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公开(公告)号：CN107343246A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201611248216.5
申请日：2016-12-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B06B1/0292 , A61B8/4483 , B06B1/0644 , B06B1/067 , B06B1/0685 , G10K9/22 , G10K11/02 , H04R19/005 , H04R9/06 , H04R9/02 , H04R2400/11
Abstract: 本公开的声学器件具有微机械声学换能器元件(15)；声学衰减区域(40)；以及声学匹配区域(32)，被布置在声学换能器元件(15)和声学衰减区域(40)之间。声学换能器元件(15)被形成在第一衬底(25)中，所述第一衬底容纳定界膜(16)的腔(19)。半导体材料的第二衬底(30)集成电子电路被布置在声学换能器元件(15)和声学衰减区域(40)之间。声学匹配区域(32)具有带有第二衬底的第一界面(32A)和具有带有声学衰减区域(40)的第二界面(32B)。声学匹配区域(32)具有与在第一界面(32A)邻近的第二衬底(30)的阻抗匹配的阻抗，以及与在第二界面(32B)邻近的声学衰减区域(40)的阻抗匹配的阻抗。
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公开(公告)号：CN114377930B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202111201843.4
申请日：2021-10-15
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B06B1/06
Abstract: 公开了减小自由振荡的压电微机械超声换能器。一种PMUT设备包括膜元件，该膜元件适于通过在相应的共振频率下围绕平衡位置振荡来产生和接收超声波。压电元件沿第一方向位于膜元件上方，并且被配置为当电信号施加到压电元件时使膜元件振荡，并且响应于膜元件的振荡而产生电信号。阻尼器被配置为减少膜元件的自由振荡，并且阻尼器包括围绕膜元件的阻尼器腔，以及聚合物构件，该聚合物构件的至少一部分沿第一方向在阻尼器腔上方。
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公开(公告)号：CN113839582A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202110691050.9
申请日：2021-06-22
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H02N2/00
Abstract: 公开了具有有源阻尼器的微机电膜换能器。微机电膜换能器包括：支撑结构；腔，在支撑结构中；膜，耦合到支撑结构以便在一侧覆盖腔；悬臂阻尼器，围绕膜的周边被固定到支撑结构，并且在距膜一定距离处朝向膜的内部而延伸；以及阻尼器压电致动器，被布置在悬臂阻尼器上并且被配置以便响应于电致动信号而将悬臂阻尼器朝向膜弯曲。
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公开(公告)号：CN110180770B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201910133708.7
申请日：2019-02-22
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B06B1/06
Abstract: 本公开涉及微机械超声换能器与制造和设计微机械超声换能器的方法。一种用于在传播介质中发射超声声波的设备，包括：封装，该封装包括基部衬底和封盖，该封盖耦合至基部衬底并且与基部衬底一起限定封装中的腔室；半导体裸片，在腔室中耦合至基部衬底、包括半导体本体；以及微机械超声换能器(MUT)，微机械超声换能器至少部分地集成在半导体本体中并且包括半导体本体中的空腔、悬置在空腔之上的膜、以及操作地耦合至膜的致动器，其能够被操作以用于生成膜的偏转。膜以如下方式被设计：其共振频率与在MUT的操作期间在封装的上述腔室中产生的声共振频率匹配。
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公开(公告)号：CN110745775A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910660882.7
申请日：2019-07-22
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及用于制造微机电设备、特别是电声模块的工艺。一种用于制造MEMS设备的工艺包括形成第一组件，第一组件包括：介电区域；再分布区域；以及多个单元部分。第一组件的每个单元部分包括：被布置在介电区域中的裸片；以及多个第一和第二连接元件，它们延伸至再分布区域的相对面并且通过在再分布区域中延伸的路径被连接在一起，第一连接元件被耦合至裸片。工艺进一步包括：形成包括多个相应的单元部分的第二组件，多个相应的单元部分中的每个相应的单元部分包括半导体部分和第三连接元件；机械耦合第一和第二组件，以将第三连接元件连接至对应的第二连接元件；并且然后去除第二组件的每个单元部分的半导体部分的至少一部分，从而形成对应膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105425227B
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201510583881.9
申请日：2015-09-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01S7/523
Abstract: 在此描述了一种用于电容性微机械超声换能器(CMUT)的收发器电路，具有：发射器级，在发射阶段期间产生用于CMUT换能器的第一节点的激励脉冲，CMUT的第二节点耦合至偏置电压；接收器级，在接收阶段期间选择性地耦合至第一节点并且具有放大级；开关级，在接收阶段期间将接收器级耦合至第一节点，以及在发射阶段期间将接收器级从第一节点去耦。放大级具有电荷放大器，具有输入端子并且作为偏置电压而偏置；以及开关级耦合至相同偏置电压由此一旦从发射阶段切换至接收阶段减小了电荷注入输入端子。
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公开(公告)号：CN116020726A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211313637.7
申请日：2022-10-25
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的各实施例总体上涉及用于对高频声波进行换能的微电子机械设备及其制造过程。一种PMUT声换能器形成在半导体材料的本体中，该本体具有表面并且容纳第一埋腔，第一埋腔多个具有环形形状，彼此同心布置，并且从本体的表面延伸一定距离。第一埋腔从由本体形成的多个第一膜下方界定，使得每个第一膜在多个第一埋腔中的相应第一埋腔与本体的表面之间延伸。多个压电元件在本体的表面上延伸，每个压电元件在多个第一膜中的相应第一膜的上方延伸。第一膜的宽度不同，该宽度在最小值到最大值之间可变。
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公开(公告)号：CN106899274B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201610362642.5
申请日：2016-05-26
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H03G3/30
Abstract: 本公开涉及可编程增益放大器、对应的装置和方法。可编程增益放大器包括：两个互补的交叉耦合晶体管对，以一个对中的每个晶体管具有与另一个对中的晶体管中的相应的一个晶体管的电流流动路径级联的电流流动路径的状态相互耦合。第一和第二耦合点形成在对之间；第一和第二采样电容器耦合至第一和第二耦合点。第一和第二输入级具有用以接收用于由第一和第二采样电容器采样的输入信号的输入。开关部件将第一和第二输入级耦合至采样电容器，使得输入信号被采样作为在采样电容器上的采样信号。开关部件激励互补的交叉耦合晶体管对，使得在采样电容器上采样的信号经受随时间呈指数增长的负电阻再生，以由此提供指数放大器增益。
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公开(公告)号：CN105615924A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510836831.7
申请日：2015-11-25
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: G05F3/02 , B06B1/0215 , H03K4/94 , H03K17/162 , A61B8/48 , A61B8/14
Abstract: 本公开涉及用于超声应用的传输通道。一种传输通道发送高电压脉冲并且接收高电压脉冲的回声。传输通道包括生成电流积分器驱动电流的电流生成器电路、放大换能器回声信号的接收器以及控制电路装置。控制电路装置生成一个或者多个控制信号以控制：在换能器驱动时段期间，由电流生成器电路生成电流积分器驱动电流，以及在回声接收时段期间，由接收器接收换能器回声信号。电流积分器对由电流生成器电路生成的电流积分器驱动电流积分以生成换能器驱动信号。
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公开(公告)号：CN118083901A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202311565301.4
申请日：2023-11-22
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及用于高频应用的MEMS换能器器件以及制造方法。MEMS器件包括：信号处理组件；包括多个换能器器件的换能模块；增强结构，至少部分地围绕于每个换能器器件；针对每个换能器器件的一个或多个耦合支柱，一个或多个耦合支柱在增强结构上延伸并且被配置为将换能模块物理地耦合以及电耦合至信号处理组件，从而承载换能器器件的控制信号。每个导电耦合原件具有截面，所述截面的形状诸如最大化与相应的换能器器件周围的增强结构重叠的表面的形状。所述形状包括等于或大于3的尖点数的内摆线；三角形；四边形。
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