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公开(公告)号：CN104737277A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380054473.3
申请日：2013-10-11
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/306
CPC classification number: C09K13/08 , H01L21/30608 , H01L21/31144 , H01L21/32134 , H01L21/32139
Abstract: 本发明提供一种蚀刻液，其对具有包含TiN的第1层、与包含选自3族～11族的过渡金属的至少1种金属的第2层的基板进行处理，而选择性除去第1层，且包含六氟硅酸化合物与0.05质量％以上、且小于10质量％的氧化剂。
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公开(公告)号：CN104428876A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201380036459.0
申请日：2013-07-17
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/308
CPC classification number: H01L21/30608 , H01L21/02063 , H01L21/31144 , H01L21/32134
Abstract: 一种蚀刻方法，所述方法具有以下步骤：将蚀刻液施加到半导体基板中的含TiN层上从而蚀刻所述含TiN层，所述蚀刻液包含水以及其水中的碱性化合物和氧化剂，所述蚀刻液在8.5至14的pH的范围内，并且所述含TiN层具有0.1摩尔％至10摩尔％的表面氧含量。
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公开(公告)号：CN101333417B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN200810128877.3
申请日：2008-06-24
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 上村哲也
IPC: C09G1/02 , B24B29/00 , H01L21/304 , B24B37/04
CPC classification number: C09G1/02 , C23F3/04 , C23F3/06 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供一种用于抛光含钌阻挡层的抛光液，所述抛光液被用于对半导体器件的化学机械抛光，所述的半导体器件在其表面上具有含钌阻挡层和导电金属布线，所述抛光液包含：氧化剂和抛光微粒，所述抛光微粒具有按莫氏硬度计为5以上的硬度和其中主要成分不同于二氧化硅(SiO2)的组成。本发明还提供一种用于化学机械抛光半导体器件的抛光方法，所述的方法使所述抛光液与被抛光的基板表面接触，和抛光被抛光的表面，使得从抛光垫到被抛光的表面的接触压力为0.69kPa至20.68kPa。
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公开(公告)号：CN101255316A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810009627.8
申请日：2008-02-19
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C09G1/18 , H01L21/304
CPC classification number: C23F3/00 , C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供一种用于抛光半导体集成电路的阻挡层的抛光液，所述抛光液包含：双季铵阳离子；腐蚀抑制剂；和胶体二氧化硅，其中所述抛光液的pH值在2.5至5.0的范围内。根据本发明，可以提供能够实现优异阻挡层抛光速率以及抑制由于固体磨料粒的聚集而引起擦伤的产生的抛光液。
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公开(公告)号：CN119356048A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411471465.5
申请日：2019-09-04
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 上村哲也
IPC: G03F7/32 , G03F7/038 , G03F7/039 , C11D7/26 , C11D7/10 , C11D7/60 , G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/42 , G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种在用作显影液或冲洗液时，能够形成图案间隔的偏差得到抑制的抗蚀剂图案的药液、药液容纳体、抗蚀剂图案形成方法及半导体芯片的制造方法。本发明的药液含有乙酸正丁酯及乙酸异丁酯，所述药液中，相对于药液总质量，乙酸正丁酯的含量为99.000～99.999质量％，相对于药液总质量，乙酸异丁酯的含量为1.0～1000质量ppm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109075052B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN201780025662.6
申请日：2017-04-26
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 上村哲也
IPC: H01L21/304 , C01B15/023 , C11D7/02 , C11D7/08 , C11D7/18 , C11D7/26
Abstract: 本发明的课题是提供一种能够用于制造半导体器件且含有过氧化氢的组合物，并且保存稳定性优异且对半导体基板的缺陷影响小的组合物。并且，本发明的另一课题是提供一种含有上述过氧化氢的组合物的制造方法及保管有上述组合物的组合物收容体。本发明的组合物含有过氧化氢、酸及Fe成分，上述Fe成分的含量相对于上述酸的含量，以质量比计为10‑5～102。
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公开(公告)号：CN117441226A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202280040968.X
申请日：2022-06-10
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D3/36 , C11D3/20 , C11D1/22 , C11D1/12
Abstract: 本发明提供一种保存稳定性优异的清洗组合物、半导体基板的清洗方法及半导体元件的制造方法。本发明的清洗组合物包含多元羧酸、螯合剂、具有碳原子数9～18的烷基的磺酸及水，多元羧酸相对于螯合剂的质量比为10～200，多元羧酸相对于磺酸的质量比为70～1000，该清洗组合物的pH为0.10～4.00，导电率为0.08～11.00mS/cm。
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公开(公告)号：CN111670359B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201980011053.4
申请日：2019-01-17
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 上村哲也
IPC: G01N23/223 , G01N23/2202
Abstract: 本发明的课题在于提供一种在将受检体尤其金属杂质的含量少的受检体涂布于基板上而测量基板上的每单位面积的金属杂质量时，也能够轻松地得到准确的测量结果的分析方法、药液及药液的制造方法。本发明的分析方法包括工序A，以规定倍率浓缩包含至少一种有机溶剂和含有金属原子的金属杂质的受检体而得到浓缩液；工序B，将浓缩液涂布于基板上而得到经涂布的基板；及工序C，利用全反射荧光X射线分析法，测量经涂布的基板上的每单位面积的金属原子数而得到测量值。
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公开(公告)号：CN111033697B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201880052428.7
申请日：2018-08-10
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/32 , C11D7/50 , C11D17/08
Abstract: 本发明提供一种处理液，其为半导体器件用处理液，且对处理对象物的防腐性、残渣物去除性及缺陷抑制性优异。并且，提供一种试剂盒及对使用上述处理液的基板进行清洗的方法。一种处理液，其为半导体器件用处理液，且包含水、有机溶剂及2种以上的含氮芳香族杂环化合物。
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公开(公告)号：CN109863452B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201780065656.3
申请日：2017-11-14
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: G03F7/16 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/38 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够使用少量的抗蚀剂组合物在基板上形成更薄且厚度均匀的抗蚀膜，并且具有优异的缺陷抑制性能的药液。并且，本发明的课题还在于提供一种图案形成方法。本发明的药液含有：2种以上的有机溶剂的混合物；及杂质金属，该杂质金属含有选自由Fe、Cr、Ni及Pb组成的组中的1种，该药液中，混合物在25℃下的蒸气压为50～1420Pa，当药液中含有1种杂质金属时，药液中的杂质金属的含量为0.001～100质量ppt，当药液中含有2种以上的杂质金属时，药液中的杂质金属各自的含量为0.001～100质量ppt。
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