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公开(公告)号：CN113186601A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110484326.6
申请日：2021-04-30
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种高质量碳化硅籽晶、碳化硅晶体、碳化硅衬底及其制备方法。本发明制备高质量的碳化硅籽晶，并控制碳化硅粉料、石墨坩埚及保温材料的杂质浓度，结合一定的晶体生长工艺以及晶片加工方式，得到了高质量的碳化硅衬底。所得碳化硅衬底具有高的结晶质量，极低的微管数量、螺位错密度和复合位错密度；同时具有极低的p型杂质浓度，表现出优良的电学性能；还具有高的表面质量。
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公开(公告)号：CN113186601B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202110484326.6
申请日：2021-04-30
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种高质量碳化硅籽晶、碳化硅晶体、碳化硅衬底及其制备方法。本发明制备高质量的碳化硅籽晶，并控制碳化硅粉料、石墨坩埚及保温材料的杂质浓度，结合一定的晶体生长工艺以及晶片加工方式，得到了高质量的碳化硅衬底。所得碳化硅衬底具有高的结晶质量，极低的微管数量、螺位错密度和复合位错密度；同时具有极低的p型杂质浓度，表现出优良的电学性能；还具有高的表面质量。
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公开(公告)号：CN117628875A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311702841.2
申请日：2023-12-12
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 深圳市重投天科半导体有限公司
IPC分类号： F26B25/18
摘要： 本发明公开了一种干燥装置及其顶刀，该顶刀包括顶刀本体；顶刀本体用于同晶圆配合的固定结构为轴对称结构，至少用于为晶圆提供对称的两处支撑；固定结构的最低处开设有排水结构，贯通顶刀本体的侧壁。本方案一方面将固定结构设置为轴对称结构，以便于为晶圆提供对称的两处支撑，使得晶圆在被支撑时处于垂直稳定的状态，避免晶圆与清洗花篮发生接触，另一方面在固定结构的最低处开设有排水结构，以使得去离子水向下流动至固定结构的最低处时可实现排出，避免发生堆积，进而以使得流动至晶圆底部边缘的去离子水能够与晶圆快速脱离，从而可避免晶圆的底部产生水印或者边缘白，确保晶圆清洗效果。
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公开(公告)号：CN118737813A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410816810.8
申请日：2024-06-24
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 深圳市重投天科半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 一种去除碳化硅晶片表面金属杂质的清洗方法，包括以下步骤：将待清洗的碳化硅晶片依次进行H2SO4‑H2O2清洗液清洗、第一NH4OH‑H2O2‑H2O清洗液清洗、HCl‑H2O2‑H2O清洗液清洗、HF‑H2O2‑H2O清洗液清洗、第二NH4OH‑H2O2‑H2O清洗液清洗，干燥后得到清洗后的碳化硅晶片；所述第一NH4OH‑H2O2‑H2O清洗液中NH4OH的浓度为0.5～2wt％，H2O2的浓度为0.5～2wt％；所述第二NH4OH‑H2O2‑H2O清洗液中NH4OH的浓度为0.5～2wt％，H2O2的浓度为5～7.5wt％。本发明采用多种特定清洗液进行多步清洗，实现整体较好的相互作用，在保证清洗颗粒效果较好的状态下，Na、Mg、Al、K、Ca、Fe、Zn等金属含量可稳定控制在5E10atoms/cm2以内，并大大增加清洗液使用时间，减少消耗，降低成本。
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公开(公告)号：CN115785824B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202211646755.X
申请日：2022-12-21
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种化学机械抛光液，包括A组分、B组分和C组分；A组分包括20～50wt％的二氧化硅、0.001～2wt％的络合剂、0.001～1wt％表面活性剂、0.001～1wt％无机盐和水；B组分包括0.01～15wt％的偏钒酸钠、pH值调节剂和水，B组分的pH值为8～10.5；C组分包括草酸、柠檬酸、苹果酸、盐酸、硝酸和双氧水中的一种或几种，C组分的pH值为4～7。本发明中抛光液中性的PH值可获得较高的去除量且抛光表面质量佳，且利于生产设备长期运行，增强使用寿命。本发明还提供了一种化学机械抛光液的制备方法及应用。
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公开(公告)号：CN115785824A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211646755.X
申请日：2022-12-21
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种化学机械抛光液，包括A组分、B组分和C组分；A组分包括20～50wt％的二氧化硅、0.001～2wt％的络合剂、0.001～1wt％表面活性剂、0.001～1wt％无机盐和水；B组分包括0.01～15wt％的偏钒酸钠、pH值调节剂和水，B组分的pH值为8～10.5；C组分包括草酸、柠檬酸、苹果酸、盐酸、硝酸和双氧水中的一种或几种，C组分的pH值为4～7。本发明中抛光液中性的PH值可获得较高的去除量且抛光表面质量佳，且利于生产设备长期运行，增强使用寿命。本发明还提供了一种化学机械抛光液的制备方法及应用。
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公开(公告)号：CN118688115A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410828461.1
申请日：2024-06-25
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 深圳市重投天科半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种半导体衬底缺陷的检测装置及方法，装置包括：待检测衬底、测试台、上下双镜头成像装置和处理器。待检测衬底放置在可旋转的测试台上方，处理器控制测试台按照预设角度进行旋转，利用上下双镜头成像装置对待检测衬底的边缘进行逐个视野的单独成像，得到检测图像，通过处理器对各个检测图像进行运算和判断等操作，得到每个检测图像中待检测衬底的缺陷详细信息，即缺陷的数量信息和尺寸信息；以及得到待检测衬底的缺陷分布示意图。本发明综合运用反射、透射光学原理和旋转取样法，检测得到待检测衬底上表面和下表面的缺陷详细信息，整合得到缺陷分布示意图。达到了对半导体衬底双面的边缘瑕疵进行精准量化、精确定位并输出的效果。
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公开(公告)号：CN118181134A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410609547.5
申请日：2024-05-16
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本申请公开一种抛光垫定位装置及方法。该抛光垫定位装置包括定位杆和第一定位件；所述定位杆具有第一端和第二端；所述第一定位件设于所述第一端，所述第一定位件的外周壁形成第一定位面；所述第一定位件采用弹性材料制成，所述第一定位件用于通过所述第一定位面抵紧上抛光盘的供液孔的内周壁，以使所述定位杆和所述供液孔共轴定位；所述定位杆的所述第二端用于和所述抛光垫的过液孔共轴定位。该定位装置在应用时，能够提高抛光垫定位的精度，且操作简单，可提升抛光垫定位的效率。
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公开(公告)号：CN117761083A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311783499.3
申请日：2023-12-22
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 深圳市重投天科半导体有限公司
IPC分类号： G01N21/956 , G02B21/36 , G01N21/01
摘要： 本申请公开了一种碳包裹物的检测方法及装置，该检测装置包括：显微镜头、环形红外发光器、测试平台以及聚焦传感器；环形红外发光器的上方设置有显微镜头；环形红外发光器用于对待检测样品照射红光；显微镜头用于捕拍待检测样品的图像；环形红外发光器的光路路径上设置有测试平台；测试平台用于承载待检测样品；测试平台的下方设置有聚焦传感器；聚焦传感器用于获取待检测样品的最佳聚焦距离参数。通过显微镜头根据多层图像的最佳聚焦位置对照射红光的待检测样品进行捕拍，不同深度和不同尺寸的碳包裹物都能够被捕拍到，再对捕拍到目标图像中的碳包裹物进行抓取，实现了精准识别碳包裹物的目的。
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公开(公告)号：CN116230570A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310118338.6
申请日：2023-02-10
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本申请公开了一种晶圆测厚系统及方法，该系统包括显示模块、工控机、电气控制模块、信号采集模块；信号采集模块包括拍照单元、气体控制单元和测厚单元。显示模块用于获取晶圆的初始厚度、目标厚度、预设阈值和时间频率，并显示测试结果。工控机根据时间频率向电气控制模块发送测试信号，向电气控制模块发送测试指令，接收并计算测试数据后向显示模块发送测试结果。电气控制模块根据测试信号控制拍照单元进行拍照后，向主控机发送图片数据，接收并根据测试指令控制气体控制单元和测厚单元进行测试后，向工控机发送测试数据。由此直接对晶圆进行测厚，不需要通过测量其他物体间接进行测厚，测量的可靠性高，提升了测量精确度。
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