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公开(公告)号：CN107742604A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201710976639.7
申请日：2017-10-19
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种具有室温铁磁性氢铪共掺杂氧化铟薄膜的制备方法，采用直流磁控溅射法。以二氧化铪(HfO2)掺杂量为1.5～10wt.％的In2O3陶瓷靶为靶材，单晶硅作为衬底，纯度99.99％以上的高纯氩气(Ar)作为溅射气体，溅射过程中通入氢气(H2)作为掺杂源沉积，得到不同磁化特征的氢铪共掺杂氧化铟薄膜。
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公开(公告)号：CN102978589B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201210514034.3
申请日：2012-12-04
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: C23C16/50 , C23C16/455
Abstract: 一种PECVD喷淋电极，所述的电极（5）外形为圆桶形，上部有开口，下部有底；电极（5）的内部空间被带有通孔的初级气体匀气板（2）分成上下两部分，下部空间为初级气体缓冲室（1），上部空间为二级气体缓冲室（3）。初级气体缓冲室（1）内有一用于调整初级气体缓冲室体积的调整环（8），调整环（8）的下表面与电极（5）的底完全接触，调整环（8）的上表面与初级气体匀气板（2）完全接触。电极（5）上部的开口处有一带有通孔的二级气体匀气板（4），用以封闭开口；位于电极底的中心位置开有一进气口，进气口下连接有进气管。本发明通过改变初级气体匀气板与二级气体匀气板流导比实现喷淋效果。
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公开(公告)号：CN102734930B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201210225744.4
申请日：2012-06-29
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 一种基片加热装置，包括油箱体（12）及油箱密封盖。所述油箱体（12）为中空的圆桶形，且开口处设有外延边（11）；内部空间用于存放高温导热油。油箱密封盖外形为圆盘形。密封盖靠近边缘处设有与真空设备对接用紧固螺钉的通孔（7）；油箱密封盖的引线面设有加热器电源引线端子（3、6）、温度测量热偶引线（1、2）、进油口进油端（4）及出油口出油端（5）；所述的油箱密封盖的加热器面（8）上设有加热器（9）、两个温度测量热偶测量端口（1a、2a）、进油口出油端（4a）、出油口进油端（5a）；所述的加热器面（8）与油箱体外延边（11）直接对接，加热器面（8）上有密封刀口（14），所述的密封刀口（14）压在所述油箱体的外延边（11）上。
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公开(公告)号：CN102605349B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201210084682.X
申请日：2012-03-27
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 一种基片加热装置，包括箱体和基片载板加热架。所述的基片载板加热架安装在所述的箱体内。所述的基片载板加热架上有多个插槽。基片载板加热架安装在两条相对平行的导轨上，在水平方向上往复运动。需要加热的基片通过固定螺钉及基片载板插槽固定在基片载板上，再将基片载板插入基片载板加热架插槽中进行加热。本发明采用电加热方式加热，适用于对批次基片进行同时加热。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102605349A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210084682.X
申请日：2012-03-27
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 一种基片加热装置，包括箱体和基片载板加热架。所述的基片载板加热架安装在所述的箱体内。所述的基片载板加热架上有多个插槽。基片载板加热架安装在两条相对平行的导轨上，在水平方向上往复运动。需要加热的基片通过固定螺钉及基片载板插槽固定在基片载板上，再将基片载板插入基片载板加热架插槽中进行加热。本发明采用电加热方式加热，适用于对批次基片进行同时加热。
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公开(公告)号：CN102168666A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110096649.4
申请日：2011-04-18
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 一种太阳电池制备用的前级真空泵保护装置。所述的保护装置包括金属波纹管(8)、截止阀(9)、两组过滤器(10)和压力检测装置(11)。两组过滤器(10)并联，过滤器(10)进气口的一端通过截止阀(9)与金属波纹管(8)相连，过滤器(10)出气口的一端通过截止阀(9)与前级真空泵(12)相连，每组过滤器(10)的两端均装有截止阀(9)，每组过滤器(10)均连接有压力检测装置(11)，金属波纹管(8)的一端与两组过滤器的进气口截止阀相连，另一端与真空腔体相连。
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公开(公告)号：CN101570897A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200910085898.6
申请日：2009-06-03
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 一种用于单晶硅绒面制备的腐蚀液及用法，腐蚀液组分为：1％～5％(质量比)的NaOH或KOH水溶液，1mg/L－50mg/L的十二烷基硫酸钠，0－6％(质量比)的硅酸钠。制备绒面时将单晶硅片浸入所述腐蚀液中，在70－95℃的温度下腐蚀10－60分钟，即制得所需绒面。本发明方法简单、廉价，稳定，适用于大规模产业化。
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公开(公告)号：CN204589298U
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201520232477.2
申请日：2015-04-17
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: C23C16/455
Abstract: 一种进气混气装置，由气体管道簇及直筒两部分组成，气体管道簇插入直筒内。直筒的一端为一簇气体管道，为气体流入端；直筒的另一端为一通孔，为混合气体流出端。气体管道簇中，布置于圆盘中心的一根气体管道通入大流量气体，布置于大流量气体管道周围，且与大流量气体管道等距离的小流量气体管道通入小流量气体。气体流入端与气体流量计连接，混合气体流出端与等离子电极的进气口连接。大流量气体和小流量气体经气体流入端进入直筒部分，大流量气体的流动造成直筒内漏斗形空间产生负压区间，使小流量气体管道中的小流量气体流入直筒部分的漏斗形空间，与大流量气体混合。本实用新型尤其适用于流量差大于一个量级以上的不同气体的均匀混合。
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公开(公告)号：CN204825047U
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201520231780.0
申请日：2015-04-17
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: C23C16/455
Abstract: 一种气体配气装置，包括大流量气体管道及小流量气体管道。小流量气体管道的气体出口端穿过大流量气体管道的管壁，插入到大流量气体管道中并与大流量气体管道焊接固定。大流量气体管道的气体进口与大流量气体流量计连接，大流量气体管道的气体出口与电极气体进口连接。小流量气体管道进入大流量气体管道部分的长度等于大流量气体管道的半径。小流量气体管道进入大流量气体管道部分的顶端为一斜口，斜口与小流量气体管道的轴的夹角约为45°。斜口的开口朝向大流量气体管道的气体出口，与大流量气体管道中气体流动方向一致。每一小流量气体管道通入一种小流量气体，当小流量气体多于一种时，多根小流量气体管道相互错开布置。
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