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    一种含有应变补偿结构的GaN基量子阱LED外延结构
    32.
    发明公开
    一种含有应变补偿结构的GaN基量子阱LED外延结构 无效

    公开(公告)号：CN109244202A

    公开(公告)日：2019-01-18

    申请号：CN201811203117.4

    申请日：2018-10-16

    申请人： 太原理工大学

    发明人： 贾志刚 ,  卢太平 ,  董海亮 ,  梁建 ,  马淑芳 ,  贾伟 ,  李天保 ,  许并社

    IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

    摘要： 本发明提供了一种含有应变补偿结构的GaN基量子阱LED外延结构，包括由下而上设置的蓝宝石衬底层、GaN低温形核层、U-GaN层、N-GaN层、含有应变补偿结构的InGaN/GaN量子阱有源区、电子阻挡层和P-GaN层，所述含有应变补偿结构的InGaN/GaN量子阱有源区包括底垒层、顶垒层、位于底垒层和顶垒层之间的多个InGaN量子阱层和设置在各个InGaN量子阱层之间的中间垒层，所述中间垒层包括应变补偿层，所述应变补偿层为晶格常数小于GaN的垒层。本发明通过在InGaN/GaN量子阱LED外延结构中引入应变补偿结构，带来如下有益效果：消除了InGaN/GaN多量子阱结构中的应变积累，提高了GaN基量子阱LED的内量子效率。

    一种纳米晶镁合金块的制备方法
    33.
    发明授权
    一种纳米晶镁合金块的制备方法 有权

    公开(公告)号：CN106583740B

    公开(公告)日：2018-10-16

    申请号：CN201611074968.4

    申请日：2016-11-29

    申请人： 太原理工大学

    发明人： 樊建锋 ,  张强 ,  张华 ,  刘亚芬 ,  董洪标 ,  许并社

    IPC分类号： B22F9/02 ,  B22F3/105 ,  B22F3/14

    摘要： 本发明涉及一种纳米晶镁合金块的制备方法，是针对镁及镁合金力学性能低的情况，先将镁合金粉进行氢化处理，制成纳米晶镁合金粉，然后进行等离子放电烧结，制成纳米晶镁合金块，此制备方法工艺先进，数据精确翔实，纳米晶镁合金块金相组织致密性好，晶粒细化，致密度达99.34％，晶粒尺寸≤15nm，拉伸强度达320MPa，均匀性好，是先进的纳米晶镁合金块的制备方法。

    基于3D打印制备光子晶体结构LED的方法
    35.
    发明授权
    基于3D打印制备光子晶体结构LED的方法 有权

    公开(公告)号：CN105957931B

    公开(公告)日：2018-08-31

    申请号：CN201610397017.4

    申请日：2016-06-07

    申请人： 太原理工大学

    发明人： 卢太平 ,  朱亚丹 ,  周小润 ,  许并社

    IPC分类号： H01L33/00 ,  B33Y10/00 ,  H01L33/36

    摘要： 本发明属于光电子器件领域，具体涉及一种基于3D打印制备光子晶体结构LED的方法。一种基于3D打印制备光子晶体结构LED的方法，包括以下步骤：在具有的低温成核层、非故意掺杂的GaN层、N型GaN层、多量子阱有源层及P型GaN层的外延片上先刻蚀出n型层台面，然后在n型层台面上3D打印较薄的透明导电层，并在透明导电层上3D打印光子晶体，最后在n型层上3D打印n型电极，及在没有覆盖光子晶体的透明导电层上3D打印p型电极。本发明利用3D打印制备光子晶体结构LED，形成的光子晶体图形丰富，制备工艺简单，能够有效的提高生产效率。

    一种LED电极的制备方法
    36.
    发明公开
    一种LED电极的制备方法 无效

    公开(公告)号：CN108336194A

    公开(公告)日：2018-07-27

    申请号：CN201810024715.9

    申请日：2018-01-11

    申请人： 太原理工大学

    发明人： 卢太平 ,  郑延宁 ,  朱亚丹 ,  周小润 ,  许并社

    IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/40

    CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L33/40

    摘要： 一种LED电极的制备方法，属于光电子材料与器件技术领域，可解决现有技术在降低电子泄漏的同时阻碍空穴注入的问题，通过在n型电极中引入掺杂Fe、Co、Ni、Gd等元素的氧化物导电层，利用铁磁性金属离子的自旋轨道耦合作用散射电子从而降低电子的迁移率，缩小了电子迁移率与空穴迁移率之间的差距，有利于降低电子泄漏的几率，解决了现有技术在降低电子泄漏的同时阻碍空穴注入的问题。本方法仅需在电极中引入掺杂铁磁性金属的氧化物导电层，制备方法简单，制备成本较低。

    一种高发光效率氮化镓基LED外延片的制备方法
    37.
    发明授权
    一种高发光效率氮化镓基LED外延片的制备方法 有权

    公开(公告)号：CN105720159B

    公开(公告)日：2018-01-09

    申请号：CN201610132237.4

    申请日：2016-03-09

    申请人： 太原理工大学

    发明人： 卢太平 ,  朱亚丹 ,  周小润 ,  许并社

    IPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/46 ,  H01L33/00

    摘要： 本发明公开了一种高发光效率氮化镓基LED外延片的制备方法，该材料结构包括依次层叠的低温GaN成核层、3D结构GaN粗糙层、金属反射层、非故意掺杂的GaN层、N型GaN层、多量子阱有源层、电子阻挡层及P型GaN层。其中3D结构GaN粗糙层包括第一3D结构GaN层，然后用H2气体对第一3D结构GaN层进行处理，最后生长第二3D结构GaN层。其次在3D结构GaN层上再生长一层金属反射层，反射层的光学厚度要满足发生反射光干涉极大的条件。本发明采用H2处理的3D结构GaN层能够获得尺寸更大、更均匀的岛状结构，而金属反射层能提高光的反射率，降低透过金属反射层进入3D结构GaN层中的光子数目，减少全内反射，能够更有效的提高GaN基LED的光提取效率。

    一种基于3D打印的GaAs基边发射激光器制备方法
    39.
    发明公开
    一种基于3D打印的GaAs基边发射激光器制备方法 无效

    公开(公告)号：CN107069431A

    公开(公告)日：2017-08-18

    申请号：CN201710414669.9

    申请日：2017-06-05

    申请人： 太原理工大学

    发明人： 许并社 ,  贾志刚 ,  马淑芳 ,  梁建 ,  董海亮

    IPC分类号： H01S5/323

    CPC分类号： H01S5/32316

    摘要： 一种基于3D打印的GaAs基边发射激光器制备方法。制备流程，包括：外延片生长、台面刻蚀、深沟刻蚀、3D打印绝缘钝化层、3D打印P面电极、GaAs衬底减薄、抛光、3D打印N面电极、真空划片、钝化、3D打印前腔面增透膜及后腔面增反膜。其中，绝缘钝化层、P面电极、N面电极、前腔面增透膜及后腔面增反膜均由3D打印技术来制备完成。通过引入3D打印技术，本发明带来如下两方面的有益效果：(1)简化了制备过程：3D打印绝缘钝化层免去了套刻、腐蚀开孔的步骤；3D打印P面电极避免了金属电极的带胶剥离过程；(2)减少了杂质的引入：减少了套刻、刻蚀及带胶剥离的过程，所以减少了光刻胶、腐蚀液等化学试剂的引入，同时也降低了其它杂质引入的几率。