公开(公告)号：CN102165568B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN200980137392.3

申请日：2009-09-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 壁义郎 ,  中村秀雄 ,  北川淳一

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: 硅氧化膜形成方法，在露出被处理体(W)的表面的硅上形成硅氧化膜。该方法包括：将被处理体载置到处理容器(1)内的载置台(2)上的工序；对处理容器内供给含氧的处理气体，生成处理气体的等离子体的工序；对载置台供给高频电力，对被处理体施加偏压的工序；和使等离子体与施加了偏压的被处理体作用来将硅氧化，形成硅氧化膜的工序。处理气体中的氧的比例设定在0.1％以上10％以下的范围内。在形成硅氧化膜的工序中，处理容器内的压力设定在1.3Pa以上266.6Pa以下的范围内。高频电力的输出，设定在对于被处理体的面积为0.14W/cm2以上2.13W/cm2以下的范围内。

公开(公告)号：CN102396054A

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN201080016865.7

申请日：2010-07-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中村秀雄 ,  壁义郎 ,  伊佐和裕 ,  北川淳一

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/28247 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/66833

Abstract: 公开了在等离子体处理装置的处理容器内使氢气和含氧气体的等离子体对在表面上露出了硅和金属材料的被处理体发挥作用，用该等离子体有选择地对上述硅进行氧化处理的选择氧化处理方法，该选择氧化处理方法包括：气体导入工序，其将经由第一供给路径的第一惰性气体作为运载气体，开始供给来自氢气供给源的上述氢气的时刻以后，将上述等离子体点火之前，将经由与上述第一供给路径不同的第二供给路径的第二惰性气体作为运载气体，开始供给来自含氧气体供给源的上述含氧气体；等离子体点火工序，其在上述处理容器内将包括上述含氧气体和上述氢气的处理气体的等离子体点火；和选择氧化处理工序，其用上述等离子体有选择地对上述硅进行氧化处理。

公开(公告)号：CN102165568A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200980137392.3

申请日：2009-09-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 壁义郎 ,  中村秀雄 ,  北川淳一

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: 硅氧化膜形成方法，在露出被处理体(W)的表面的硅上形成硅氧化膜。该方法包括：将被处理体载置到处理容器(1)内的载置台(2)上的工序；对处理容器内供给含氧的处理气体，生成处理气体的等离子体的工序；对载置台供给高频电力，对被处理体施加偏压的工序；和使等离子体与施加了偏压的被处理体作用来将硅氧化，形成硅氧化膜的工序。处理气体中的氧的比例设定在0.1％以上10％以下的范围内。在形成硅氧化膜的工序中，处理容器内的压力设定在1.3Pa以上266.6Pa以下的范围内。高频电力的输出，设定在对于被处理体的面积为0.14W/cm2以上2.13W/cm2以下的范围内。

公开(公告)号：CN102165567A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200980137715.9

申请日：2009-09-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山下润 ,  伊佐和裕 ,  中村秀雄 ,  北川淳一

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32559 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32192

Abstract: 在对埋设于载置台(5)的电极(7)供给偏压用的高频电力的等离子体处理装置(100)中，在对于作为电极的载置台(5)作为相对电极作用的铝制的盖部(27)的暴露于等离子体中的表面，涂覆保护膜(48)，优选Y2O3膜(48)。在形成处理容器(1)的下侧部分的第一部分(2)和形成处理容器(1)的上侧部分的第二部分(3)，设置有绝缘性的上部衬套(49a)和形成得更厚的绝缘性的下部衬套(49b)。防止不希望出现的短路和异常放电，形成稳定的高频电流路径。

公开(公告)号：CN101517716B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200780035987.9

申请日：2007-09-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 壁义郎 ,  小林岳志 ,  盐泽俊彦 ,  北川淳一

IPC: H01L21/316 ,  H01L27/04 ,  H01L21/76 ,  H01L29/78 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L21/76232 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66795

Abstract: 本发明提供硅氧化膜的形成方法、等离子体处理装置和存储介质，能够不损失等离子体氧化处理的优点地形成绝缘耐性优异、能够提高半导体装置的成品率的膜质优异的硅氧化膜。该硅氧化膜的形成方法包括：第一氧化处理工序，其以处理气体中的氧的比例为1％以下、且压力为133Pa以下的第一处理条件形成等离子体，利用该等离子体，氧化被处理体表面的硅，形成硅氧化膜；和第二氧化处理工序，其接着上述第一氧化处理工序，以处理气体中的氧的比例为20％以上、且压力为400～1333Pa的第二处理条件形成等离子体，利用该等离子体，氧化上述被处理体表面，进一步形成硅氧化膜。

公开(公告)号：CN101908484A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN201010133457.1

申请日：2006-04-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 北川淳一 ,  小林岳志

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/28273

Abstract: 通过利用具有多个缝隙的平面天线将微波导入处理室内、以产生处理气体的等离子体的氮化处理工序，在多晶硅层(111)的表面上形成氮化区域(112)。接着，在氮化区域(112)上形成CVD氧化膜(113)等，将多晶硅层(111)等图案化为规定形状后，将氮化区域(112)作为氧化阻挡层，通过热氧化，在露出的多晶硅层(111)的侧壁部等上形成热氧化膜(114)。由此，能够利用温度比以往更低的工序抑制鸟嘴的产生。

公开(公告)号：CN101842881A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200980100872.2

申请日：2009-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中村秀雄 ,  山下润 ,  北川淳一 ,  壁义郎 ,  福田良则

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/316 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32623 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32559 ,  H01J37/32633

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。在向埋设有载置台(5)的电极(7)供给偏压用的高频电力的等离子体氧化处理装置(100)中，在相对于载置台(5)作为相对电极起作用的铝制的盖部(27)的内周的暴露于等离子体的表面，涂敷作为保护膜的硅膜(48)。与硅膜(48)相邻在第二容器(3)和第一容器(2)的内面设置有上部衬里(49a)和壁厚形成为比该上部衬里(49a)厚的下部衬里(49b)，防止向这些部分的短路或异常放电，形成适当的高频电流路径，提高电力消耗效率。

公开(公告)号：CN101681832A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880019566.1

申请日：2008-08-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 壁义郎 ,  太田欣也 ,  北川淳一

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02252 ,  H01J37/32963 ,  H01L21/02238

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置(100)，其具备：在容器(1)内生成等离子体的等离子体生成机构、对向待处理体(晶片(W))移动的等离子体中的活性种的粒子数的累计值进行测量的测量部(60)、和当测量的累计值已达到设定值时进行控制以使等离子体处理结束的控制部(50)。测量部(60)从光源部(61)向等离子体照射规定的激光，由具备VUV单色光仪的检测部(63)接收，由此来测定活性种的粒子数。

公开(公告)号：CN101517716A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200780035987.9

申请日：2007-09-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 壁义郎 ,  小林岳志 ,  盐泽俊彦 ,  北川淳一

IPC: H01L21/316 ,  H01L27/04 ,  H01L21/76 ,  H01L29/78 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L21/76232 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66795

Abstract: 本发明提供硅氧化膜的形成方法、等离子体处理装置和存储介质，能够不损失等离子体氧化处理的优点地形成绝缘耐性优异、能够提高半导体装置的成品率的膜质优异的硅氧化膜。该硅氧化膜的形成方法包括：第一氧化处理工序，其以处理气体中的氧的比例为1％以下、且压力为133Pa以下的第一处理条件形成等离子体，利用该等离子体，氧化被处理体表面的硅，形成硅氧化膜；和第二氧化处理工序，其接着上述第一氧化处理工序，以处理气体中的氧的比例为20％以上、且压力为400～1333Pa的第二处理条件形成等离子体，利用该等离子体，氧化上述被处理体表面，进一步形成硅氧化膜。

公开(公告)号：CN100429753C

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200480003663.3

申请日：2004-02-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 北川淳一

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02249 ,  C23C8/02 ,  C23C8/28 ,  C23C8/34 ,  C23C8/36 ,  C30B33/005 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/3144

Abstract: 本发明对于半导体基板的表面通过利用了微波的等离子体，同时进行等离子体氧化处理和氮化处理，还根据需要，在基于所述那种等离子体氧氮化处理而形成绝缘膜之后，再对该绝缘膜进一步进行等离子体氮化处理。由此，可以形成电气性能良好的绝缘膜(硅氧化膜)。