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公开(公告)号：CN107910517B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201711089820.2
申请日：2017-11-08
申请人： 广东工业大学
IPC分类号： H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/58 , H01M4/62 , H01M10/0525
摘要： 本发明提供了一种锂离子电池用氮硫共掺杂碳包覆锡/二硫化钼复合材料的制备方法。本发明通过将氮硫共掺杂碳，金属锡(Sn)和二硫化钼(MoS2)进行复合，三种组分之间产生协同效应，氮硫共掺杂碳能够增加材料电子电导率和锂离子扩散速率，同时抑制了金属锡(Sn)体积膨胀和二硫化钼(MoS2)团聚。因此，所制备氮硫共掺杂碳包覆Sn/MoS2复合材料具有优异电化学性能，表现出优异倍率性能和循环稳定性。该方法工艺简单，成本低，环境友好，适用于大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN107994223A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201711306667.4
申请日：2017-12-11
申请人： 广东工业大学
IPC分类号： H01M4/36 , H01M4/58 , H01M4/62 , H01M10/0525
摘要： 本发明提供了一种铝氟共掺杂改性的复合材料，由包括锂源、铁源、磷源、有机碳源、铝源和氟源的物料制备得到。本发明采用铝和氟共掺杂改性得到复合材料，在掺杂改性过程中，在铝和氟的共同作用下，能够提高材料中锂离子扩散的活性位点，同时提高材料的电子传输速率，使材料具有良好的倍率性能和循环性能。本发明还提供了一种铝氟共掺杂改性的复合材料的制备方法、一种电池正极材料以及一种锂离子电池。
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公开(公告)号：CN107910517A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711089820.2
申请日：2017-11-08
申请人： 广东工业大学
IPC分类号： H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/58 , H01M4/62 , H01M10/0525
摘要： 本发明提供了一种锂离子电池用氮硫共掺杂碳包覆锡/二硫化钼复合材料的制备方法。本发明通过将氮硫共掺杂碳，金属锡(Sn)和二硫化钼(MoS2)进行复合，三种组分之间产生协同效应，氮硫共掺杂碳能够增加材料电子电导率和锂离子扩散速率，同时抑制了金属锡(Sn)体积膨胀和二硫化钼(MoS2)团聚。因此，所制备氮硫共掺杂碳包覆Sn/MoS2复合材料具有优异电化学性能，表现出优异倍率性能和循环稳定性。该方法工艺简单，成本低，环境友好，适用于大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN107734785A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201711169316.3
申请日：2017-11-15
申请人： 广东工业大学
IPC分类号： H05B33/08
CPC分类号： H05B33/0842 , H05B33/0854
摘要： 本发明公开了一种LED灯的灯光控制系统，包括处理模块、用于采集用户行为的用户行为采集模块以及执行模块；用户行为采集模块的输出端与处理模块的第一输入端连接，处理模块的输出端与执行模块的输入端连接，执行模块的输出端与LED灯连接；处理模块，用于根据用户行为与预先建立的行为模式确定用户的当前行为模式，并根据当前行为模式及预先建立的行为模式与LED灯的灯光状态的第一对应关系通过执行模块控制LED灯切换至相应的灯光状态。可见，使用一套LED灯具便满足了用户在不同场景下的不同的灯光需求，用户无需再为不同的场景准备多个LED灯具，一方面降低了成本，另一方面提高了自动化程度。
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公开(公告)号：CN107275450A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710600473.9
申请日：2017-07-21
申请人： 广东工业大学
摘要： 本申请提供一种紫外LED外延结构，包括：衬底；依次生长在所述衬底上的未掺杂缓冲层、N型AlGaN层、多量子阱结构、超晶格结构、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型GaN层；其中，所述超晶格结构包括至少一层第一AlGaN层和至少一层第二AlGaN层，所述第一AlGaN层和所述第二交替叠加。由于在多量子阱与电子阻挡层之间增加设置超晶格结构，超晶格结构能够有效缓解有源区最后一个量子垒与电子阻挡层之间的应变，抑制电子泄漏，增大空穴注入率，从而提高紫外LED的光输出功率和内量子效率，使其呈现更佳的发光性能。
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公开(公告)号：CN107195762A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710565522.X
申请日：2017-07-12
申请人： 广东工业大学
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/005 , H01L33/52
摘要： 本申请公开了一种倒装HV‑LED光源及其制备方法，其中，所述倒装HV‑LED光源的反射膜和金属层共同构成了所述倒装HV‑LED光源中的HV‑LED芯片的反光面，提升了HV‑LED芯片的光源利用率，从而提升了所述倒装HV‑LED光源的出光效率；另外，所述倒装HV‑LED光源中的封装层与所述基板表面所成角度为预设角度，为所述HV‑LED芯片提供了一个反光杯结构，使得所述HV‑LED芯片的出射光线在其出射光路上能够被该反光杯结构反射向所述倒装HV‑LED光源的出光面，从而进一步增强所述倒装HV‑LED芯片的出光效率。
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公开(公告)号：CN107180899A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710600453.1
申请日：2017-07-21
申请人： 广东工业大学
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/145 , H01L33/32
摘要： 本申请提供一种深紫外LED，包括：衬底；位于所述衬底表面的未掺杂的缓冲层；位于所述未掺杂的缓冲层背离所述衬底表面的N型AlGaN层；位于所述N型AlGaN层背离所述衬底表面的多量子阱结构；位于所述多量子阱结构背离所述衬底表面的V型Al组分渐变的P型AlGaN结构，所述V型Al组分渐变的P型AlGaN结构采用极化掺杂，且其中所述V型Al组分渐变的P型AlGaN结构中的Al组分与所述多量子阱结构的Al组分不同；位于所述V型Al组分渐变的P型AlGaN结构背离所述衬底表面的P型GaN层。由于V型Al组分渐变的P型AlGaN结构能够获得更高浓度的空穴，从而提高紫外LED的内量子效率和发射功率。
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公开(公告)号：CN107507896B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN201710873379.0
申请日：2017-09-25
申请人： 广东工业大学
摘要： 本发明公开了一种紫外LED光源倒装结构，包括：衬底，在第一方向上依次设置的缓冲及成核层、超晶格结构、n型导电层、量子阱有源区、电子阻挡层、p型导电层、电流扩展层以及金属反射层。贯穿金属反射层以及部分电流扩展层的第一电极凹槽；贯穿n型导电层、量子阱有源区、电子阻挡层、p型导电层、电流扩展层以及金属反射层的第二电极凹槽；与第一电极凹槽接触连接的p电极，与第二电极凹槽接触连接的n电极；设置于外延层结构背离衬底一侧的环形金属条结构，环形金属条结构对p电极以及n电极进行环形包裹，且与p电极连接，与n电极不连接。该紫外LED光源倒装结构具有发光效率高、防静电释放危害、散热快、抗老化及可靠性高等优点。
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公开(公告)号：CN107452846B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201710873273.0
申请日：2017-09-25
申请人： 广东工业大学
摘要： 本发明公开了一种紫外LED倒装芯片，包括：衬底；设置在所述衬底上的外延层结构；所述外延层结构包括：在第一方向上依次设置的缓冲及成核层、超晶格结构、重掺杂n型AlGaN层、轻掺杂n型AlGaN层、量子阱有源区、电子阻挡层、P型导电层、反射层、电流扩展层、绝缘层以及导电薄膜层。其中，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述外延层结构。该紫外LED倒装芯片具有防漏电、发光效率高、电压浪涌小、防静电释放危害、散热快及可靠性高等优点。
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