公开(公告)号：CN219540856U

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202222817048.4

申请日：2022-10-25

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： D·朱斯蒂 ,  F·夸利亚 ,  C·L·佩瑞里尼

IPC: B06B1/06 ,  H10N30/01

Abstract: 本公开的各实施例总体上涉及微电子机械设备。一种PMUT声换能器形成在半导体材料的本体中，该本体具有表面并且容纳第一埋腔，第一埋腔多个具有环形形状，彼此同心布置，并且从本体的表面延伸一定距离。第一埋腔从由本体形成的多个第一膜下方界定，使得每个第一膜在多个第一埋腔中的相应第一埋腔与本体的表面之间延伸。多个压电元件在本体的表面上延伸，每个压电元件在多个第一膜中的相应第一膜的上方延伸。第一膜的宽度不同，该宽度在最小值到最大值之间可变。本实用新型的实施例例如提供了具有高检测精度和快速响应的多频声换能器。

公开(公告)号：CN217747936U

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202122484616.9

申请日：2021-10-15

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： D·朱斯蒂 ,  F·夸利亚 ,  M·费雷拉

IPC: B06B1/06

Abstract: 本公开的实施例涉及压电式微机械超声换能器器件和电子系统。压电式微机械超声换能器器件包括薄膜元件，薄膜元件，垂直于第一方向延伸并且被配置为通过关于平衡位置振荡来生成和接收超声波；至少两个压电元件，至少两个压电元件中的每个压电元件沿着第一方向位于薄膜元件之上并被配置为当电信号被施加到压电元件时引起薄膜元件振荡，以及响应于薄膜元件的振荡而生成电信号，其中薄膜元件沿垂直于第一方向的平面具有叶瓣形状，叶瓣形状包括至少两个叶瓣；以及对于每个压电构件，薄膜元件包括对应的薄膜部分，对应的薄膜部分包括对应的叶瓣，每个压电构件位于其对应的薄膜部分之上。由此，压电式微机械超声换能器器件的所得到的带宽的有利地提高。

公开(公告)号：CN210710732U

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201921150671.0

申请日：2019-07-22

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： F·夸利亚 ,  M·费雷拉 ,  M·德尔萨尔托

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

Abstract: 本公开涉及MEMS设备。一种用于制造MEMS设备的工艺包括形成第一组件，第一组件包括：介电区域；再分布区域；以及多个单元部分。第一组件的每个单元部分包括：被布置在介电区域中的裸片；以及多个第一和第二连接元件，它们延伸至再分布区域的相对面并且通过在再分布区域中延伸的路径被连接在一起，第一连接元件被耦合至裸片。工艺进一步包括：形成包括多个相应的单元部分的第二组件，多个相应的单元部分中的每个相应的单元部分包括半导体部分和第三连接元件；机械耦合第一和第二组件，以将第三连接元件连接至对应的第二连接元件；并且然后去除第二组件的每个单元部分的半导体部分的至少一部分，从而形成对应膜。

公开(公告)号：CN209968843U

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201920225036.8

申请日：2019-02-22

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： F·普罗科皮奥 ,  F·夸利亚

IPC: B06B1/06

Abstract: 本公开涉及用于在传播介质中发射超声声波的设备和电子系统。一种用于在传播介质中发射超声声波的设备，包括：封装，该封装包括基部衬底和封盖，该封盖耦合至基部衬底并且与基部衬底一起限定封装中的腔室；半导体裸片，在腔室中耦合至基部衬底、包括半导体本体；以及微机械超声换能器(MUT)，微机械超声换能器至少部分地集成在半导体本体中并且包括半导体本体中的空腔、悬置在空腔之上的膜、以及操作地耦合至膜的致动器，其能够被操作以用于生成膜的偏转。膜以如下方式被设计：其共振频率与在MUT的操作期间在封装的上述腔室中产生的声共振频率匹配。本实用新型的实施例能够在节省功耗的情况下实现所发射声波的压力的增加。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN206993400U

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201621467767.6

申请日：2016-12-29

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： M·莫里利 ,  F·夸利亚 ,  F·F·R·托亚 ,  M·萨姆比 ,  G·巴里拉罗

IPC: H04R9/06 ,  H04R9/02

CPC classification number: B06B1/0292 ,  A61B8/4483 ,  B06B1/0644 ,  B06B1/067 ,  B06B1/0685 ,  G10K9/22 ,  G10K11/02 ,  H04R19/005

Abstract: 本公开涉及一种声学器件，具有微机械声学换能器元件(15)；声学衰减区域(40)；以及声学匹配区域(32)，被布置在声学换能器元件(15)和声学衰减区域(40)之间。声学换能器元件(15)被形成在第一衬底(25)中，所述第一衬底容纳定界膜(16)的腔(19)。半导体材料的第二衬底(30)集成电子电路被布置在声学换能器元件(15)和声学衰减区域(40)之间。声学匹配区域(32)具有带有第二衬底的第一界面(32A)和具有带有声学衰减区域(40)的第二界面(32B)。声学匹配区域(32)具有与在第一界面(32A)邻近的第二衬底(30)的阻抗匹配的阻抗，以及与在第二界面(32B)邻近的声学衰减区域(40)的阻抗匹配的阻抗。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN205883178U

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201620498293.5

申请日：2016-05-26

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： M·萨尤托 ,  F·夸利亚 ,  G·里科蒂 ,  A·马赞蒂

IPC: H03G3/30

CPC classification number: H03G1/0094 ,  H03F3/005 ,  H03F3/2175 ,  H03F3/45 ,  H03F3/45264 ,  H03F2200/312 ,  H03F2203/45288

Abstract: 本公开涉及可编程增益放大器以及电子装置。可编程增益放大器包括：两个互补的交叉耦合晶体管对，以一个对中的每个晶体管具有与另一个对中的晶体管中的相应的一个晶体管的电流流动路径级联的电流流动路径的状态相互耦合。第一和第二耦合点形成在对之间；第一和第二采样电容器耦合至第一和第二耦合点。第一和第二输入级具有用以接收用于由第一和第二采样电容器采样的输入信号的输入。开关部件将第一和第二输入级耦合至采样电容器，使得输入信号被采样作为在采样电容器上的采样信号。开关部件激励互补的交叉耦合晶体管对，使得在采样电容器上采样的信号经受随时间呈指数增长的负电阻再生，以由此提供指数放大器增益。