一种显示装置、触控面板及其制作方法

    公开(公告)号:CN105159489A

    公开(公告)日:2015-12-16

    申请号:CN201510516320.7

    申请日:2015-08-20

    发明人: 操彬彬

    IPC分类号: G06F3/041

    摘要: 本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显示装置、触控面板及其制作方法。该触控面板的制作方法,包括步骤S1:在基板上通过一次构图工艺形成图案化的金属引线和金属架桥;步骤S2:沉积绝缘层和透明电极层,通过一次构图工艺形成绝缘层的图形以及用于触控的第一电极和第二电极的图形。本发明提供一种显示装置、触控面板及其制作方法,该方法通过一次构图工艺即可同时形成绝缘层、第一电极和第二电极的图形,最大程度地提高触控面板工艺生产的效率,节约生产成本,提升了产线竞争力。

    一种显示基板的制备方法及显示基板和显示装置

    公开(公告)号:CN105116649A

    公开(公告)日:2015-12-02

    申请号:CN201510527275.5

    申请日:2015-08-25

    发明人: 操彬彬

    IPC分类号: G02F1/1362

    摘要: 本发明提供一种显示基板的制备方法及显示基板和显示装置。该显示基板的制备方法包括在基板上形成有机树脂膜层,形成有机树脂膜层的步骤包括:步骤S1:将树脂材料、添加剂和有机溶剂配制成前驱体溶液;步骤S2:通过静电纺丝的方法将前驱体溶液喷射到基板上,在基板上形成有机树脂纳米纤维膜;步骤S3:对有机树脂纳米纤维膜进行固化;步骤S4:对固化后的有机树脂纳米纤维膜进行曝光工艺,形成有机树脂膜层的图形。该制备方法使有机树脂膜层的成膜无需再占用集成在曝光产线中的涂布设备,从而减少了有机树脂膜层在制备中占用曝光产线的次数,进而提高了曝光产线的产能,并降低了设备和运营成本;同时还使有机树脂膜层的制备工艺更加简单。

    阵列基板、阵列基板的制造方法和显示装置

    公开(公告)号:CN106353937B

    公开(公告)日:2020-11-24

    申请号:CN201611064649.5

    申请日:2016-11-28

    IPC分类号: G02F1/1343

    摘要: 本发明公开了一种阵列基板、阵列基板的制造方法和显示装置,属于显示技术领域。该阵列基板包括:衬底基板;衬底基板上设置有至少一个电极;设置有至少一个电极的衬底基板上设置有树脂层;设置有树脂层的衬底基板上设置有至少一个电极;其中,树脂层包括绝缘区域和至少一个导电区域,每个导电区域分别与位于导电区域上下两侧,且需要导通的两个电极接触。本发明提供的阵列基板,通过树脂层中的导电区域将树脂层两侧的电极进行连接,解决了相关技术中绝缘区域上方的电极在通过绝缘区域过孔与绝缘区域下方电极连接时,绝缘区域过孔处会形成较大的凹陷,阵列基板的平坦度较低的问题。达到了阵列基板的平坦度较高的效果。

    薄膜晶体管及其制作方法、显示基板和显示装置

    公开(公告)号:CN109860305B

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN201811588559.5

    申请日:2018-12-25

    发明人: 操彬彬

    IPC分类号: H01L29/786 H01L21/34

    摘要: 本发明提供了薄膜晶体管及其制作方法、显示基板和显示装置。该薄膜晶体管包括:衬底;缓冲层,缓冲层设置在衬底的表面上;有源层,有源层设置在缓冲层远离衬底的表面上;栅绝缘层,栅绝缘层设置在有源层远离衬底的表面上;栅极,栅极设置在栅绝缘层远离衬底的表面上,且栅极在衬底上的正投影与栅绝缘层在衬底上的正投影部分重叠;其中,薄膜晶体管的有源层的宽度小于栅极的宽度,且栅极在衬底上的正投影覆盖有源层在衬底上的正投影。该薄膜晶体管的有源层的宽度并不受限于栅极的宽度,可以制作得较小,因此该薄膜晶体管可以较为显著地增大开态电流,且工艺简单、容易实现、易于工业化生产。

    一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置

    公开(公告)号:CN106876481B

    公开(公告)日:2020-11-03

    申请号:CN201710308737.3

    申请日:2017-05-04

    发明人: 操彬彬 孙林 王超

    摘要: 一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置。该氧化物薄膜晶体管制造方法包括:提供衬底基板;在所述衬底基板上依次形成栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、源/漏电极层;从所述衬底基板背面进行激光退火工艺处理,以使所述有源层未与所述栅极金属层重叠的部分的电阻率低于所述有源层与所述栅极金属层重叠的部分的电阻率,其中,所述有源层未与所述栅极金属层重叠的部分与所述源/漏电极层电连接。本发明实施例提供的方案,减少了有源层和源/漏电极层间的搭接电阻,提升了氧化物薄膜晶体管的开态电流,迁移率和开关比。

    阵列基板制作方法、阵列基板及液晶显示装置

    公开(公告)号:CN111176011A

    公开(公告)日:2020-05-19

    申请号:CN202010102040.2

    申请日:2020-02-19

    摘要: 本发明是关于一种阵列基板制作方法、阵列基板及液晶显示装置,涉及显示技术领域。主要采用的技术方案为:第一氧化铟锡膜层的制作方法包括:层叠制作氧化铟锡膜层和金属保护层;于金属保护层背离氧化铟锡膜层一侧制作光刻胶层,采用半灰阶光罩工艺曝光,使光刻胶层形成第一光刻胶区和第二光刻胶区,所述第一光刻胶区对应红色像素区域和绿色像素区域,所述第二光刻胶区对应蓝色像素区域,所述第一光刻胶区的厚度小于所述第二光刻胶区的厚度;第一次刻蚀;灰化处理;第二次刻蚀;将所述第二光刻胶区剥离;将所述氧化铟锡膜层和所述金属保护层退火处理;第三次刻蚀;最终得到第一氧化铟锡膜层。采用本方法制作的阵列基板,可以降低蓝光对眼睛的伤害。