公开(公告)号：CN112331704B

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202011162243.7

申请日：2020-10-27

申请人： 华中科技大学

发明人： 唐江 ,  李京徽 ,  杜培培 ,  王亮 ,  罗家俊

IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01L51/00 ,  H01L51/54

摘要： 本发明属于显示器技术领域，公开了一种钙钛矿显示面板及其制备方法，该显示面板的发光显示层同时使用绿光像素化单元材料、红光像素化单元材料和蓝光像素化单元材料，能够在电场驱动下实现RGB显示，其中，绿光像素化单元材料为热蒸镀沉积的绿光卤素钙钛矿，红光像素化单元材料和蓝光像素化单元材料分别为热蒸镀沉积的红光有机发光材料和蓝光有机发光材料。本发明利用热蒸镀沉积的绿光卤素钙钛矿作为绿光像素化单元材料，并与热蒸镀沉积的红光有机发光材料和蓝光有机发光材料相配合，得到的钙钛矿显示面板能够在电场驱动下实现RGB显示，能够有效扩宽现有OLED显示面板光谱色域的宽度，提升显示色彩的饱和度和多样性。

公开(公告)号：CN112457843B

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202011328007.8

申请日：2020-11-24

申请人： 华中科技大学

发明人： 牛广达 ,  唐江 ,  潘伟程 ,  夏梦玲 ,  罗家俊

IPC分类号： C09K11/06 ,  C07F7/24 ,  G01T1/20

摘要： 本发明属于晶体材料应用技术领域，公开了卤化物钙钛矿材料在高能射线探测中的应用及其制备方法，其中的应用是将卤化物钙钛矿材料在高能射线探测中的应用，该卤化物钙钛矿材料的化学式为PEA2PbBrxCl(4‑x)，其中，PEA代表苯乙胺，x为满足4≥x≥0的任意实数；所述高能射线的能量>1keV。本发明通过对钙钛矿材料的组成、结构进行改进，采用特定组成的卤化物钙钛矿材料PEA2PbBrxCl(4‑x)应用于高能射线探测，利用卤素钙钛矿优异的发光性质，可以将高能射线高效转化成可探测的可见光信号，同时发光寿命短，从而可用于PET和CT等高能射线成像中。

公开(公告)号：CN111031624A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201911377883.7

申请日：2019-12-27

申请人： 华中科技大学

发明人： 唐江 ,  谭智方 ,  罗家俊 ,  高亮 ,  杨龙波 ,  牛广达

IPC分类号： H05B33/08 ,  H01L51/50

摘要： 本发明属于半导体材料及器件领域，公开了一种稳定混合卤素钙钛矿材料电致发光光谱的方法及应用，该方法是先以混合卤素钙钛矿发光材料作为发光层材料构建发光二极管器件，通过向该二极管器件施加交流电作为工作电压，能够抑制所述混合卤素钙钛矿发光材料在电场下的卤素漂移和分相过程，稳定该二极管器件的发光光谱，稳定混合卤素钙钛矿材料的电致发光光谱；其中，交流电中的正向电压波形能够驱动二极管器件工作，反向电压波形能够驱动二极管器件内离子迁移。本发明通过引入交流电，利用交流电正反向电压对钙钛矿中的卤素的离子迁移进行抑制和回复，稳定钙钛矿的结构相，与现有技术相比能够有效稳定混合卤素钙钛矿材料的电致发光光谱。

公开(公告)号：CN108649128B

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201810388893.X

申请日：2018-04-27

申请人： 华中科技大学

发明人： 唐江 ,  罗家俊 ,  牛广达 ,  李顺然 ,  刘婧 ,  张成

IPC分类号： H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

摘要： 本发明公开了一种单组分电致白光器件及其制备方法，该器件是以单组分的钙钛矿材料作为发光活性层，通过传输层电注入载流子，在活性层产生受限激子态的发光，其电致发光光谱可覆盖整个可见光区域。本发明通过引入一种新的机理进入电致白光领域，与现有技术相比制备工艺简单，仅需一个发光层即可实现宽光谱白光，并能够有效解决现有电致白光光谱不稳定的问题。

公开(公告)号：CN107248538A

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201710375865.X

申请日：2017-05-25

申请人： 华中科技大学

发明人： 唐江 ,  巫皓迪 ,  牛广达 ,  潘伟程 ,  罗家俊 ,  尹力骁

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/09

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/09

摘要： 本发明公开了一种双钙钛矿晶体的后处理方法及应用，其中该后处理方法包括以下步骤：对双钙钛矿晶体Cs2AgBiX6进行退火处理，然后冷却，接着对冷却后的所述晶体利用溶剂进行表面钝化处理，从而提高该双钙钛矿晶体的迁移率，降低其表面复合速率。本发明通过对关键后处理所采用的工艺流程、以及各个工艺步骤所采用的具体条件参数进行改进，与现有技术相比能够有效解决双钙钛矿Cs2AgBiX6晶体Ag、Bi的错位发生概率高、晶体内部缺陷多、晶体的载流子迁移率和载流子寿命乘积(μτ)不高等问题，并且使用本发明中的后处理方法得到的晶体尤其适用于应用于辐射探测器中。

公开(公告)号：CN104614413B

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201510067819.4

申请日：2015-02-09

申请人： 华中科技大学

发明人： 罗真 ,  刘欢 ,  徐宋曼 ,  罗家俊 ,  刘铁峰 ,  李康华 ,  李敏 ,  唐江 ,  周印华

IPC分类号： G01N27/12

摘要： 本发明公开了一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法。采用无电极式设计，利用灵敏度高、导电性能好的胶态纳米晶复合材料制作气敏层，将其于室温下涂覆在绝缘衬底上形成器件，无需使用额外的信号电极，器件结构和工艺步骤简单，且利于降低成本，适于批量生产，而且适于制作成柔性气体传感器。本发明的气体传感器具有轻、薄、短、小和便携性好的特点，而且工作温度低，具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN106637403A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201611066423.9

申请日：2016-11-28

申请人： 华中科技大学

发明人： 唐江 ,  罗家俊 ,  潘伟程 ,  巫皓迪 ,  蔡粉莎

IPC分类号： C30B29/12 ,  C30B7/14

CPC分类号： C30B29/12 ,  C30B7/14

摘要： 本发明公开了一种钙钛矿单晶的制备方法，包括取第一卤化物和第二卤化物混合，并用极性溶剂搅拌溶解，制得钙钛矿溶液，第一卤化物、第二卤化物和极性溶剂的质量比要求使钙钛矿溶液过饱和；将钙钛矿溶液进行过滤处理；将所述进行过滤处理的钙钛矿溶液置于疏水容器中，加热析出钙钛矿单晶。本发明中选择疏水材料作为钙钛矿单晶的生长容器，由于疏水容器壁的疏水性，疏水容器壁上生成的晶核数急剧减少，长出的单晶数量相对减少，单位时间内长出的晶体更大，碎晶的数量减少，溶液利用率得到提升，晶体质量显著提高。