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    一种阵列基板及其制备方法、显示装置
    31.
    发明公开
    一种阵列基板及其制备方法、显示装置 有权

    公开(公告)号：CN103838047A

    公开(公告)日：2014-06-04

    申请号：CN201410069289.2

    申请日：2014-02-27

    申请人： 京东方科技集团股份有限公司

    发明人： 曹占锋 ,  丁录科 ,  李正亮 ,  张峰 ,  孔祥春 ,  姚琪

    IPC分类号： G02F1/1362 ,  H01L21/77 ,  H01L27/12

    摘要： 本发明实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可以解决数据线发生断路后数据信号无法导通的问题，提高了阵列基板的良品率。该制备方法包括在衬底基板上形成沿第一方向平行排布的多根修复导线；在形成有所述修复导线的基板上形成包括源极、漏极、以及与所述源极电连接的数据线的源漏金属层；所述数据线沿所述第一方向平行排布；其中，任一根所述修复导线与一根所述数据线垂直对应，且直接接触。用于阵列基板及包括该阵列基板的显示装置的制造。

    一种TFT阵列基板及其制造方法和液晶显示器
    35.
    发明公开
    一种TFT阵列基板及其制造方法和液晶显示器 有权

    公开(公告)号：CN102683341A

    公开(公告)日：2012-09-19

    申请号：CN201210122560.5

    申请日：2012-04-24

    申请人： 京东方科技集团股份有限公司

    发明人： 孔祥春 ,  孙双 ,  曹占峰

    IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/77

    CPC分类号： H01L27/1288 ,  G02F2001/136222

    摘要： 本发明实施例提供的一种TFT阵列基板及其制造方法和液晶显示器，涉及液晶面板制造领域，能够减少TFT-LCD的制造步骤，降低生产成本。该TFT阵列基板包括：基板；所述基板上形成有栅极、栅线和遮光条；所述栅极上依次形成有栅绝缘层、半导体有源层、源极、漏极及沟道结构；所述栅绝缘层与所述半导体有源层相接触；所述源极、所述漏极和所述栅极上方形成有钝化层；所述栅绝缘层上方形成有像素电极及位于所述像素电极上方的至少一种原色滤光层；所述像素电极与所述漏极电连接。本发明实施例用于TFT阵列基板的制造。

    X射线平板探测器及其制备方法与白色绝缘材料
    36.
    发明授权
    X射线平板探测器及其制备方法与白色绝缘材料 有权

    公开(公告)号：CN104716152B

    公开(公告)日：2018-09-14

    申请号：CN201510152077.5

    申请日：2015-04-01

    申请人： 京东方科技集团股份有限公司

    发明人： 高锦成 ,  曹占锋 ,  姚琪 ,  李正亮 ,  何晓龙 ,  张斌 ,  孔祥春 ,  张伟

    IPC分类号： H01L27/146

    摘要： 本发明公开了一种X射线平板探测器及其制备方法与白色绝缘材料。X射线平板探测器，包括：薄膜晶体管基板；设置于该薄膜晶体管基板上具有反射作用的绝缘层，该绝缘层上设有暴露该薄膜晶体管基板的源极的接触孔；设置在该绝缘层上的像素电极，该像素电极通过该接触孔与该薄膜晶体管基板的源极导通；覆盖该像素电极的光电二极管；设置在该光电二极管上的电极；和设置在该电极上的X射线转换层。本发明的X射线平板探测器具有高量子探测效率和灵敏度。

    触控基板及其制作方法以及显示装置
    37.
    发明授权
    触控基板及其制作方法以及显示装置 有权

    公开(公告)号：CN104951136B

    公开(公告)日：2018-01-19

    申请号：CN201510391666.9

    申请日：2015-07-06

    申请人： 京东方科技集团股份有限公司

    发明人： 张斌 ,  曹占锋 ,  张方振 ,  何晓龙 ,  姚琪 ,  孔祥春 ,  李正亮

    IPC分类号： G06F3/041

    摘要： 本发明涉及一种触控基板及其制作方法以及显示装置，该触控基板包括：第一基底；触控电极，设置在第一基底之上；第二基底，设置在触控电极之上，其中，触控电极包括第一电极层和第二电极层，第二电极设置在第一电极层之上，第一电极层的宽度与第二电极层的宽度不同。通过本发明的技术方案，能够使得第二电极层与第一基底之间存在空隙的区域对应的触控电极不易被观察到，在保证触控电极具有足够传输信号能力的前提下，减少了被观察到的触控电极的线宽，降低了触控电极的可视性，实现对触控电极的消影。

    一种电极结构、薄膜晶体管、阵列基板及显示面板
    38.
    发明授权
    一种电极结构、薄膜晶体管、阵列基板及显示面板 有权

    公开(公告)号：CN104300008B

    公开(公告)日：2017-06-30

    申请号：CN201410601597.5

    申请日：2014-10-30

    申请人： 京东方科技集团股份有限公司

    发明人： 何晓龙 ,  姚琪 ,  曹占锋 ,  李正亮 ,  孔祥春 ,  张斌 ,  高锦成

    IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/41

    摘要： 本发明公开了一种电极结构、薄膜晶体管、阵列基板及显示面板，电极结构中至少包括层叠设置的第一金属层和第一石墨烯层，第一金属层的材料为铜或铜合金。由于石墨烯是由碳原子构成的单层六边形结构，结构稳定，具有较高的电荷迁移率，并且与铜原子之间的结合力强，对铜原子有很好的吸附作用。因此，利用第一石墨烯层对第一金属层中的铜原子的吸附和阻挡作用，可以有效防止电极结构中铜原子的扩散，同时由于石墨烯具有极高的电导率，与金属层形成的复合结构，可以进一步提高电极结构的导电性能。