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公开(公告)号：CN118190990A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410117292.0
申请日：2024-01-29
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： G01N23/20025 , G01N23/20008
摘要： 本发明提供一种用于原位调控晶体外加电场的单晶衍射样品台装置，包括：柱体结构的夹头，所述夹头的内部包括通道，所述通道的两个端口分别设置在所述夹头的顶面和侧面；所述夹头的底面插入底座的轴向孔，使所述夹头与所述底座插接；环形结构的夹环，所述夹头穿进所述夹环与所述夹环连接，且所述夹头与所述夹环连接的接触面不覆盖设置在所述夹头侧面上的端口；所述夹环的外侧面或内侧面设有两个同一径向的接线柱，所述接线柱利用接线端子连接外部电源；以及空心管状结构的晶体载具，其一端插入所述夹头顶面的端口与所述夹头插接，另一端用于承载待测样品。本发明结构简单，能够安全用于原位调控晶体外加电场的单晶衍射测试。
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公开(公告)号：CN116288647A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211566479.6
申请日：2022-12-07
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明提供了一种碳化硅单晶的生长方法、碳化硅单晶、坩埚和生长系统。生长方法包括：将碳化硅籽晶置于坩埚的底部；将原料块覆盖在碳化籽晶上；其中原料块包括硅元素和碳元素；将助熔剂装到原料块和坩埚内壁之间的区域；对坩埚进行加热，以使助熔剂熔化；向上提拉原料块，使熔化后的助熔剂流入碳化硅籽晶和原料块之间，且使原料块的底面与助熔剂接触；经第一预设时长后，向上提拉原料块，使其与熔化的助熔剂分离；将坩埚的温度降低至指定温度，得到基于碳化硅籽晶生长的碳化硅单晶。本发明不存在或可大大减小籽晶掉落的可能性，生长前SiC籽晶被上方的原料块覆盖，阻碍了助熔剂熔体挥发物在籽晶表面上的沉积，防止了生长初期产生的大量缺陷。
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公开(公告)号：CN116163009A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202111403566.5
申请日：2021-11-24
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明提供一种生长碳化硅单晶的方法，其包括如下步骤：(1)将原料装配于用于碳化硅单晶生长的装置内；(2)将所述装置放置于单晶生长炉中感应线圈中；(3)然后，采用第一保护性气体进行洗炉，并控制生长炉的真空度；(4)然后，在第二保护性气体的存在下，通过控制所述装置内压强和温度进行碳化硅单晶生长；(5)待碳化硅单晶生长完成后，对所述装置进行退火；待所述装置冷却至室温，得到碳化硅单晶。本发明的方法可以生长大尺寸如8英寸以上的SiC单晶。本发明的方法可以增加SiC晶体生长中原料利用率，降低生长SiC单晶中原料的用量，并且降低生长成本。
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公开(公告)号：CN115976625A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310109001.9
申请日：2023-02-14
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明提供了一种用于制备3C‑SiC单晶的方法，其包括以下步骤：(1)将SiC籽晶固定至石墨籽晶托，然后将所述石墨籽晶托固定至石墨提拉杆；(2)将含Si和Al的助熔剂置于石墨坩埚中；(3)然后，将所述石墨坩埚和石墨提拉杆装载到生长炉中；(4)对所述生长炉抽真空，然后通入气体以控制生长炉内的气压和3C‑SiC的晶型；(5)加热所述石墨坩埚至助熔剂完全熔化以形成熔体，并达到SiC的生长温度；(6)下推所述石墨提拉杆使得所述SiC籽晶与熔体接触，进而生长3C‑SiC单晶；其中，所述助熔剂还包含熔点低于SiC生长温度的3d族过渡金属。本发明的方法能够生长出高质量、大尺寸(如2‑6英寸)、低缺陷、单一晶型、掺杂均匀的n型、p型和半绝缘的3C‑SiC单晶。
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公开(公告)号：CN114672881A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202011572743.8
申请日：2020-12-24
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： C30B29/40 , C30B23/02 , C30B35/00 , C04B35/56 , C04B35/622
摘要： 本发明提供一种碳化钽坩埚，其包括：碳化钽坩埚本体，其中所述碳化钽坩埚本体具有均匀壁厚，以及所述碳化钽坩埚本体包括具有上端开口的圆筒状侧壁和呈下凹的空心半球状底壁；其中所述侧壁和所述底壁一体成型；碳化钽坩埚盖，其尺寸和形状被设计为匹配于所述上端开口，以将所述上端开口闭合。本发明还提供一种制备本发明的碳化钽坩埚的方法。本发明还提供本发明的碳化钽坩埚或者本发明的方法制得的碳化钽坩埚在晶体生长，特别是氮化铝晶体生长中的应用。本发明的碳化钽坩埚解决传统一体式坩埚易于开裂的问题和分体式坩埚带来损失原料、退化石墨保温辅件性能、影响温场稳定控制的诸多弊端。
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公开(公告)号：CN112661629A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011548589.0
申请日：2020-12-24
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： C07C51/41 , C07C51/43 , C07C53/06 , C07C209/00 , C07C209/86 , C07C211/38 , H01L37/02
摘要： 本发明提供全有机热释电材料，其具有以下化学式：A1‑xA’xB1‑yB’y，其中A为质子化的金刚烷胺；B为甲酸根离子；A’为选自质子化的2‑金刚烷胺、质子化的卤素取代金刚烷胺、质子化的甲基金刚烷胺、质子化的3‑氨基‑1‑金刚烷醇、质子化的金刚烷胺酮和质子化的氘代金刚烷胺中的一种或几种；B’为选自氯离子、溴离子、碘离子、亚硝酸根离子、次磷酸根离子、乙酸根离子、卤素取代甲酸根离子、卤素取代乙酸根离子、氘代甲酸根离子和氘代乙酸根离子中的一种或几种；0≤x≤0.3，0≤y≤0.3。本发明还提供制备本发明的全有机热释电材料的方法。本发明还提供本发明的全有机热释电材料在热释电器件中的应用。本发明的全有机热释电材料在室温下具有高的热释电电压优值。
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公开(公告)号：CN110747504B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201911174051.5
申请日：2019-11-26
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 一种碳化硅单晶的生长方法，包括如下步骤：在晶体生长过程中，将碳化硅籽晶与石墨坩埚中的熔融Si合金溶液上表面接触并不断提拉；同时，从石墨坩埚中溶解C形成富C溶液，从而形成稳定的C的供应，以实现碳化硅单晶的液相外延生长；其中，所述熔融Si合金溶液为Si、Cr、Al、X的熔融溶液，其中X为Yb、Pr或者Ce；所述石墨坩埚为底部配有石墨旋桨且顶部内侧镀有光滑的钨薄层的石墨坩埚。本发明的方法简单，易于操作，且生长过程的温度低。较低的生长温度也对应于更加经济的能源消耗。同时，通过本发明的方法制得的碳化硅单晶表面光亮、无附着物、晶体质量高。
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公开(公告)号：CN105562692B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201610122237.6
申请日：2016-03-03
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明涉及一种烧结模具，包括压头、模具主体、承压平台和垫片，所述模具主体上设置有多个腔体，所述压头和腔体的数量及位置相对应，所述压头固定在压板的第一面上；所述模具主体放置在所述承压平台上，所述垫片放置在所承压平台上并位于所述腔体内。本发明提供的烧结模具，在一个模具上设置多个腔体，可一次性热压合成烧结大批量样品，同时，由于多个腔体大小不同，可实现对多个腔体内的温度调控，使多个腔体内的温度可以互不相同，从而使一次获得的大批量样品实现完全差异化。且单个腔体内可以合成微量样品至微克量级，每个腔体直径分布在2‑12.7mm之间，合成材料尺寸足够进行各项表征和物理性能测试。
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公开(公告)号：CN105734671B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201410754298.5
申请日：2014-12-10
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 中国科学院物理研究所 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种高质量碳化硅晶体生长的方法，其包括位于高温区的碳化硅原料，位于温度低于原料区的籽晶，以及覆盖于原料之上的一层耐高温化学性能稳定的碳化物粉末层。相比于常规的气相传输法生长碳化硅晶体，本发明不同之处在于碳化硅原料表面上增加了一层耐高温化学性能稳定的碳化物粉末层，其优点是：耐高温化学性能稳定碳化物粉末层能够显著减少晶体中的包裹物缺陷，获得高质量的碳化硅晶体，提高了碳化硅晶体生长的成品率。
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公开(公告)号：CN106159003B
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201510164655.7
申请日：2015-04-09
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/0745 , H01L31/0224
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本发明提供了一种光伏装置，包括光源和光伏器件，所述光伏器件包括高阻光增益半导体衬底，位于所述高阻光增益半导体衬底上的石墨烯层，位于所述高阻光增益半导体衬底和所述石墨烯层上的第一电极和第二电极，其中，所述第一电极的一部分与所述高阻光增益半导体衬底接触，另一部分与所述石墨烯层接触，所述第二电极的一部分与所述高阻光增益半导体衬底接触，另一部分与所述石墨烯层接触，其中，所述光源发射的光的能量大于所述高阻光增益半导体衬底的带隙。该光伏装置充分利用各组成部分的优势，光电转换效率高。
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