具有封端异氰酸酯基且含有硅的形成抗蚀剂下层膜的组合物

    公开(公告)号:CN101878451A

    公开(公告)日:2010-11-03

    申请号:CN200880118089.4

    申请日:2008-11-27

    CPC classification number: G03F7/11 G03F7/091

    Abstract: 本发明的课题是提供形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物,其用于形成抗蚀剂下层膜,该抗蚀剂下层膜可以用作硬掩模或防反射膜。作为本发明的解决问题的方法是,一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物,包含:含异氰酸酯基或封端异氰酸酯基的水解性有机硅烷、其水解产物或其水解缩合物。上述水解性有机硅烷以式(1)表示:R1aR2bSi(R3)4-(a+b)式(1)(式中,R1表示异氰酸酯基、封端异氰酸酯基、或包含它们的有机基团,且末端的N原子或C原子与Si原子结合形成Si-N键或Si-C键,R2表示烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、链烯基,或具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基或氰基的有机基团,且末端的C原子与Si原子结合形成Si-C键,R3表示烷氧基、酰氧基或卤原子,a表示1或2的整数,b表示0或1的整数,a+b表示1或2的整数。)。

    光取向用液晶取向剂、取向材料及相位差材料

    公开(公告)号:CN107615148B

    公开(公告)日:2021-05-25

    申请号:CN201680032189.X

    申请日:2016-05-27

    Abstract: 本发明的课题在于提供一种光取向用液晶取向剂,其用于提供具有优异的光反应效率、且能够以高灵敏度使聚合性液晶取向的取向材料。解决手段为一种光取向用液晶取向剂、由该光取向用液晶取向剂得到的取向材料、相位差材料,所述光取向用液晶取向剂含有以下成分,(A)成分:具有包含下述式(1)所示结构的侧链的树脂;和(B)成分:下述式(2)所示的化合物。(式中,X1表示可以被任意取代的苯环,R表示选自OH及NH2中的取代基,R1、R2、R3、R4及R5分别独立地表示氢原子、卤素原子、C1~C6烷基、C1~C6卤代烷基等,n表示整数0或1。)

    固化膜形成用组合物、取向材及相位差材

    公开(公告)号:CN106796373A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201580047882.X

    申请日:2015-09-08

    Abstract: 本发明提供固化膜形成用组合物,其用于提供具有优异的垂直取向性,并且具备光学补偿膜所要求的透明性、耐溶剂性、以及与基材和聚合性液晶层的密合性,即使在树脂膜上也可以在低温短时间的烧成条件下稳定地使聚合性液晶垂直地取向的取向材。作为解决本发明课题的方法涉及:固化膜形成用组合物,其特征在于,含有(A)使具有羧基和垂直取向性基团的化合物的羧基对侧链或末端具有1个以上环氧基的聚合物的环氧基进行反应而得的聚合物、(B)交联剂、以及(C)密合促进剂和(D)具有热交联性基团的聚合物中的任一者或两者;取向材,其特征在于,是使用该组合物而获得的;相位差材,其特征在于,是使用该组合物而获得的。

    具有酯基的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物

    公开(公告)号:CN104737076A

    公开(公告)日:2015-06-24

    申请号:CN201380055105.0

    申请日:2013-10-24

    Abstract: 本发明的课题是提供一种用于形成可以作为硬掩模使用的抗蚀剂下层膜的光刻用途的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种光刻用途的抗蚀剂下层膜形成用组合物,作为硅烷含有水解性硅烷、其水解物或其水解缩合物,该水解性硅烷含有式(1)的硅烷、或式(1)与式(2)的硅烷组合,且该式(1)的硅烷、或式(1)与式(2)的硅烷组合基于全部硅烷低于50摩尔%。式(1)[式中,R1为含有式(1-1)、式(1-2)、式(1-3)、式(1-4)或式(1-5)的有机基团,a表示整数1,b表示整数0或1,a+b表示整数1或2。],式(2)[式中,R4为含有式(2-1)、式(2-2)或式(2-3)的有机基团,a1表示整数1,b1表示整数0或1,a1+b1表示整数1或2。]。

Patent Agency Ranking