公开(公告)号：CN220553435U

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202321514590.0

申请日：2023-06-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王伟民 ,  林瑀宏 ,  戴世芃 ,  余国宠

IPC: H01L23/367

Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置，包括集成电路结构及位于集成电路结构之上的散热柱。集成电路结构包括：半导体衬底，包括电路系统；介电层，位于半导体衬底之上；内连线结构，位于介电层之上；以及第一散热鳍片，延伸穿过半导体衬底、介电层及内连线结构。第一散热鳍片与电路系统电性隔离。散热柱热耦合至第一散热鳍片。散热鳍片可具有与半导体结构的穿孔相似的结构且可使用相似的工艺来形成。散热鳍片提供高散热效率且与其他散热解决方案(例如散热通孔及金属柱)相容。散热鳍片的鳍片结构可提供较窄的柱形状的穿孔大的散热。

公开(公告)号：CN221926735U

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202420356517.3

申请日：2024-02-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林瑀宏 ,  黄友怡 ,  尤志豪 ,  颜于婷 ,  戴世芃

IPC: G02B6/42

Abstract: 本实用新型提供光学装置包含:凹面基底，凹面基底包含:支撑材料；第一遮罩材料，不同于支撑材料；及凹面，形成于支撑材料中；接合层，接合至第一遮罩材料；电子集成电路装置，相邻于接合层；以及光学中介层，接合至电子集成电路装置。

公开(公告)号：CN222690679U

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202421221143.0

申请日：2024-05-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林瑀宏 ,  戴世芃 ,  黄友怡 ,  郭佑豪

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/488 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

Abstract: 一种封装结构，包括具有第一表面和第二表面的基底。第二表面相对于第一表面。此封装结构包括形成在基底中的多个基底通孔(TSV)结构。基底通孔结构的宽度从第一表面向第二表面逐渐缩小。封装结构包括接合至基底的第一表面的芯片。封装结构亦包括接合到基底的第一表面并且邻接于芯片的多个晶粒。封装结构还包括形成在芯片和晶粒之间的成型材料。此外，封装结构包括连接至第二表面上的基底通孔结构的多个凸块结构。

公开(公告)号：CN220934056U

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202322346983.1

申请日：2023-08-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄友怡 ,  王伟民 ,  陈承 ,  余国宠 ,  林瑀宏 ,  戴世芃

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/485

Abstract: 一种封装体，包含第一晶圆，包含第一基板；至少一第一介电层，于第一基板上方；第一密封层，于第一晶圆的第一边缘区；以及第一接合层，与至少一第一介电层以及第一密封层两者重叠；以及第二晶圆，接合至第一晶圆，第二晶圆包含第二基板；至少一第二介电层，于第二基板下方；第二密封层，于第二晶圆的第二边缘区；以及第二接合层，与至少一第二介电层以及第二密封层两者重叠，第二接合层接合至第一接合层。

公开(公告)号：CN220253241U

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202320910348.9

申请日：2023-04-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林瑀宏 ,  戴世芃 ,  余国宠 ,  余振华 ,  王伟民

IPC: H01L27/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/52

Abstract: 一种半导体装置，所述半导体装置包括第一半导体晶粒、第二半导体晶粒、热硅衬底以及包封体。第二半导体晶粒设置于第一半导体晶粒上且电性连接至第一半导体晶粒。热硅衬底设置于第一半导体晶粒上，其中热硅衬底与第二半导体晶粒间隔开。包封体设置于第一半导体晶粒上。包封体对第二半导体晶粒及热硅衬底进行包封。包封体包括填充材料层及绝缘体，其中填充材料层设置于第一半导体晶粒上且位于第二半导体晶粒与热硅衬底之间，且填充材料层藉由绝缘体而与第二半导体晶粒及热硅衬底间隔开。