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公开(公告)号：CN116072498A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211285523.6
申请日：2022-10-20
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。等离子体处理方法使用等离子体处理装置利用等离子体对基片进行处理，包括基于处理方案进行控制的控制工序，处理方案由多个处理步骤构成，对每个处理步骤设定了用于对基片进行处理的多个处理参数各自的参数值，在控制工序中，在将处理方案与预先确定的点火参照数据进行对照的结果是判断为难以通过基于该处理方案的控制使等离子体稳定地点火的情况下，执行包括等离子体的点火的处理步骤时，在经过等离子体达到稳定的稳定时间为止的期间，将多个处理参数中的一部分处理参数替换为与所设定的参数值不同的点火用参数值来进行控制，在经过稳定时间后，使用一部分处理参数的原来设定的参数值进行控制。
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公开(公告)号：CN115992343A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211251480.X
申请日：2022-10-13
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本发明提供一种溅射成膜装置和溅射成膜方法，能够高效地对靶进行溅射。溅射成膜装置具有：处理容器，其具有用于载置基板的载置台；金属窗，其与所述载置台相向，具有构成所述处理容器的顶面的第一面，且由非磁性金属构成；电感耦合天线，其与同所述金属窗的所述第一面相反一侧的、所述金属窗的第二面分离地配置，用于在所述处理容器内生成等离子体；高频电源，其与所述电感耦合天线连接；与所述金属窗连接的直流电源、直流脉冲电源以及交流电源中的任一方；以及气体供给部，其向所述处理容器内供给用于生成所述等离子体的处理气体。
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公开(公告)号：CN113299531A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110179866.3
申请日：2021-02-09
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 提供使等离子体密度的均匀性提高的电感耦合天线和等离子体处理装置。一种电感耦合天线，其为矩形框状，在对载置于载置台的载置面的矩形基板进行等离子体处理的处理容器内形成生成所述等离子体的感应电场，并具有与所述载置面相对的相对面，其中，该电感耦合天线具有：平面部，其位于所述相对面且将4个天线线材卷绕为位置各错开90°；以及纵卷部，其位于所述天线线材各自的末端，绕与所述相对面平行且与所述矩形框的角部交叉的卷绕轴线一边形成共用所述相对面的底部平面部一边以纵向卷绕的方式进行卷绕。
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公开(公告)号：CN104282520B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201410319167.4
申请日：2014-07-04
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/505
摘要： 本发明提供一种能够抑制由等离子体导致的金属窗的溅射削落并且能够进行等离子体的强度的分布调整的感应耦合型的等离子体处理装置。该对基板(G)进行等离子体处理的等离子体处理装置(100)包括：在等离子体生成区域内产生感应耦合等离子体的高频天线(11)；和配置在等离子体生成区域与高频天线(11)之间，与主体容器绝缘的金属窗(3)。金属窗(3)具有利用绝缘体相互绝缘的多个金属窗(30a～30d)，使这些金属窗(30a～30d)各自通过一个接地点接地。
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公开(公告)号：CN101730375B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN200910207040.2
申请日：2009-10-27
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/505 , C23F4/02 , H01L21/3065
摘要： 本发明供给一种功率效率更良好的感应耦合等离子体处理装置。该处理装置具有：处理室，容纳被处理基板并实施等离子体处理；载置台，在处理室内载置被处理基板；处理气体供给系统，向处理室内供给被处理气体；排气系统，对处理室内的气体进行排气；天线电路(13b)，通过电介质部件配置在处理室的外部，供给高频电力，由此在上述处理室内形成感应电场；和并联电路(天线电路(13a))，与天线电路(13b)并联连接，使天线电路(13a)的阻抗和天线电路(13b)的阻抗成为反相位，在处理室内生成感应耦合等离子体。
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公开(公告)号：CN103811262A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310565810.7
申请日：2013-11-14
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明提供能够使用金属窗对大型的被处理基板进行均匀的等离子体处理的电感耦合等离子体处理装置。本发明的电感耦合等离子体处理装置对矩形的基板实施电感耦合等离子体处理，具备：收容基板的处理室；用于在处理室内的配置基板的区域生成电感耦合等离子体的高频天线；和配置在生成电感耦合等离子体的等离子体生成区域与高频天线之间，与基板对应地设置的呈矩形的金属窗，金属窗（2）以电绝缘的方式被分割成包括长边（2a）的第一区域（201）和包括短边（2b）的第二区域（202），其中，第二区域（202）的径向的宽度（a）与第一区域（201）的径向的宽度（b）之比a/b在0.8以上1.2以下的范围。
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公开(公告)号：CN102438390A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110272056.9
申请日：2011-09-06
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明提供能够生成与矩形基板正对的状态的等离子体的天线单元，和能够使用该天线单元对矩形基板进行均匀的等离子体处理的感应耦合等离子体处理装置。在具有轮廓呈矩形的平面型天线(13a)的天线单元中，天线(13a)通过将多个天线导线(61、62、63、64)在同一平面内以角部的匝数比边的中央部的匝数多的方式卷绕而整体呈螺旋状地构成，天线导线的配置区域呈边框状，按照由天线(13a)的外廓线(65)和内廓线(66)围成的边框区域(67)相对于将天线(13a)的相对的2个边贯穿的中心线成为线对称的方式，在各天线导线形成有弯曲部(68)。
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公开(公告)号：CN101465283B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200810186165.7
申请日：2008-12-19
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/311 , H01J37/32 , H05H1/46
摘要： 本发明提供一种不会因异常放电产生问题，并且能够解决因附着在电极上的反应生成物而引起的问题的平行平板型等离子体处理装置以及等离子体处理方法。等离子体处理装置(1)包括：收容基板(G)的处理腔室(2)；在处理腔室(2)内相对设置的下部电极(3)以及上部电极(20)；向下部电极(3)施加频率为10MHz以上的第一高频电功率的第一高频电源(14)；向下部电极(3)施加频率为2MHz以上小于10MHz的第二高频电功率的第二高频电源(17)；向第二电极(20)施加频率为400kHz以上1.6MHz以下的高频电功率的第三高频电源(33)；向处理腔室(2)内供给用于生成等离子体的处理气体的气体供给机构(28)；和对处理腔室(2)进行排气的排气机构(41)。
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公开(公告)号：CN101277579B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200810087850.4
申请日：2008-03-26
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。在阳极电极和处理容器之间设置有阻抗调整部的等离子体处理装置中，能够容易并适当地调整阻抗调整部的阻抗，从而抑制异常放电。该等离子体处理装置具有：偏压用的高频电源；阻抗调整部；测定上述阻抗调整部的电压的电压测定部；位于上述阻抗调整部和电压测定部之间的带通滤波器；和当等离子体产生时使上述阻抗调整部的阻抗值发生改变，同时取得由上述电压测定部测定的电压值，根据该电压值，计算流入上述阳极电极的电流值，以使该电流值成为最大值或其附近的方式设定上述阻抗调整部的阻抗值的控制部。
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公开(公告)号：CN101237742B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200810009208.4
申请日：2008-01-29
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法以及存储介质。提供能够减少装置的构成要素，抑制装置结构的复杂化，并且总是能够进行稳定的等离子体处理的技术。该等离子体处理装置通过切换开关(51)使第一高频电源部选择性地与上部电极(3)和下部电极(6)连接，具有自动进行阻抗值的匹配的第一匹配电路(41)和第二匹配电路(71)，在已选择等离子体类别时，参照存储部的数据，通过切换开关(51)使上述高频电源部(5)与对应的电极连接，并且将第一匹配电路(41)和第二匹配电路(71)中作为阻抗调整电路起作用的匹配电路调整至适当的阻抗值。
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