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公开(公告)号：CN105676592A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201510893749.8
申请日：2015-12-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供收缩材料，其包括特定的聚合物和含有抗消失性溶剂的溶剂。通过将包含基础树脂和产酸剂的抗蚀剂组合物涂布到基材上以形成抗蚀剂膜、曝光、在有机溶剂显影剂中显影以形成负型抗蚀剂图案、将该收缩材料涂布到该图案上和用有机溶剂将过量的收缩材料除去以由此使该图案中的孔和/或狭缝的尺寸收缩，从而形成图案。
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公开(公告)号：CN105629664A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510827923.9
申请日：2015-11-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 光掩模坯具有化学增幅型正型抗蚀剂膜，该化学增幅型正型抗蚀剂膜包含：(A)包含在芳环上具有特定的取代基的重复单元和具有至少一个氟原子的重复单元的聚合物；(B)在酸的作用下分解以增加其在碱性显影剂中的溶解性的基础树脂；(C)产酸剂；和(D)碱性化合物。该抗蚀剂膜在时效稳定性和抗静电膜接受性上得到改善。
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公开(公告)号：CN102243439B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201110121500.7
申请日：2011-02-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397
Abstract: 提供一种用于EB或EUV平版印刷的化学放大正性抗蚀剂组合物，其包括(A)聚合物或聚合物共混物，其中聚合物或聚合物共混物的薄膜不可溶于碱性显影剂，但是在酸的作用下变为可溶于其中，(B)酸产生剂，(C)碱性化合物，和(D)溶剂。碱性化合物(C)为包括带有侧链的重复单元的聚合物，并且构成作为组分(A)的一种聚合物或多种聚合物的一部分或全部，所述侧链具有仲胺或叔胺结构作为碱性活性位点。
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公开(公告)号：CN102129172B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201110005991.9
申请日：2011-01-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/00 , C08F212/14 , C08F220/30
CPC classification number: G03F7/0382 , G03F7/0045
Abstract: 负性抗蚀剂组合物，其包括包含具有烷基硫基基团重复单元且具有1000-2500的Mw的基础聚合物，产酸剂和碱性组分，典型地为包含羧基、但不包括活性氢的胺化合物。其可以形成具有低LER值的45-nm线间隔的图案。
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公开(公告)号：CN102591152B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201110442501.1
申请日：2009-07-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/0382 , Y10S430/114 , Y10S430/128
Abstract: 本发明是一种化学增幅型光阻组合物，其至少含有1种或2种以上的具有羧基且不含有共价键结于碱性中心即氮上的氢的胺化合物或氧化胺化合物，但排除胺及氧化胺的氮原子被包含于芳香环的环状结构的情形。由此，可提供一种化学增幅光阻材料等的光阻材料、及使用此材料的图案形成方法，该光阻材料在用于微加工的微影成像术且特别是使用KrF激光、ArF激光、F2激光、极短紫外线、电子射线、X射线等作为曝光光源的微影术中，可赋予高解像性，同时在基板界面也能赋予良好图案形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101943864B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201010221430.8
申请日：2010-06-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0395 , G03F7/0397
Abstract: 本发明提供一种正型光阻组合物，其至少含有：(A)基础树脂，其是具有由酸不稳定基保护的酸性官能基的碱不溶性或难溶性的树脂，且在此酸不稳定基脱离时变为碱可溶性；(B)产酸剂；及(C)作为碱性成分的含氮化合物；其特征在于：所述基础树脂含有以下述通式(1)所表示的重复单元，并含有一种或两种以上的以下述通式(2)及/或通式(3)所表示的重复单元，而且，构成所述基础树脂的全部重复单元中，含有70摩尔％以上的以下述通式(1)、通式(2)和通式(3)所表示的重复单元。根据本发明，可以提供一种在用以进行微细加工的光刻，特别是使用KrF激光、极端紫外线、电子束、X射线等作为曝光源的光刻中，耐蚀刻性和解像性优异，即使在基板表面也可以形成良好的图案形状的正型光阻组合物，以及使用此正型光阻组合物的图案形成方法。
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公开(公告)号：CN101846876B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201010148960.4
申请日：2010-03-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 提供光掩模坯料，它包括透明基底，含由铬基础材料组成的最外层的单一或多层膜，和蚀刻掩模膜。蚀刻掩模膜是由含可水解硅烷的水解缩合物、交联促进剂和有机溶剂的组合物形成的硅氧化物基础材料膜且厚度为1-10纳米。蚀刻掩模膜具有高的耐氯干刻蚀性，从而确保光掩模坯料的高精度加工。
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公开(公告)号：CN101477307B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN200810154778.2
申请日：2008-06-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0046 , G03F7/0392
Abstract: 光掩模坯料具有抗蚀膜，该抗蚀膜包含(A)基础树脂，(B)产酸剂，和(C)碱性化合物。该抗蚀膜进一步包含(D)聚合物，该聚合物包含具有侧链的重复单元，该侧链带有氟化烃基，该氟化烃基包含与羟基键合的碳原子和与该碳原子键合的邻近碳原子，该邻近碳原子总计至少有两个与其键合的氟原子。聚合物(D)的加入确保整个抗蚀膜的均匀显影，能形成具有高CD均匀性的抗蚀图案。
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公开(公告)号：CN102253600A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110141668.4
申请日：2011-02-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0382 , G03F1/14 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , Y10S430/11 , Y10S430/111
Abstract: 提供了一种化学放大负性抗蚀剂组合物，包括(A)可溶于碱的基础聚合物，(B)酸产生剂和(C)含氮化合物，所述基础聚合物(A)在酸催化作用下变为碱不溶性。包括在侧链上具有氟化羧酸鎓盐的聚合物作为基础聚合物。用平版印刷法加工该负性抗蚀剂组合物可以形成抗蚀图案，其具有均匀的低酸扩散，LER改善和基材毒化降低的优点。
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公开(公告)号：CN102096321A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010568163.1
申请日：2010-11-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/038 , G03F1/08 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/20 , Y10S430/111
Abstract: 本发明是一种负型光阻组合物，其至少含有：(A)为碱可溶性且可由于酸的作用而变为碱不溶性的基础聚合物；(B)产酸剂；及(C)碱性成分；其特征在于：所述基础聚合物至少含有一高分子化合物，该高分子化合物含有由下述通式(1)及下述通式(2)所表示的重复单元，且重量平均分子量为1,000～10,000。根据本发明，可提供一种在形成微细图案时不易产生桥接，且能够赋予高解像性的负型光阻组合物及使用此负型光阻组合物的图案形成方法，
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