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公开(公告)号:CN1313272C
公开(公告)日:2007-05-02
申请号:CN200410007379.5
申请日:2004-03-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: B41J2/135
CPC classification number: B41J2/145 , B41J2/14233 , B41J2002/14362 , B41J2002/14491
Abstract: 本发明公开了一种喷墨打印头封装,其包括:一框架,它具有位于其中的垂直贯通的中空部;位于其中的供墨孔以及围绕中空部的沟槽,并且所述供墨孔形成在框架的底面中;涂覆在沟槽内侧的粘合剂;以及一打印头芯片,该芯片通过粘合剂粘接在框架上并且通过多个喷嘴将通过供墨孔提供的墨水喷射出。粘合剂可以采用室温硬化硅树脂和环氧树脂。将打印头芯片粘接在框架上,因而打印头芯片的喷嘴表面形成与框架的底面相同的平面。内部装有印刷电路板的托架与框架的上部结合,印刷电路板和打印头芯片通过柔性印刷电路相互电连接,而且供墨软管与供墨孔连接。
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公开(公告)号:CN110970551B
公开(公告)日:2025-01-07
申请号:CN201910318506.X
申请日:2019-04-19
Inventor: 郑在佑 , 马赫什·G·萨曼塔 , 斯图亚特·S·P·帕金 , 亚里·费兰特
Abstract: 公开了一种装置。该装置包括:具有体积单轴磁结晶各向异性的第一磁性层,其中第一磁性层的磁矩垂直于第一磁性层;和邻近第一磁性层的隧道势垒,其中第一磁性层的磁矩的取向通过由在第一磁性层和隧道势垒之间流动并且流过第一磁性层和隧道势垒的电流引起的自旋转移力矩来反转。
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公开(公告)号:CN117998970A
公开(公告)日:2024-05-07
申请号:CN202311474228.X
申请日:2023-11-07
Abstract: 磁性随机存取存储器(MRAM)堆叠体、制造MRAM堆叠体的方法、MRAM阵列、计算机系统、和MRAM器件。所述MRAM堆叠体包括第一磁性层,所述第一磁性层包括赫斯勒化合物。所述MRAM堆叠体还包括一个或多个种子层,其包括多层模板化结构体,所述多层模板化结构体包括配置成将所述赫斯勒化合物模板化和增强所述MRAM堆叠体的隧道磁阻(TMR)的结晶结构。所述第一磁性层形成于所述多层模板化结构体上方。所述多层模板化结构体包括:包括钨‑铝(WAl)的第一二元合金的层、和具有氯化铯(CsCl)结构的第二二元合金的层。所述第二二元合金覆盖所述第一二元合金。
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公开(公告)号:CN117412606A
公开(公告)日:2024-01-16
申请号:CN202310848586.6
申请日:2023-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种自旋轨道转矩磁性随机存取存储器(SOT‑MRAM)器件及其制造方法,该SOT‑MARM器件包括衬底、在衬底之上的自旋轨道转矩线、在自旋轨道转矩线之上的复合金属氧化物籽晶层以及在复合金属氧化物籽晶层之上的磁隧道结。磁隧道结包括在复合金属氧化物籽晶层之上的自由层、在自由层之上的主隧道势垒层以及在主隧道势垒层之上的被钉扎层。
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公开(公告)号:CN117255565A
公开(公告)日:2023-12-19
申请号:CN202310728447.X
申请日:2023-06-19
Abstract: 本发明提供一种磁性随机存取存储器(MRAM)堆叠、制造MRAM堆叠的方法和MRAM阵列。MRAM堆叠包括包含赫斯勒化合物的第一磁性层。MRAM堆叠还包括一个或更多个籽晶层,该一个或更多个籽晶层包括具有配置为模板化赫斯勒化合物的晶体结构的模板化结构。第一磁性层形成在模板化结构之上。MRAM堆叠还包括形成在模板化结构下方的铬(Cr)层。Cr层配置为增强MRAM堆叠的隧道磁阻(TMR)。
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公开(公告)号:CN111554807A
公开(公告)日:2020-08-18
申请号:CN202010078380.6
申请日:2020-02-03
Inventor: 郑在佑 , 斯图尔特·S·P·帕金 , 希拉格·加尔各 , 马赫什·G·萨曼特 , 帕纳约蒂斯·哈里劳斯·菲利波 , 亚里·费兰特
Abstract: 描述了包括多层结构的器件,所述多层结构包括三层。第一层为磁性Heusler化合物,第二层(用作间隔件层)在室温下为非磁性的,并且包括Ru和至少一种其它元素E(优选地:Al;或者Ga或Al与Ga、Ge、Sn或它们的组合的合金)的交替层,并且第三层也为磁性Heusler化合物。第二层的成分表示为Ru1-xEx,x在从0.45至0.55的范围内。MRAM元件可通过依次形成衬底、所述多层结构、隧道势垒和额外磁层(其磁矩可切换)而构成。
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公开(公告)号:CN102991134A
公开(公告)日:2013-03-27
申请号:CN201210328746.6
申请日:2012-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B41J2/1433 , B41J2/06 , B41J2/14201 , B41J2/14233 , B41J2/14314 , B41J2/16 , B41J2/161 , B41J2/162 , B41J2/1623 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1632 , Y10T29/49401
Abstract: 本申请提供一种打印设备,该打印设备包括:流动通道板,包括压力腔、喷嘴和沟槽,该喷嘴包括出口,压力腔中容纳的墨通过该出口喷出,沟槽设置在喷嘴周围并且该出口延伸到沟槽中;压电致动器,用于提供压力改变以用于喷出压力腔中容纳的墨;以及静电致动器,用于向喷嘴中容纳的墨提供静电驱动力。
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公开(公告)号:CN101007462A
公开(公告)日:2007-08-01
申请号:CN200610151301.X
申请日:2006-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , Y10T29/42 , Y10T29/49401
Abstract: 本发明公开了一种压电喷墨打印头及其制造方法。压电喷墨打印头构造成具有两个堆叠并连结的衬底。上衬底由单晶硅衬底或SOI衬底形成并包括穿过该上衬底的墨入口。下衬底由SOI衬底形成,SOI衬底具有第一硅层、中间氧化层和第二硅层顺序堆叠的结构。歧管、压力室和阻尼器通过湿法或干法蚀刻而形成在第二硅层中,喷嘴通过干法蚀刻而穿过中间氧化层和第一硅层形成。压电致动器形成在上衬底上,用于向各压力室施加驱动力,以喷射墨。该压电喷墨打印头构造成具有少量的衬底,从而减小了制造过程和成本,中间氧化层用作蚀刻停止层,以均匀地形成喷嘴,从而提高墨喷射性能。
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公开(公告)号:CN1541839A
公开(公告)日:2004-11-03
申请号:CN200410007379.5
申请日:2004-03-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: B41J2/135
CPC classification number: B41J2/145 , B41J2/14233 , B41J2002/14362 , B41J2002/14491
Abstract: 本发明公开了一种喷墨打印头封装,其包括:一框架,它具有位于其中的垂直贯通的中空部;位于其中的供墨孔以及围绕中空部的沟槽,并且所述供墨孔形成在框架的底面中;涂覆在沟槽内侧的粘合剂;以及一打印头芯片,该芯片通过粘合剂粘接在框架上并且通过多个喷嘴将通过供墨孔提供的墨水喷射出。粘合剂可以采用室温硬化硅树脂和环氧树脂。将打印头芯片粘接在框架上,因而打印头芯片的喷嘴表面形成与框架的底面相同的平面。内部装有印刷电路板的托架与框架的上部结合,印刷电路板和打印头芯片通过柔性印刷电路相互电连接,而且供墨软管与供墨孔连接。
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