公开(公告)号：CN105047609B

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201510537061.6

申请日：2015-08-27

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

发明人： 王文龙 ,  黄寅虎 ,  林致远 ,  韩领 ,  马骏 ,  林亮

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L27/32 ,  G09G3/3208

摘要： 本发明涉及一种有机发光二极管阵列基板及其制备方法、触控显示装置，该阵列基板包括：第一金属层图案、透明导电层图案和绝缘层图案，第一金属层图案包括金属桥线，透明导电层图案包括阳极、多个沿第一方向延伸的第一电极和多个沿第二方向延伸的第二电极，每个第一电极包括多个第一子电极，每个第一电极中的每个所述第一子电极与对应的一条所述金属桥线电连接。该阵列基板通过将第一电极和第二电极与有机发光二极管的阳极形成在同一层，通过金属桥线将多个第一子电极电连接形成第一电极，由第一电极构成的触控感应线和第二电极构成的触控驱动线，实现了触控传感器的功能，可以应用于不同封装工艺的AMOLED显示器中。

公开(公告)号：CN106206623A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610851918.6

申请日：2016-09-26

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

发明人： 马涛 ,  林致远 ,  杨成绍

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362

CPC分类号： H01L27/1259 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/1244

摘要： 本发明实施例公开了一种显示基板、其制作方法、显示面板及显示装置。该方案中，由于制作显示基板的过程中，光刻胶薄膜中的完全去除区域距离像素电极的图形与漏极的图形的交叠区域有一定距离，这样，可以限制刻蚀范围无法到达像素电极的图形与漏极的图形的交叠区域对应的绝缘层薄膜，起到了阻挡作用，保护了该区域的绝缘层薄膜不被刻蚀，避免了像素电极的图形与漏极的图形的交叠区域对应的绝缘层薄膜出现孔洞，降低了底切不良的风险，提高了产品良率。

公开(公告)号：CN105140167A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510460889.6

申请日：2015-07-28

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 林致远 ,  黄寅虎

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/67

CPC分类号： H05K3/068 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67103 ,  H05K3/002 ,  H05K3/0085 ,  H05K3/067 ,  H05K2203/10 ,  H05K2203/1105 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/67115 ,  H01L2221/683

摘要： 本发明公开了一种承载装置、湿法刻蚀设备及其使用方法，其中，该承载装置包括：设置于所述待处理基板下方的承载主体和加热单元，承载主体用于承载所述待处理基板，且使得所述待处理基板呈倾斜放置，加热单元用于对所述待处理基板进行加热，以使得所述待处理基板上由顶部至底部所对应的温度逐渐升高。本发明的技术方案通过在待处理基板下方设置加热单元，以使得待处理基板上由顶部至底部所对应的温度逐渐升高，从而可提高位于待处理基板底部的刻蚀液的刻蚀速率，解决了位于待处理基板底部的刻蚀液因流动交换效率较低而造成刻蚀速率偏低的问题，进而提升了倾斜式湿法刻蚀过程中刻蚀速率的均一性。

公开(公告)号：CN106684095B

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201610930229.4

申请日：2016-10-31

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

发明人： 操彬彬 ,  林致远 ,  杨成绍 ,  黄寅虎

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

摘要： 本发明提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置。该阵列基板，包括透明衬底基板，在所述透明衬底基板上形成有金属布线和薄膜晶体管，在所述金属布线与所述透明衬底基板之间形成有漫反射层。本发明，可以在外界环境光照射在金属布线上时发生漫反射，也就减少了反射光的光强，因而可以提升对比度和增强显示效果，从而可以改善无边框显示器件的性能。

公开(公告)号：CN104992925B

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201510415374.4

申请日：2015-07-13

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 林致远 ,  黄寅虎 ,  邹志翔 ,  操彬彬

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L27/12

摘要： 一种导电过孔结构的制作方法、阵列基板的制作方法和显示装置的制作方法，所述阵列基板的制作方法包括：形成包括第一金属结构的第一金属层；在所述第一金属层上形成非金属层薄膜，使所述非金属层薄膜包括对应所述第一金属结构的第一部分；在所述非金属层薄膜上形成有机绝缘层薄膜，对所述有机绝缘层薄膜进行图案化处理以形成对应所述第一部分的第一有机绝缘层过孔；对经过所述图案化处理的所述有机绝缘层薄膜进行烘烤处理以形成有机绝缘层；以及在形成所述有机绝缘层之后，去除所述非金属层薄膜的所述第一部分，以形成非金属层并暴露出所述第一金属结构的部分表面。该方法可以在低成本的前提下尽量避免金属结构在形成有机绝缘层之后被严重氧化。

公开(公告)号：CN106684095A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201610930229.4

申请日：2016-10-31

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

发明人： 操彬彬 ,  林致远 ,  杨成绍 ,  黄寅虎

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

摘要： 本发明提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置。该阵列基板，包括透明衬底基板，在所述透明衬底基板上形成有金属布线和薄膜晶体管，在所述金属布线与所述透明衬底基板之间形成有漫反射层。本发明，可以在外界环境光照射在金属布线上时发生漫反射，也就减少了反射光的光强，因而可以提升对比度和增强显示效果，从而可以改善无边框显示器件的性能。

公开(公告)号：CN105047609A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510537061.6

申请日：2015-08-27

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

发明人： 王文龙 ,  黄寅虎 ,  林致远 ,  韩领 ,  马骏 ,  林亮

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L27/32 ,  G09G3/32

CPC分类号： G06F3/0412 ,  G06F3/0416 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04111 ,  G09G3/3225 ,  H01L21/77 ,  H01L27/124 ,  H01L27/323 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/5209 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/323 ,  H01L27/3244

摘要： 本发明涉及一种有机发光二极管阵列基板及其制备方法、触控显示装置，该阵列基板包括：第一金属层图案、透明导电层图案和绝缘层图案，第一金属层图案包括金属桥线，透明导电层图案包括阳极、多个沿第一方向延伸的第一电极和多个沿第二方向延伸的第二电极，每个第一电极包括多个第一子电极，每个第一电极中的每个所述第一子电极与对应的一条所述金属桥线电连接。该阵列基板通过将第一电极和第二电极与有机发光二极管的阳极形成在同一层，通过金属桥线将多个第一子电极电连接形成第一电极，由第一电极构成的触控感应线和第二电极构成的触控驱动线，实现了触控传感器的功能，可以应用于不同封装工艺的AMOLED显示器中。

公开(公告)号：CN104992925A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201510415374.4

申请日：2015-07-13

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 林致远 ,  黄寅虎 ,  邹志翔 ,  操彬彬

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13606 ,  G02F2001/136222 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/77 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/1262 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L27/1244

摘要： 一种导电过孔结构的制作方法、阵列基板的制作方法和显示装置的制作方法，所述阵列基板的制作方法包括：形成包括第一金属结构的第一金属层；在所述第一金属层上形成非金属层薄膜，使所述非金属层薄膜包括对应所述第一金属结构的第一部分；在所述非金属层薄膜上形成有机绝缘层薄膜，对所述有机绝缘层薄膜进行图案化处理以形成对应所述第一部分的第一有机绝缘层过孔；对经过所述图案化处理的所述有机绝缘层薄膜进行烘烤处理以形成有机绝缘层；以及在形成所述有机绝缘层之后，去除所述非金属层薄膜的所述第一部分，以形成非金属层并暴露出所述第一金属结构的部分表面。该方法可以在低成本的前提下尽量避免金属结构在形成有机绝缘层之后被严重氧化。

公开(公告)号：CN104733541A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201510124556.6

申请日：2015-03-19

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 操彬彬 ,  林致远

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  G02F1/1362

CPC分类号： H01L27/124 ,  H01L27/1262 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

摘要： 本发明提供了一种导电结构及其制作方法、阵列基板、显示装置，该导电结构的制作方法包括：在基板上依次形成阻挡金属薄膜、与所述阻挡金属薄膜层叠设置的铜金属薄膜；在所述铜金属薄膜上形成预设的光刻胶图案；对所述阻挡金属薄膜以及所述铜金属薄膜进行刻蚀；对所述刻蚀后所述阻挡金属薄膜中暴露出的侧壁以及所述铜金属薄膜中暴露出的侧壁进行氧化处理；采用剥离液剥离所述光刻胶图案。本发明实施方式提供的导电结构的制作方法，通过在采用湿法剥离工艺去除导电结构上的光刻胶前，对导电结构暴露出的侧壁进行氧化处理，使侧壁形成均一的金属氧化层，在进行湿法剥离时，能够有效改善铜金属薄膜与阻挡金属薄膜之间的界面分离现象。

公开(公告)号：CN106206623B

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201610851918.6

申请日：2016-09-26

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

发明人： 马涛 ,  林致远 ,  杨成绍

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362

摘要： 本发明实施例公开了一种显示基板、其制作方法、显示面板及显示装置。该方案中，由于制作显示基板的过程中，光刻胶薄膜中的完全去除区域距离像素电极的图形与漏极的图形的交叠区域有一定距离，这样，可以限制刻蚀范围无法到达像素电极的图形与漏极的图形的交叠区域对应的绝缘层薄膜，起到了阻挡作用，保护了该区域的绝缘层薄膜不被刻蚀，避免了像素电极的图形与漏极的图形的交叠区域对应的绝缘层薄膜出现孔洞，降低了底切不良的风险，提高了产品良率。