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公开(公告)号：CN110247664A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201810195771.9
申请日：2018-03-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种数字逻辑电路模块，应用于逐次逼近寄存器型模拟数字转换器中，所述数字逻辑电路模块包括多个分别由D触发器，延迟单元dly，反相器inv和与非门nand构成的单元电路，各所述单元电路依次级联，在逐次逼近过程中，每一次当比较器进入锁存相位，开始比较时，本发明所示数字逻辑电路同时被触发，通过电路设计，使得比较器的锁存延迟时间和数字逻辑电路的延迟时间相匹配，从而，数字逻辑电路的每一级输出信号可以逐次捕获比较器的比较结果，本发明相比于现有技术减小了一个比较器锁存过程的延迟时间，同时由于D触发器数目减少了一半，数字逻辑电路中，时钟信号的负载也减小了一半，进一步提高了数字逻辑电路的速度，降低了功耗。
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公开(公告)号：CN105897206B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201610188060.X
申请日：2016-03-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H03F3/45
Abstract: 本发明涉及一种三级跨导放大器设计，其中，由NMOS管M3/M4/M5/M6和PMOS管M1/M2/M7/M8以及尾电流源Iss构成折叠式输入结构和第一级，由NMOS管M9/M10/M11/M12和PMOS管M13/M14构成的第二级，由NMOS管M15和PMOS管M16构成的第三级，由NMOS管M17/M18和PMOS管M19/M20以及电容Cc构成的补偿结构，补偿结构的输入端和跨导放大器的第二级输出端相连，补偿结构的输出端和跨导放大器的输出端相连。跨导放大器的电源为vdd1，补偿结构的电源为vdd2，电容CL表示跨导放大器的负载电容。本发明增益级增益A和电容Cc的乘积，引入一个左半平面零点，不会降低三级跨导放大器传输函数的主极点，保证跨导放大器拥有较大的‑3dB带宽和单位增益带宽。
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公开(公告)号：CN105915188B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201610222181.1
申请日：2016-04-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明提供一种跨导放大器，包括依次连接的输入电路、增益电路和输出电路，其中增益电路包括由多个MOS管组成的MOS管阵列，在MOS管阵列中每两个相邻列之间对应MOS管的栅极连接，且在每列MOS管中各个MOS管依次连接，在MOS管阵列的输出列中MOS管的非对称连接点与输出电路的输出端之间设置有补偿电容。通过本发明，相比于传统频率补偿技术，可以在通过增大补偿电容的容值来降低跨导放大器主极点频率的同时，避免跨导放大器的右半平面零点的频率也会随之降低，从而可以增大跨导放大器主极点频率与右半平面零点频率的距离，从而由此可以降低频率补偿时对跨导放大器频率特性的影响，提高跨导放大器的单位增益带宽，解决跨导放大器可能出现不稳定的问题。
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公开(公告)号：CN106027030B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201610335138.6
申请日：2016-05-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H03K19/094
Abstract: 本发明公开了一种高速高线性全差分跟随器，包括源极跟随器，所述源极跟随器包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、采样开关KP、采样开关KN和两个采样电容CL，该全差分跟随器还包括输入管衬底电压偏置电路，所述输入管衬底电压偏置电路包括第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管和第八NMOS管。在本发明中，输入管M1和M2的衬底电压会随着输入电压VIP和VIN的变化而变化，这会大大缓解传统输入NMOS管的衬底偏置效应，使得源极跟随器的输出阻抗趋于稳定，从而明显提高源极跟随器的线性度。
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公开(公告)号：CN105720936B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201610040317.7
申请日：2016-01-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明提供一种基于自偏置共源共栅结构的跨导放大器，包括PMOS输入管M1、M2、M3和M4构成的自偏置共源共栅输入级结构，NMOS管M5、M6、M7和M8构成的自偏置共源共栅第一级负载结构，NMOS管M9和PMOS管M10构成的第二级共源放大器结构，NMOS管M11、M12和PMOS管M13构成的偏置电路结构，放大器补偿电容CC，放大器负载电容CL，基准电流源Iref和提供恒流源功能的PMOS管M0。本发明还提供一种采用NMOS管作为输入管的自偏置共源共栅结构的跨导放大器。本发明第一级放大器的输入管和负载管均采用了自偏置共源共栅结构，提高了第一级放大器的输出阻抗，增加了第一级放大器的直流增益；第一级放大器的MOS管的衬底电压由放大器偏置电路提供；补偿电容Cc的连接方式，实现了更高的质量因数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107528594A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710740060.0
申请日：2017-08-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H03M1/46
CPC classification number: H03M1/468
Abstract: 本发明提供一种电荷式流水线逐次逼近型模数转换器，包括：高位电容阵列，用于对输入信号采样，还用于充、放电；低位电容阵列，其电容值与高位电容阵列的电容值相同，用于充、放电；开关控制电路，用于控制高、低位电容阵列的工作状态，还用于将高位电容阵列的残差电压以电荷共享方式分布至低位电容阵列；比较器，用于在半个周期内对低位电容阵列进行逐次比较，在另半个周期内对高位电容阵列进行逐次比较，将比较值依次输出；逐次逼近寄存逻辑电路，用于根据比较值闭合连接高、低位电容阵列的两项选择开关阵列的开关，直到闭合电容阵列的对应的开关得到数字信号。本发明还提供该模数转换器的控制方法，简化了电路的设计难度，减小了电路的面积。
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公开(公告)号：CN105700609B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201610256167.3
申请日：2016-04-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明提供一种参考电压产生电路，包括：电平转换电路，包括第一电荷泵、第一差分运算放大器、第一NMOS晶体管、第一电阻、第二电阻及第三电阻，其中，第一差分运算放大器、第一电荷泵、第一NMOS晶体管及第一电阻构成第一单位增益结构；用于通过所述第一单位增益结构输出参考电压，并通过第一电阻、第二电阻及第三电阻以差分形式将所述参考电压输出到所述前级驱动电路；前级驱动电路，包括第二差分运算放大器和第三差分运算放大器、第二电荷泵和第三电荷泵、第二NMOS晶体管、第一PMOS晶体管以及第四电阻，其中，第二差分运算放大器、第二电荷泵、第二NMOS晶体管构成第二单位增益结构，第三差分运算放大器、第三电荷泵、第一PMOS晶体管构成第三单位增益结构；用于根据所述第二单位增益结构及第三单位增益结构对所述电平转换电路输出的参考电压进行驱动；如此，本发明实施例提供的参考电压产生电路具有更高的建立精度和更大的输出摆幅。
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公开(公告)号：CN104363018B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201410559185.X
申请日：2014-10-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H03M1/02
Abstract: 本发明涉及一种用于开关电容电路的高速高精度驱动器，属于模拟或数模混合集成电路驱动器技术领域。该驱动器包括一个高增益运算放大器单元，一个高精度快速建立控制模块；所述高增益运算放大器单元具体包括：一个提供高增益的差分运算放大器AMP，提供输出电流的PMOS管P0，提供尾电流的尾电流源N0；所述高精度快速建立控制模块具体包括：一个Flash结构的ADC，两个阻抗变换单元Z1和Z2和一个电容C1。本发明相对于传统结构具有更高的线性度性能，能够有效的满足高速高精度驱动器的要求，特别适用于模拟或者数模混合集成电路中开关电容电路驱动器的设计。
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公开(公告)号：CN106921391A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201710119494.9
申请日：2017-03-02
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明提供一种系统级误差校正SAR模拟数字转换器，包括自举采样开关、第一电容阵列、第二电容阵列、开关阵列、比较器、逐次逼近寄存器异步逻辑模块和用于根据输入的差分信号变化调整工作模式的误差校正比较器；本发明通过比较器在两种工作模式之间切换，可以根据比较器输入信号幅度的差别，使得比较器工作在不同的工作状态，优化了比较器的工作方式，提高了比较器的工作效率，使得整个SARADC的性能进一步提升，并且本发明不需要引入额外的冗余位进行误差校正，简化了设计难度，提高了整个SARADC的工作速度。
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公开(公告)号：CN105915188A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610222181.1
申请日：2016-04-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
CPC classification number: H03F1/42 , H03F3/45632
Abstract: 本发明提供一种跨导放大器，包括依次连接的输入电路、增益电路和输出电路，其中增益电路包括由多个MOS管组成的MOS管阵列，在MOS管阵列中每两个相邻列之间对应MOS管的栅极连接，且在每列MOS管中各个MOS管依次连接，在MOS管阵列的输出列中MOS管的非对称连接点与输出电路的输出端之间设置有补偿电容。通过本发明，相比于传统频率补偿技术，可以在通过增大补偿电容的容值来降低跨导放大器主极点频率的同时，避免跨导放大器的右半平面零点的频率也会随之降低，从而可以增大跨导放大器主极点频率与右半平面零点频率的距离，从而由此可以降低频率补偿时对跨导放大器频率特性的影响，提高跨导放大器的单位增益带宽，解决跨导放大器可能出现不稳定的问题。
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