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公开(公告)号：CN110383493B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201880016702.5
申请日：2018-03-02
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G09F9/30 , H01L21/336
Abstract: 有源矩阵基板具备基板(1)、包含多个第1TFT(10)的周边电路、以及多个第2TFT(20)，第1和第2TFT(10、20)各自具有：栅极电极(3A、3B)；栅极绝缘层(5)；氧化物半导体层(7A、7B)，其包含沟道区域(7Ac、7Bc)和位于沟道区域的两侧的源极接触区域(7As、7Bs)和漏极接触区域(7Ad、7Bd)；源极电极(8A、8B)，其与源极接触区域接触；以及漏极电极(9A、9B)，其与漏极接触区域接触，第1TFT和第2TFT的氧化物半导体层由同一氧化物半导体膜形成，第1TFT的沟道区域(7Ac)中的载流子浓度比第2TFT的沟道区域(7Bc)中的载流子浓度高。
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公开(公告)号：CN109661696B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201780054144.7
申请日：2017-08-28
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 松木园广志
IPC: G09F9/00 , G02F1/133 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L29/786
Abstract: 有源矩阵基板(1001)具有多个像素区域，至少1个像素区域包含像素TFT(20)、像素电极(15)、第1电路TFT(10)以及连接到第1电路TFT的驱动电路配线(L1～L3)，像素TFT(10)和第1电路TFT(20)是氧化物半导体TFT，像素电极(15)由上部透明导电膜形成，驱动电路配线包含透明配线部(L1、L2)，透明配线部(L1、L2)由位于比上部透明导电膜靠基板(1)侧的下部透明导电膜形成，第1电路TFT(10)的源极电极(8)和漏极电极(9)中的至少一方由下部透明导电膜形成。
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公开(公告)号：CN111886681A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201880091427.3
申请日：2018-03-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明的显示装置具备：基板、设置在基板上的第一晶体管、以不与第一晶体管重叠的方式设置在基板上的第二晶体管。第一晶体管具备：设置在基板上的多晶硅层、设置在多晶硅层上的第一绝缘膜、设置在第一绝缘膜上的第一栅电极、设置在第一栅电极上的第二绝缘膜。第二晶体管具备：设置在第一绝缘膜上的氧化物半导体层、设置在氧化物半导体层上的第三绝缘膜、设置在第三绝缘膜上的第二栅电极。第一以及第三绝缘膜是SiOx膜。第二绝缘膜是含氢的SiNx膜，并且以与多晶硅层重叠的方式设置，并且以不与氧化物半导体层重叠的方式设置。
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公开(公告)号：CN110383493A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201880016702.5
申请日：2018-03-02
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G09F9/30 , H01L21/336
Abstract: 有源矩阵基板具备基板(1)、包含多个第1TFT(10)的周边电路、以及多个第2TFT(20)，第1和第2TFT(10、20)各自具有：栅极电极(3A、3B)；栅极绝缘层(5)；氧化物半导体层(7A、7B)，其包含沟道区域(7Ac、7Bc)和位于沟道区域的两侧的源极接触区域(7As、7Bs)和漏极接触区域(7Ad、7Bd)；源极电极(8A、8B)，其与源极接触区域接触；以及漏极电极(9A、9B)，其与漏极接触区域接触，第1TFT和第2TFT的氧化物半导体层由同一氧化物半导体膜形成，第1TFT的沟道区域(7Ac)中的载流子浓度比第2TFT的沟道区域(7Bc)中的载流子浓度高。
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公开(公告)号：CN106233196B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201580019855.1
申请日：2015-04-09
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1343
Abstract: 液晶显示面板的TFT基板(100A)具有：覆盖TFT的有机层间绝缘层(24)；在有机层间绝缘层(24)的表面的第一区域形成的第一透明导电层(25)；和覆盖第一透明导电层(25)，并且形成在有机层间绝缘层(24)的表面的与第一区域不同的第二区域的含有SiN的无机电介质层(26)，有机层间绝缘层(24)的表面的第一区域和第二区域的算术平均粗糙度Ra为3.45nm以上5.20nm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109661696A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201780054144.7
申请日：2017-08-28
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 松木园广志
IPC: G09F9/00 , G02F1/133 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L29/786
Abstract: 有源矩阵基板(1001)具有多个像素区域，至少1个像素区域包含像素TFT(20)、像素电极(15)、第1电路TFT(10)以及连接到第1电路TFT的驱动电路配线(L1～L3)，像素TFT(10)和第1电路TFT(20)是氧化物半导体TFT，像素电极(15)由上部透明导电膜形成，驱动电路配线包含透明配线部(L1、L2)，透明配线部(L1、L2)由位于比上部透明导电膜靠基板(1)侧的下部透明导电膜形成，第1电路TFT(10)的源极电极(8)和漏极电极(9)中的至少一方由下部透明导电膜形成。
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公开(公告)号：CN107636841A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201680032552.8
申请日：2016-06-02
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 松木园广志
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/14
Abstract: 有源矩阵基板(1001)具备：多个像素区域，其在基板(1)上在第1方向和第2方向上排列为矩阵状；多个栅极配线(G)，其在第1方向上延伸；以及多个源极配线(S)，其在第2方向上延伸，有源矩阵基板(1001)具有：显示区域(800)，其包含多个像素区域；以及非显示区域(900)，其位于显示区域的周边，各像素区域具备：薄膜晶体管(101)，其包含氧化物半导体层；以及像素电极(15)，其与漏极电极(9)一体地形成，栅极电极(3)和栅极配线(G)由第1透明导电膜形成，漏极电极(9)和像素电极(15)由第2透明导电膜形成，有源矩阵基板(1001)还具备：多个栅极信号线，其设置于非显示区域(900)，并且由金属膜形成；以及第1连接部，其将多个栅极配线(G)中的各栅极配线(G)连接到栅极信号线中的任意一个栅极信号线。
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公开(公告)号：CN103545318B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201310302897.9
申请日：2013-07-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/201
Abstract: 本发明的一个方式提供如下半导体装置：使用氧化物半导体膜，将含有铜的金属膜用于布线或信号线等，具有稳定的电特性且高可靠性。本发明的一个方式是一种半导体装置，该半导体装置包括：栅电极；形成在该栅电极上的栅极绝缘膜；与该栅极绝缘膜接触且包含与该栅电极重叠的沟道形成区域的氧化物半导体膜：形成在该氧化物半导体膜上的源电极及漏电极；形成在该氧化物半导体膜、该源电极以及该漏电极上的氧化物绝缘膜，该源电极及该漏电极都包括：在该沟道形成区域的两端具有其一个端部的第一金属膜；形成在该第一金属膜上的含有铜的第二金属膜；形成在该第二金属膜上的第三金属膜，该第二金属膜形成在该第一金属膜的一个端部的内侧。
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公开(公告)号：CN105765729A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201480064634.1
申请日：2014-08-26
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 半导体装置(100)在基板上包括：多个氧化物半导体TFT，该氧化物半导体TFT具有第一栅极电极(12)、与第一栅极电极接触的第一绝缘层(20)、以隔着第一绝缘层与第一栅极电极相对的方式配置的氧化物半导体层(16)以及与氧化物半导体层连接的源极电极(14)和漏极电极(15)；和仅覆盖多个氧化物半导体TFT中的一部分的氧化物半导体TFT的有机绝缘层(24)，多个氧化物半导体TFT包括被有机绝缘层覆盖的第一TFT(5A)和没有被有机绝缘层覆盖的第二TFT(5B)，第二TFT包括以隔着第二绝缘层(22)与氧化物半导体层相对的方式配置的第二栅极电极(17)，该第二栅极电极(17)配置成在从基板法线方向看时隔着氧化物半导体层与第一栅极电极的至少一部分重叠。
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公开(公告)号：CN104103668A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410144456.5
申请日：2014-04-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
IPC: H01L27/32 , H01L29/786 , H01L29/10 , G02F1/133 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L23/3121 , H01L23/564 , H01L27/1248 , H01L2924/0002 , H01L2924/0001 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的显示装置，包括：像素部（104）；以及设置在所述像素部（104）外侧的驱动电路部（106），其中，所述像素部包括像素晶体管、覆盖所述像素晶体管且包含无机材料的第一绝缘层（122）、设置在所述第一绝缘层上且包含有机材料的第二绝缘层（124）、设置在所述第二绝缘层上且包含无机材料的第三绝缘层（128），所述驱动电路部包括对所述像素晶体管供应信号的驱动晶体管、覆盖所述驱动晶体管的所述第一绝缘层，并且，在所述驱动电路部中没有形成所述第二绝缘层。从而在抑制晶体管的电特性变动的同时，提高其可靠性。
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