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公开(公告)号：CN109009561B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201810914099.4
申请日：2018-08-13
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 本发明提供一种人造血管及其制备方法，其解决了现有人造血管降解速度与接种细胞的生长增殖速度不匹配的技术问题，其由血管支架和接种细胞构成，所述血管支架依次由紧密连接的内层支架、中间层支架和外层支架构成，所述内层支架是由聚丁二酸乙二醇酯和抗凝剂构成的一层多孔纤维圆管状结构；所述中间层支架是由水凝胶类材料、生物陶瓷材料、生长因子构成的一层多孔纤维圆管状结构，所述中间层支架的孔隙内粘附填充所述接种细胞；所述外层支架是由聚丁二酸丁二醇酯构成的一层多孔纤维圆管状结构；同时该公开了人造血管的制备方法，可广泛应用于植入性医疗器械领域。
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公开(公告)号：CN109742026A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910136716.7
申请日：2019-02-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/335 , H01L23/373 , H01L29/778
Abstract: 直接生长法制备金刚石辅助散热碳化硅基底GaN-HEMTs的方法，本发明涉及金刚石与碳化硅连接的散热结构的制备方法，它为了解决现有GaN HEMTs的散热性能有待提高的问题。制备金刚石辅助散热碳化硅基底的方法：一、在SiC基片表面刻蚀出孔洞；二、超声清洗SiC基片；三、在SiC晶片的表面建立辅助形核点；四、沉积金刚石层；五、将上表面的金刚石膜层去掉，留下孔洞中金刚石膜层；六、超声清洗；七、在SiC晶片上的孔洞中进行沉积，金刚石沉积填满孔洞。本发明制备金刚石的纯度高，热导率较高，金刚石与SiC结构类似，相容性好，制备的金刚石位于器件下方，有针对性地将热点热量极快导出。
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公开(公告)号：CN105177533B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201510563596.0
申请日：2015-09-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/517 , C23C16/27
Abstract: 一种利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法，本发明涉及清洗MWCVD舱体的方法。本发明要解决现有的MWCVD生长系统中沉积的金刚石、类金刚石及非晶碳层硬度耐磨度极高，且仪器本身特殊构造等因素造成难以将膜层除去的问题。方法：一、吹洗舱体；二、关舱；三、抽真空；四、原位清洗，即完成一种利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法。本发明用于利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法。
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公开(公告)号：CN119839134A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411992489.5
申请日：2024-12-31
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 本发明提供了一种金属石墨复合双极板成形装置，其解决了现有双极板成形装置冲压成形易导致石墨、柔性石墨纸等塑性较低材料局部破裂的技术问题；成形装置设有多个凸模组件；凸模组件设有分块冲头，分块冲头设有微型凸起和第一盲孔，第一盲孔设有孔沿，第一盲孔安装第一弹簧；上模板从左到右间隔开设多个纵向通孔，每个纵向通孔安装一个凸模组件；纵向通孔内滑动连接分块冲头；垫板盖在纵向通孔上，压杆顶端设第一挡部，压杆杆身穿过第二弹簧、垫板进入纵向通孔，压杆底端设第二挡部，第二挡部与第一弹簧连接，第二挡部卡在孔沿内；露出垫板的多个压杆的杆身长度从左向右呈阶梯式下降分布；可广泛应用于燃料电池双极板精密制造技术领域。
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公开(公告)号：CN118883326B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202410995258.3
申请日：2024-07-24
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 本发明属于材料疲劳测试技术领域，特别涉及一种耐高温金属材料疲劳试验装置。包括底座、运动驱动机构、真空腔体、加热套组件、试验件固定组件及变载荷机构，其中运动驱动机构和真空腔体均设置于底座上，运动驱动机构用于驱动真空腔体相对底座往复直线运动；真空腔体包括试验腔和变载荷腔，变载荷机构设置于变载荷腔内，加热套组件和试验件固定组件设置于试验腔内，试验件固定组件用于固定超高温试验件，且试验件固定组件与变载荷机构连接，加热套组件用于对超高温试验件进行加热及温控；变载荷机构随着真空腔体的往复直线运动，对超高温试验件被动加载交变载荷。本发明结构简单，体积小，密封性好，提高了疲劳试验的可靠性和准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116352210B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202310479228.2
申请日：2023-04-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种金刚石电烙铁及其制备方法，本发明要解决现有金属制烙铁头容易在高温下产生氧化、不沾锡、被酸性助焊剂腐蚀等问题。金刚石电烙铁的制备方法：一、将金刚石块件放置在激光切割机样品台上，用激光将金刚石块件切割成条状；二、再用激光将烙铁头基体的一端切割成多棱锥状，作为电烙铁头的接触端；三、使用磨床将烙铁头基体接触端的尖棱锥磨出圆角；四、在烙铁头基体表面镀上钛膜或钨膜，然后在惰性气氛下以600～900℃原位退火处理；五、将金属化后的烙铁头基体与热单元和外壳装配组装。本发明通过使用金刚石制备电烙铁头，使电烙铁头具有抗腐蚀抗氧化、导热快热效应高、超高硬度抗磨损、易沾锡、绝缘无电感、不损伤电子元器件等优点。
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公开(公告)号：CN119387844A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411974576.8
申请日：2024-12-31
Applicant: 山东瑞泰新材料科技有限公司 , 哈尔滨工业大学(威海) , 哈工大苏州研究院
Abstract: 本发明提供了一种GH4099曲母线构件增材制造表面质量控制装置及方法，涉及高温合金增材制造技术领域，包括激光焊接装置、锻压碟轮和成对设置的密封夹持工装，密封夹持工装夹持有外壁与GH4099曲母线构件的待加工段内壁结构一致的内定形工装，水冷温控装置依次与密封夹持工装、内定形工装和中空的待焊接件密封连接构成水冷循环通路；锻压碟轮能够轴向和横向移动，密封夹持工装能够进行旋转和沿轴线伸缩，激光焊接装置能够进行径向和轴向运动；装配后待焊接件与密封夹持工装和内定形工装的装配关系为过盈装配。本申请通过锻压碟轮和内定形工装的锻造挤压，为加工形成的GH4099曲母线构件提供了足够的支撑结构约束，防止出现产品变形、凹陷的问题，保证焊缝质量。
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公开(公告)号：CN118143279B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410152210.6
申请日：2024-02-03
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: B22F10/10 , B22F10/64 , B22F1/107 , B33Y10/00 , B33Y40/10 , B33Y40/20 , B33Y70/10 , B33Y80/00 , C22C27/02 , C22C32/00 , B22F10/85 , B33Y50/02 , B22F3/11 , A61L27/04 , A61L27/42 , A61L27/54 , A61L27/56
Abstract: 本发明提供了一种基于3D打印的多孔钽骨植入物及其制备方法，该多孔钽骨植入物由打印浆料通过3D打印设备挤出成型；打印浆料包括以下重量份的原料：50‑70重量份纯钽金属、1‑2重量份氧化镁、1‑4重量份氧化锌和5‑15重量份F127水溶液。该多孔钽骨植入物的制备方法包括以下步骤：获取数据、构建模型；通过有限元模拟优化结构；混合浆料、打印制备；干燥；真空烧结。本发明解决了多孔钽骨植入物力学性能与人体骨组织不适配和成骨诱导能力差等问题，简化了多孔钽骨植入物的工艺流程，降低生产成本，提高了制备过程的稳定性和可控性。本申请广泛应用于医用骨植入材料技术领域。
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公开(公告)号：CN116475418B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310479246.0
申请日：2023-04-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B22F3/24 , B23B51/00 , B22F5/00 , B22F7/06 , C23C14/34 , C23C14/10 , G01K7/02 , G01K1/14 , G01K1/143 , E21B10/46
Abstract: 带有嵌入式薄膜热电偶阵列聚晶金刚石刀具的制备方法，本发明的目的是为了解决针对聚晶金刚石刀具传统的接触式测温中热电偶距离刀尖太远难以获得精确瞬态温度值的问题。制备方法：一、在聚晶金刚石的碳化钨硬质合金层加工出多个浅槽；二、抛光；三、超声清洗；四、沉积第一SiO2绝缘层；五、采用掩膜或者光刻工艺暴露出阵列图案A；六、沉积热电偶材料A薄膜；七、采用掩膜或者光刻工艺暴露出阵列图案B；八、沉积热电偶材料B薄膜；九、胶连补偿线；十、沉积第二SiO2绝缘层；十一、焊接。本发明通过在聚晶金刚石刀具后刀面集成大量微型薄膜热电偶组成阵列，能够精准测量切削刃‑工件界面温度与热流分布，发现热应力集中点。
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公开(公告)号：CN118262948A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410357811.0
申请日：2024-03-27
IPC: G21H1/06 , H01L31/075 , H01L31/0336
Abstract: 基于TiO2调制p型金刚石与n型氧化镓异质结界面的高内建电场同位素电池及其制备方法，本发明旨在解决金刚石肖特基结同位素电池无法进一步提升电池开路电压的问题。本发明高内建电场同位素电池采用垂直型结构，在p区欧姆接触电极的下表面设置有惰性金属保护层，在p区欧姆接触电极的上表面由下至上依次设置有掺硼金刚石衬底、金刚石外延本征层、超薄氧化钛层、n型氧化镓层、n区欧姆接触电极和放射性辐射源形成层叠结构。本发明利用n型宽禁带半导体材料高费米能级位置的特点与p型金刚石形成高费米能级差，从而增大内建电场，由辐射源激发的电子空穴对在更强的电场力作用下被有效分离，提高了同位素电池的开路电压。
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