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公开(公告)号：CN106645323A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611079255.7
申请日：2016-11-30
Applicant: 南京大学
IPC: G01N27/26
CPC classification number: G01N27/26
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化物异质结的极性溶剂化学传感器，在衬底上制备ZnMgO/ZnO异质结构，通过光刻、热蒸发等半导体工艺在异质结构制作电极，形成肖特基‑欧姆接触的非对称无栅高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的化学传感器。ZnMgO/ZnO异质界面形成二维电子气(2DEG)，吸附于器件传感区域的极性溶剂分子可以影响异质界面二维电子气(2DEG)的浓度，通过器件漏源电流的变化，从而实现对多种极性溶剂的探测。
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公开(公告)号：CN106601881A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201710093149.2
申请日：2017-02-21
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/0079
Abstract: 一种ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED，以纳米图形化(PSS)蓝宝石作为外延基底，使用MOCVD方法生长ZnO低温缓冲层和ZnO高温外延层，以ZnO外延层作为高品质导电衬底，后续生长GaN紫外LED外延，LED芯片经剥离和转移后，形成ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED。新型的垂直结构型GaN紫外LED，可降低器件成本，并提高GaN紫外LED的出光效率。形成ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED，剥离工艺简单，成本低，有利于实现柔性衬底的照明工程。
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公开(公告)号：CN105908256A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610192710.8
申请日：2016-03-30
Applicant: 南京大学
CPC classification number: Y02E60/366 , Y02E70/10 , C30B29/16 , C25B1/003 , C25B1/04 , C25B11/0452 , C30B25/02 , C30B29/64
Abstract: 本发明涉及一种用于高效可见光催化水分解的锌镉氧合金单晶薄膜，所述的ZnCdO合金单晶薄膜的禁带宽度在2.1?3.3eV范围内可调，覆盖大部分太阳光谱，将ZnCdO合金单晶薄膜与铟金属形成欧姆接触。本发明利用有机金属化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石或石英等透明衬底上低温制备不同Cd/Zn组分配比的ZnCdO合金单晶薄膜。薄膜的禁带宽度覆盖绝大部分太阳光谱，非常适合用于可见光催化分解水。本发明制备方法适合大规模产业化，制备的ZnCdO薄膜在高效光催化水分解和光伏电池等领域有应用前景。
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公开(公告)号：CN103938183B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201410177089.9
申请日：2014-04-29
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种生长高质量氧化锌薄膜材料的方法，选用蓝宝石片作为生长氧化锌薄膜材料的衬底；将清洗过的蓝宝石衬底放在金属有机化学气相外延设备的反应室衬底底座上；将反应室抽真空至3*10-3Pa以下，以排净反应室中的空气；充入氮气和氢气的混合气体对衬底进行高温预处理；高温预处理的温度为1000℃-1200℃，处理时间为3min-8min；将衬底降温到适合ZnO缓冲层薄膜生长的温度，使用高纯二甲基锌作为Zn源，叔丁醇t-BuOH作为O源，在MOCVD设备中生长ZnO缓冲层；ZnO薄膜生长是选用N2作为稀释气体，同时加入适当流量的H2；采用LP－MOCVD技术在ZnO缓冲层上生长ZnO。
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公开(公告)号：CN101217175B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200810019327.8
申请日：2008-01-03
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 具有宽谱光发射功能的半导体发光器件结构和制备方法，包括衬底材料，直接生长在衬底上的过渡层和之上的GaN或n-GaN，多层量子阱有源区：具有宽谱光发射功能的氮化物道题量子结构发光层是量子阱结构，由InxGa1-xN阱层和InyGa1-yN垒层构成，其中1＞x＞y≥0，所述的量子阱结构中的x和y在各自层中是空间均匀的；所述的量子阱结构的阱/垒双层重复1-10个周期；顶层氮化物，GaN或p-GaN，所述的顶层氮化物厚0.02-2微米；并含有多重发光中心，多重发光中心可发出包含360-900纳米范围的连续谱发光。氮化物半导体材料是利用金属有机物化学汽相外延(MOCVD)外延生长系统外延生长得到。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101289172B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200810023437.1
申请日：2008-04-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明通过气相传输法制备InN纳米线和纳米棒的方法，以GaAs或Si或蓝宝石做为衬底，通过气相传输法在衬底的自然解理面上生成InN纳米线和纳米棒，该方法简单实用，无需催化剂，在常压下即可进行，且生长的纳米线为六方晶系单晶结构，纳米棒为立方晶系单晶结构，质量高，本发明方法是一种得到立方晶系一维InN纳米结构的有效途径。
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公开(公告)号：CN100532638C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200810098864.6
申请日：2008-05-16
Applicant: 南京大学
Abstract: 非极性面GaN薄膜材料的控制生长方法，在MOCVD系统中生长，通过选择[1120]的R面蓝宝石做衬底材料，首先，在MOCVD系统中对生长的R面蓝宝石衬底在900-1100℃温度下进行材料热处理，时间为5-60分钟；或然后通入氨气进行表面氮化，在900-1100℃温度下时间为10-120分钟；再在900-1100℃温度范围通入H2和/或N2作为载气、氨气和金属有机镓源作为生长气源；通过控制载气，生长气源气体流量以及生长温度参数，在选择的衬底某晶面的蓝宝石衬底上合成生长非极性面的a面或m面GaN材料。
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公开(公告)号：CN101429650A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810235277.7
申请日：2008-12-03
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , H01L21/00
Abstract: 原位制备自支撑氮化镓衬底的方法，采用HVPE生长方式在蓝宝石上生长GaN缓冲层薄膜，反应源材料为金属镓，高纯HCl或三甲基镓或其它有机镓源，载气N2及NH3；生长温度为550－750℃，缓冲层厚度在50nm－1μm；缓冲层生长完成后，关闭HCl气体或三甲基镓气体，在氨气保护下开始升温，升温时间15±4分钟至1000－1100℃生长温度，开始GaN生长直到所需要的厚度；关闭HCl气体，停止生长，在氨气保护下开始降温。降温速率维持在5－20℃/分钟；降温方式温度降至在650－750℃之间时，在该温度区间维持10－30分钟；然后自然降温至室温，即可得到自剥离的自支撑GaN衬底。
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公开(公告)号：CN101289172A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200810023437.1
申请日：2008-04-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明通过气相传输法制备InN纳米线和纳米棒的方法，以GaAs或Si或蓝宝石做为衬底，通过气相传输法在衬底的自然解理面上生成InN纳米线和纳米棒，该方法简单实用，无需催化剂，在常压下即可进行，且生长的纳米线为六方晶系单晶结构，纳米棒为立方晶系单晶结构，质量高，本发明方法是一种得到立方晶系一维InN纳米结构的有效途径。
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公开(公告)号：CN101217175A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200810019327.8
申请日：2008-01-03
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 具有宽谱光发射功能的半导体发光器件结构和制备方法，包括衬底材料，直接生长在衬底上的过渡层和之上的GaN或n－GaN，多层量子阱有源区：具有宽谱光发射功能的氮化物道题量子结构发光层是量子阱结构，由InxGa1－xN阱层和InyGa1－yN垒层构成，其中1＞x＞y≥0，所述的量子阱结构中的x和y在各自层中是空间均匀的；所述的量子阱结构的阱/垒双层重复1－10个周期；顶层氮化物，GaN或p－GaN，所述的顶层氮化物厚0.02－2微米；并含有多重发光中心，多重发光中心可发出包含360－900纳米范围的连续谱发光。氮化物半导体材料是利用金属有机物化学汽相外延(MOCVD)外延生长系统外延生长得到。
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