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公开(公告)号：CN109683408A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811197186.9
申请日：2018-10-15
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/13338 , G02F1/134309 , G02F1/13439 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/133357 , G02F2001/134372 , G02F2001/136295 , H01L21/32133 , H01L27/124 , H01L27/1262 , H01L29/4908 , G02F1/1343
Abstract: 提供一种显示面板用基板的制造方法，能削减工序数。其特征在于，具备：透明导电膜形成工序，在覆盖设置于玻璃基板(31)的TFT(32)的平坦化膜(47)上形成透明导电膜(51)；金属膜形成工序，在透明导电膜形成工序之后进行，以覆盖透明导电膜(51)的形式形成金属膜(52)；配线形成工序，在金属膜形成工序之后进行，通过对金属膜(52)进行蚀刻而形成配线(50)；以及透明电极形成工序，在配线形成工序之后进行，通过对透明导电膜(51)进行蚀刻而形成与配线(50)连接的像素电极(33)。
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公开(公告)号：CN109599362A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811125993.X
申请日：2018-09-26
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种薄膜晶体管基板的制造方法和薄膜晶体管基板，提高开口率并且缓和台阶。阵列基板的制造方法具备：第1金属膜形成工序；栅极绝缘膜形成工序；半导体膜形成工序；第2金属膜形成工序；光致抗蚀剂膜形成工序，使用半色调掩模将形成在第2金属膜的上层侧的光致抗蚀剂膜图案化；第1蚀刻工序，将第2金属膜中的与光致抗蚀剂膜不重叠的部分选择性地除去；低电阻化工序，将半导体膜中的与光致抗蚀剂膜不重叠的像素电极构成部选择性地进行低电阻化处理而形成像素电极；第2膜厚部除去工序，将光致抗蚀剂膜的第2膜厚部选择性地除去；以及第2蚀刻工序，将与光致抗蚀剂膜的第1膜厚部不重叠的第2金属膜的电极间部选择性地除去。
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公开(公告)号：CN101600987B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200780050765.4
申请日：2007-12-10
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/133345 , G02F1/133553 , G02F1/1362 , G02F2202/10
Abstract: 本发明的目的在于以低成本提供一种降低波纹和色偏的高画质的反射型和半透过型的液晶显示装置。本发明的液晶显示装置是在多个像素的各个中具备反射区域的液晶显示装置。反射区域包括金属层(56)、半导体层(62)和反射层(63)，在反射层(63)的表面形成有多个凹部(68)和凸部(67)，多个凹部(68)对应金属层(56)的开口部(65)而形成，多个凸部(67)反映半导体层(62)的形状而形成，多个凹部(68)的沿着某个方向相邻的多个对包括凹部(68)的间隔相互不同的2个对，多个凸部(67)的沿着某个方向相邻的多个对包括凸部(67)的间隔相互不同的2个对。
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公开(公告)号：CN101939791A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200880126697.X
申请日：2008-10-22
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G09G3/3677 , G09G2300/0408 , G09G2300/0417 , G09G2310/0286 , G09G2310/08 , G11C19/28
Abstract: 本发明公开了一种移位寄存器电路、显示装置以及移位寄存器电路的驱动方法，所述移位寄存器电路中，串联连接的各级包括将各级的预定位置(netA、Gn)与低电位侧电源连接的、使用了TFT(Tr15、Tr16、Tr17)的第一电路，第一种时钟信号用于通过各级传输到各级的输出端子(Gn)而输出的输出信号(OUT)，第二种时钟信号用于驱动第一电路。由此，实现能更好地抑制TFT阈值电压的偏移现象的移位寄存器电路。
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公开(公告)号：CN101600987A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200780050765.4
申请日：2007-12-10
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/133345 , G02F1/133553 , G02F1/1362 , G02F2202/10
Abstract: 本发明的目的在于以低成本提供一种降低波纹和色偏的高画质的反射型和半透过型的液晶显示装置。本发明的液晶显示装置是在多个像素的各个中具备反射区域的液晶显示装置。反射区域包括金属层(56)、半导体层(62)和反射层(63)，在反射层(63)的表面形成有多个凹部(68)和凸部(67)，多个凹部(68)对应金属层(56)的开口部(65)而形成，多个凸部(67)反映半导体层(62)的形状而形成，多个凹部(68)的沿着某个方向相邻的多个对包括凹部(68)的间隔相互不同的2个对，多个凸部(67)的沿着某个方向相邻的多个对包括凸部(67)的间隔相互不同的2个对。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101558350A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200780045760.2
申请日：2007-10-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/133553 , G02F1/133555
Abstract: 本发明涉及液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。本发明提供一种低成本且高画质的半透过型和反射型的液晶显示装置。本发明的液晶显示装置具备使入射光朝向显示面反射的反射区域，其中，反射区域包括Cs金属层(金属层)、在Cs金属层的上面形成的栅极绝缘层、在栅极绝缘层的上面形成的半导体层、和在半导体层的上面形成的反射层。在反射层的表面形成有第一凹部、和位于第一凹部的内侧的第二凹部。Cs金属层和半导体层分别具有开口部，第一凹部和第二凹部的一方由Cs金属层的开口部形成，另一方由半导体层的开口部形成。
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公开(公告)号：CN101432656A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200780015751.9
申请日：2007-04-05
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/133553 , G02F1/136227 , G02F2001/136281
Abstract: 本发明涉及液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。本发明的目的是以低成本提供高画质的半透射型和反射型的液晶显示装置，本发明的液晶显示装置包括向显示面反射入射光的反射部，反射部包括在基板上形成的反射层，并且包括在反射层的表面形成的第一凹部和在第一凹部中的在反射层的表面形成的第二凹部。第一凹部与Cs金属层的开口部相对应，第二凹部与半导体层的开口部相对应。
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公开(公告)号：CN101401143A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200780008846.8
申请日：2007-03-13
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G09G3/3648 , G02F1/134309 , G02F1/136286 , G02F2001/133388 , G02F2201/56 , G09G3/3677 , G09G2300/0413 , G09G2320/0204
Abstract: 本发明提供一种有源矩阵基板和显示装置，在显示区域不是矩形的异形显示器中，可以防止因为特定部分像素的明线化而有损显示品质等的不良现象。在用作与显示区域对应的像素电极的分布区域呈矩形以外形状的异形显示器的基板的有源矩阵基板中，在位于扫描开始侧的最端部的扫描布线(G1)的外侧形成至少1根虚拟扫描布线(虚拟扫描布线G0、G－1)，以夹持扫描布线(G2)以及比其更靠近扫描末端侧的扫描布线所连接的最外周像素(PP)的方式，在与该最外周像素的TFT(5)所连接的扫描布线对置的位置上延长设置上级扫描布线。优选在最外周像素(PP)各自的画面上侧设有虚拟像素(DP)。
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公开(公告)号：CN113764517B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202110613024.4
申请日：2021-06-02
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/24 , H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/84 , H01L21/44 , H01L21/34
Abstract: 提供具备特性相互不同的多个氧化物半导体TFT的有源矩阵基板。一种有源矩阵基板，具备第1TFT和第2TFT，第1TFT具有第1氧化物半导体层和隔着第1栅极绝缘层配置在第1氧化物半导体层的一部分上的第1栅极电极，第1栅极绝缘层具有包含第1绝缘膜和配置在第1绝缘膜上的第2绝缘膜的层叠结构，第2TFT具有第2氧化物半导体层和第2栅极电极，第2氧化物半导体层具有比第1氧化物半导体层高的迁移率，第2栅极电极隔着第2栅极绝缘层配置在第2氧化物半导体层的一部分上，第2栅极绝缘层包含第2绝缘膜，并且不包含第1绝缘膜，在第2氧化物半导体层与基板之间还具备包含第1绝缘膜的下部绝缘层。
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公开(公告)号：CN112711149B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202011137059.7
申请日：2020-10-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1343 , G06F3/041
Abstract: 有源矩阵基板具备：多个TFT；层间绝缘层；公共电极，分离成分别作为触摸传感器电极发挥功能的多个分段；第一电介质层；多个像素电极；第二电介质层；以及多个触摸布线，各像素电极隔着第一电介质层与公共电极部分重叠，由此形成辅助电容，多个触摸传感器电极包括第一电极，多个触摸布线包括与第一电极电连接的第一布线以及与其他电极电连接的第二布线，第二布线在从基板的法线方向看时，横穿第一电极而延伸到其他电极，第二布线的一部分隔着第一电介质层和第二电介质层与第一电极重叠，由此形成触摸布线电容。
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