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    一种用于薄膜晶体管的防静电单元、驱动电路及显示装置
    36.
    发明授权
    一种用于薄膜晶体管的防静电单元、驱动电路及显示装置 有权

    公开(公告)号：CN108335681B

    公开(公告)日：2021-05-25

    申请号：CN201810148674.4

    申请日：2018-02-13

    申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

    发明人： 杨海鹏 ,  王登峰 ,  戴珂 ,  周茂秀

    IPC分类号： G09G3/36 ,  H01L27/02

    摘要： 本发明公开了一种用于薄膜晶体管的防静电单元、驱动电路及显示装置，属于液晶显示相关技术领域。其中，所述用于薄膜晶体管的防静电单元中，所述薄膜晶体管的第一极与输入端之间或者所述薄膜晶体管的栅极与第一极或第二极之间设置有防静电单元，用于保护所述薄膜晶体管不受到静电破坏；其中，所述薄膜晶体管的第一极为源极或漏极，所述薄膜晶体管的第二极为对应的漏极或源极；所述输入端为静电发生端。本申请所述防静电单元能够消除静电对相应薄膜晶体管带来的损坏，进而保证显示质量、提高产品良率。

    显示基板和显示面板
    37.
    发明授权
    显示基板和显示面板 有权

    公开(公告)号：CN108279521B

    公开(公告)日：2020-12-29

    申请号：CN201810276564.6

    申请日：2018-03-30

    申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

    发明人： 司秀丽 ,  芮洲 ,  王登峰 ,  周茂秀 ,  杨海鹏 ,  张东徽

    IPC分类号： G02F1/1333 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/1362

    摘要： 本发明公开了一种显示基板和显示面板，属于显示技术领域。显示基板包括：衬底基板；衬底基板上设置有第一功能图形，设置有第一功能图形的衬底基板的外围区域中设置有孔洞；设置有第一功能图形的衬底基板上设置有第二功能图形以及填充结构，第二功能图形包括至少一种图形，填充结构位于孔洞中，且包括与第二功能图形中的至少一种图形同层设置的结构。本发明通过与第二功能图形中至少一个图形同层设置的填充结构来填充衬底基板的外围区域中设置的孔洞，以降低孔洞和其它区域的段差，避免了配向液大量聚集在这些孔洞中。解决了相关技术中配向层的厚度不均匀的问题。达到了提高配向层的厚度的均匀性的效果。

    Micro LED巨量转移方法及其封装结构、显示装置
    38.
    发明授权
    Micro LED巨量转移方法及其封装结构、显示装置 有权

    公开(公告)号：CN110047785B

    公开(公告)日：2020-11-10

    申请号：CN201910331735.5

    申请日：2019-04-24

    申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

    发明人： 王登峰 ,  杨海鹏 ,  芮洲 ,  周茂秀 ,  陈琳

    IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L27/15

    摘要： 本发明涉及半导体显示制造领域，公开一种Micro LED巨量转移方法及其封装结构、显示装置，Micro LED巨量转移方法包括：提供一驱动电路基板；在驱动电路基板上制备光刻胶层，通过构图工艺形成阵列分布的装载槽，以暴露出驱动电路基板上的电极阵列；装载槽的形状与Micro LED元件的形状互补匹配；将Micro LED元件批量倾倒在光刻胶层上；向驱动电路基板施加震动力，使元件落入匹配的装载槽内；检测空置的装载槽，并对检测到的空置的装载槽进行补充装载；将驱动电路基板上的电极与对应装载槽内的Micro LED元件键合；去除光刻胶层。本发明提供的巨量转移方法的工艺过程简单，可有效提高转移效率。

    像素驱动电路、驱动方法、像素单元和显示装置
    39.
    发明授权
    像素驱动电路、驱动方法、像素单元和显示装置 有权 复审申请

    公开(公告)号：CN106448567B

    公开(公告)日：2020-06-05

    申请号：CN201611121450.1

    申请日：2016-12-08

    申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

    发明人： 周茂秀 ,  杨海鹏 ,  戴珂 ,  尹傛俊 ,  芮洲

    IPC分类号： G09G3/3291 ,  G09G3/3266

    摘要： 本发明提供一种像素驱动电路、驱动方法、像素单元和显示装置。所述像素驱动电路包括驱动晶体管、充放电单元、发光控制单元、数据写入控制单元和充放电控制单元；所述充放电控制单元用于在数据线的控制下在电路调整阶段控制驱动晶体管的第一极与第二电平输出端连接，在第一扫描线的控制下在充电阶段和发光阶段控制充放电单元的第二端与驱动晶体管的栅极连接。本发明可以在消除因工艺偏差而产生的阈值电压偏差，解决电流不均造成的画面质量问题的同时节省电路设计的空间，能够增加像素开口率，减少电路信号线数量，降低电路成本，方便电路设计。

    阵列基板及其制造方法、显示装置
    40.
    发明公开
    阵列基板及其制造方法、显示装置 审中-实审

    公开(公告)号：CN111192885A

    公开(公告)日：2020-05-22

    申请号：CN202010143079.9

    申请日：2020-03-04

    申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

    发明人： 王登峰 ,  杨海鹏 ,  周茂秀 ,  芮洲 ,  陈琳

    IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77

    摘要： 本公开提供一种阵列基板，所述阵列基板包括多个薄膜晶体管和多条数据线，所述数据线与所述源极异层设置，且所述数据线与相应的源极电连接，所述刻蚀阻挡层设置在所述有源层上，且所述刻蚀阻挡层在所述有源层上的正投影不超过所述有源层的范围，所述源极的至少一部分设置在所述有源层超出所述刻蚀阻挡层的部分上，所述漏极的至少一部分设置在所述有源层超出所述刻蚀阻挡层的另一部分上。本公开还提供一种显示装置和一种阵列基板的制造方法。所述阵列基板的制造方法步骤简单、需要用到的掩膜板数量少，从而简化了制造工艺，降低了所述阵列基板的制造成本。