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公开(公告)号：CN113186601A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110484326.6
申请日：2021-04-30
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种高质量碳化硅籽晶、碳化硅晶体、碳化硅衬底及其制备方法。本发明制备高质量的碳化硅籽晶，并控制碳化硅粉料、石墨坩埚及保温材料的杂质浓度，结合一定的晶体生长工艺以及晶片加工方式，得到了高质量的碳化硅衬底。所得碳化硅衬底具有高的结晶质量，极低的微管数量、螺位错密度和复合位错密度；同时具有极低的p型杂质浓度，表现出优良的电学性能；还具有高的表面质量。
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公开(公告)号：CN112779603A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011535254.5
申请日：2020-12-23
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 北京天科合达新材料有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种高质量低缺陷碳化硅单晶片，且含有氮；碳面中的氮浓度低于硅面中的氮浓度，且氮浓度在晶片厚度方向上，随着距碳面的距离的增大而增加。本发明中的碳化硅单晶晶片能够保证向碳面凸起弯曲。此种向碳面凸起弯曲的结构在晶体切割和晶片加工过程中得以保留，并与加工应力抵消，可获得残余应力较小的碳化硅单晶晶片，同时有利于减小晶片位错，还保证了外延层的缺陷密度在较低水平。本发明还提供了一种高质量低缺陷碳化硅单晶的制备方法及应用。
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公开(公告)号：CN110592673B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201811534979.5
申请日：2018-12-14
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种高品质的大尺寸碳化硅晶体生长方法，旨在提高生长的SiC晶体质量，消除平面六方空洞缺陷。此方法包括以下步骤：将装有碳化硅原料和籽晶的坩埚放于单晶生长炉中，坩埚快速上推距离范围为5‑50mm，远离高温区，待达到一定的温度和压力条件下，坩埚缓慢下降，下降距离与坩埚上推距离一致，之后在一定的温度和压力条件下使碳化硅原料发生升华并在籽晶上结晶，将晶体冷却，获得碳化硅单晶。本发明的优点是：在晶体生长初期，使籽晶远离高温区，消除因温度高导致的籽晶烧蚀，从而消除平面六方空洞缺陷；同时保证SiC原料的充分利用，从而获得高品质的大尺寸碳化硅晶体。
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公开(公告)号：CN110592672A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201811533723.2
申请日：2018-12-14
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 , 北京天科合达新材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种低基面位错密度的碳化硅晶体生长方法，其包括：将装有碳化硅原料和籽晶的坩埚放于单晶生长炉中，在特定的温度和压力条件下使碳化硅原料发生升华并在籽晶上结晶，将晶体冷却，获得碳化硅单晶。本发明的优点是：在生长过程中，在温度保持在高温的条件下，通过控制生长室内的压力来调控SiC晶体生长过程的开始及中断，使碳化硅晶体在先开始生长后再中断生长然后再缓慢接长，从而促使基面位错在中断后接长时转换为刃位错，从而获得低基面位错密度的碳化硅晶体。
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公开(公告)号：CN105463575B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201610024961.5
申请日：2016-01-15
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种碳化硅籽晶处理方法，通过在籽晶生长面的背面形成致密的碳硅钇或碳化钇膜涂层来抑制籽晶的背面蒸发，生长出高质量的碳化硅晶体。由于该涂层的耐高温特性、以及材料组成的特殊性，直接抑制了碳化硅晶体背面的升华过程，有效消除了晶体生长过程中由背面蒸发导致的平面六角缺陷，极大地提高了碳化硅晶体质量及产率。
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公开(公告)号：CN118906274A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411334885.9
申请日：2024-09-24
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种碳化硅晶体的切割方法，包括以下步骤：利用装配有切割线的切割设备对碳化硅晶体进行砂浆切割处理，得到碳化硅晶片；所述切割线为表面电镀有金刚石磨粒的金属线；所述切割线的线径为20~70μm；所述砂浆切割处理采用的砂浆包括金刚石微粉与切削油；所述砂浆的粘度为5~50 mPa•s。与现有技术相比，本发明通过电镀有金刚石磨粒的切割线和含有金刚石微粉的砂浆液共同作用，再结合切割工艺参数的设置，确保切割后碳化硅晶片的总厚度变化和翘曲度变化，从而实现采用更细的切割线、更小粒度的磨粒达到降低切割损耗的目的，使将碳化硅晶体切割的单片损耗降低至100μm以内。
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公开(公告)号：CN117761083A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311783499.3
申请日：2023-12-22
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 深圳市重投天科半导体有限公司
IPC分类号： G01N21/956 , G02B21/36 , G01N21/01
摘要： 本申请公开了一种碳包裹物的检测方法及装置，该检测装置包括：显微镜头、环形红外发光器、测试平台以及聚焦传感器；环形红外发光器的上方设置有显微镜头；环形红外发光器用于对待检测样品照射红光；显微镜头用于捕拍待检测样品的图像；环形红外发光器的光路路径上设置有测试平台；测试平台用于承载待检测样品；测试平台的下方设置有聚焦传感器；聚焦传感器用于获取待检测样品的最佳聚焦距离参数。通过显微镜头根据多层图像的最佳聚焦位置对照射红光的待检测样品进行捕拍，不同深度和不同尺寸的碳包裹物都能够被捕拍到，再对捕拍到目标图像中的碳包裹物进行抓取，实现了精准识别碳包裹物的目的。
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公开(公告)号：CN117702258A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311822834.6
申请日：2023-12-26
申请人： 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种SiC籽晶粘结加热固定装置，包括石墨盘、石墨底托、压坨和压块，石墨底托放置于所述石墨盘上，所述石墨底托远离所述石墨盘的面上设置有用于放置石墨纸的放置腔；压坨放置于所述放置腔内，所述压坨的侧面与所述放置腔的腔壁对应设置；压块放置于所述压坨远离所述放置腔的面上；所述压坨与所述压块接触的面上设置有用于使二者对正的限位结构，所述放置腔的侧壁上设置有用于排气的排气孔，所述排气孔的第一端与所述放置腔的底部连通，第二端与所述石墨底托的外侧面连通。本发明的SiC籽晶粘结加热固定装置，保证了对石墨纸和SiC籽晶均匀加压，籽晶和石墨纸之间不会形成孔洞，提升了烧结后籽晶的合格率。
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公开(公告)号：CN117301329A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311028043.6
申请日：2023-08-15
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种晶托粘接装置，包括：主体，包括用于放置底托的操作面；压紧部，包括压板、压力传感器和调节组件，压板包括供晶体嵌入设置的凹陷区，压板与操作面间隔设置，压力传感器用于反馈压板施加的压力值，调节组件与压板传动连接以调节压板与操作面之间的距离；限位部，包括转动设置于主体上的限位杆，限位杆在转动至锁定位置时与压板配合在垂直于晶体的方向上夹紧晶体。本发明通过位置可调且适配晶体结构的的压板对晶体实现压合动作，实现对晶体的均匀施力，并通过压力传感器调节压力值以保证压合效果。本发明还提供了一种适用于上述晶托粘接装置的粘接方法。
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公开(公告)号：CN116230570A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310118338.6
申请日：2023-02-10
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本申请公开了一种晶圆测厚系统及方法，该系统包括显示模块、工控机、电气控制模块、信号采集模块；信号采集模块包括拍照单元、气体控制单元和测厚单元。显示模块用于获取晶圆的初始厚度、目标厚度、预设阈值和时间频率，并显示测试结果。工控机根据时间频率向电气控制模块发送测试信号，向电气控制模块发送测试指令，接收并计算测试数据后向显示模块发送测试结果。电气控制模块根据测试信号控制拍照单元进行拍照后，向主控机发送图片数据，接收并根据测试指令控制气体控制单元和测厚单元进行测试后，向工控机发送测试数据。由此直接对晶圆进行测厚，不需要通过测量其他物体间接进行测厚，测量的可靠性高，提升了测量精确度。
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