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公开(公告)号：CN101552279B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200910132982.9
申请日：2009-04-03
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 下津佐峰生
IPC: H01L27/142 , H01L27/146 , H04N5/225 , G06F17/50 , H01L21/82 , H01L21/762 , H01L21/31
CPC classification number: H01L27/1462 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1463 , H01L27/14685
Abstract: 本发明公开一种光电转换器件、其设计和制造方法以及成像系统。光电转换器件包括：多个光电转换单元；包含具有第一折射率的第一绝缘膜和具有第二折射率的第二绝缘膜的第一抗反射部分；以及包含元件隔离部分和第三绝缘膜的第二抗反射部分，所述元件隔离部分包含具有第三折射率的绝缘体，所述第三绝缘膜具有所述第二折射率，其中，第一抗反射部分减少光电转换单元中的进入光电转换单元的光的反射，并且，第二抗反射部分减少元件隔离部分中的进入元件隔离部分的光的反射。
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公开(公告)号：CN1490162A
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN03153397.3
申请日：2003-08-12
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B41J2/14072 , B41J2202/13
Abstract: 在设置第一布线(驱动电源(VH)用的布线)和第二布线(高电压接地用布线(GNDH))的情况下，其中第一布线共同连接到多个电热转换器24并连接到驱动电源上、为多个电热转换器24提供电力，第二布线用于将上述各个电热转换器30的源极区域接到接地电位上，将第二布线的电阻选择为比第一布线的电阻小。
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公开(公告)号：CN105720067B9
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201610164142.0
申请日：2011-07-04
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 下津佐峰生
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种固态图像拾取设备。该固态图像拾取设备具有：第一基板，具有设置在第一基板的主面上的光电转换器；第一布线结构，具有包含导电材料的第一接合部分；第二基板，在第二基板的主面上具有外围电路的一部分；以及第二布线结构，具有包含导电材料的第二接合部分。此外，第一接合部分和第二接合部分被接合为使得第一基板、第一布线结构、第二布线结构以及第二基板依次设置。此外，第一接合部分的导电材料和第二接合部分的导电材料被扩散防止膜包围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105244358A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510549978.8
申请日：2012-02-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14629 , H01L27/14632 , H01L27/14641 , H01L27/14687 , H01L27/14689
Abstract: 本发明涉及一种固态图像拾取装置、其制造方法和图像拾取系统。提供一种用于制造固态图像拾取装置的方法。所述图像拾取装置包括光电转换部分、在光电转换部分之上的第一绝缘膜、在第一绝缘膜上的第二绝缘膜、以及波导，所述光电转换部分设置在半导体衬底上，所述第一绝缘膜用作抗反射膜，所述第二绝缘膜与所述光电转换部分对应地设置，所述波导具有包层和芯，所述芯的底部设置在第二绝缘膜上。所述方法包括通过各向异性蚀刻设置在光电转换部分之上的部件的一部分来形成开口，从而形成包层，并在所述开口中形成芯。在所述方法中，在第二绝缘膜的蚀刻速率低于所述部件的蚀刻速率的条件下执行所述蚀刻。
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公开(公告)号：CN102301474B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201080006229.6
申请日：2010-01-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/022408 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H04N5/335
Abstract: 一种光电转换装置包括p型区域、在p型区域下面形成的n型埋置层、元件隔离区域、和至少覆盖元件隔离区域的下部部分的沟道阻断区域，其中，p型区域和埋置层形成光电二极管，并且，沟道阻断区域的主要杂质的扩散系数比埋置层的主要杂质的扩散系数小。
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公开(公告)号：CN102637708A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210027929.4
申请日：2012-02-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14629 , H01L27/14632 , H01L27/14641 , H01L27/14687 , H01L27/14689
Abstract: 本发明涉及一种固态图像拾取装置、其制造方法和图像拾取系统。提供一种用于制造固态图像拾取装置的方法。所述图像拾取装置包括光电转换部分、在光电转换部分之上的第一绝缘膜、在第一绝缘膜上的第二绝缘膜、以及波导，所述光电转换部分设置在半导体衬底上，所述第一绝缘膜用作抗反射膜，所述第二绝缘膜与所述光电转换部分对应地设置，所述波导具有包层和芯，所述芯的底部设置在第二绝缘膜上。所述方法包括通过各向异性蚀刻设置在光电转换部分之上的部件的一部分来形成开口，从而形成包层，并在所述开口中形成芯。在所述方法中，在第二绝缘膜的蚀刻速率低于所述部件的蚀刻速率的条件下执行所述蚀刻。
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公开(公告)号：CN102637702A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210024573.9
申请日：2012-02-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14627 , H01L27/14621 , H01L27/14629 , H01L27/1463
Abstract: 本发明涉及光电转换装置。该光电转换装置包括具有光电转换部分的半导体衬底。绝缘体被设置在所述半导体衬底上。所述绝缘体具有与所述光电转换部分对应的孔。波导部件被设置在所述孔中。层内透镜被设置在所述波导部件的较远离所述半导体衬底的一侧。第一中间部件被设置在所述波导部件与所述层内透镜之间。所述第一中间部件具有比所述层内透镜低的折射率。
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公开(公告)号：CN101552279A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910132982.9
申请日：2009-04-03
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 下津佐峰生
IPC: H01L27/142 , H01L27/146 , H04N5/225 , G06F17/50 , H01L21/82 , H01L21/762 , H01L21/31
CPC classification number: H01L27/1462 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1463 , H01L27/14685
Abstract: 本发明公开一种光电转换器件、其设计和制造方法以及成像系统。光电转换器件包括：多个光电转换单元；包含具有第一折射率的第一绝缘膜和具有第二折射率的第二绝缘膜的第一抗反射部分；以及包含元件隔离部分和第三绝缘膜的第二抗反射部分，所述元件隔离部分包含具有第三折射率的绝缘体，所述第三绝缘膜具有所述第二折射率，其中，第一抗反射部分减少光电转换单元中的进入光电转换单元的光的反射，并且，第二抗反射部分减少元件隔离部分中的进入元件隔离部分的光的反射。
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