二像素电路共享所述多条第二列线之一。

    图像传感器
    37.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111129072A

    公开(公告)日:2020-05-08

    申请号:CN201911312886.2

    申请日:2018-06-25

    Abstract: 本申请提出一种图像传感器。滤色器设置在衬底上。有机光电二极管设置在所述滤色器上。所述有机光电二极管包括:电极绝缘层,在所述衬底上具有凹槽区;第一电极,位于所述滤色器上,所述第一电极填充所述电极绝缘层的所述凹槽区;第二电极,位于所述第一电极上;以及有机光电转换层,夹置在所述第一电极与所述第二电极之间。所述第一电极包括相对于所述电极绝缘层的所述凹槽区的侧表面以第一角度延伸的接缝。

    图像传感器
    38.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109560105A

    公开(公告)日:2019-04-02

    申请号:CN201810661733.8

    申请日:2018-06-25

    Abstract: 本申请提出一种图像传感器。滤色器设置在衬底上。有机光电二极管设置在所述滤色器上。所述有机光电二极管包括:电极绝缘层,在所述衬底上具有凹槽区;第一电极,位于所述滤色器上,所述第一电极填充所述电极绝缘层的所述凹槽区;第二电极,位于所述第一电极上;以及有机光电转换层,夹置在所述第一电极与所述第二电极之间。所述第一电极包括相对于所述电极绝缘层的所述凹槽区的侧表面以第一角度延伸的接缝。

    图像传感器
    39.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108878397A

    公开(公告)日:2018-11-23

    申请号:CN201810442999.3

    申请日:2018-05-10

    CPC classification number: H01L27/307 H01L51/442

    Abstract: 提供了一种包括能够增强颜色再现性的有机光电层的图像传感器。根据本发明构思的图像传感器包括含彼此间隔开的多个像素区域和其间的隔离区域的半导体基板。所述多个像素区域的每个具有单位像素。该图像传感器还包括在隔离区域中并围绕单位像素的器件隔离层、第一透明电极层、有机光电层和第二透明电极层。该图像传感器还包括电连接到第一透明电极层并在隔离区域中布置于器件隔离层之间的通路插塞。通路插塞穿过隔离区域。第一透明电极层、有机光电层和第二透明电极层顺序地布置在半导体基板之上。

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