公开(公告)号：CN107532006B

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN201680028417.6

申请日：2016-04-12

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 畑中真 ,  菅野裕太 ,  伊藤润

IPC: C08L101/06 ,  C08K5/053 ,  C08K5/42 ,  C08L33/06 ,  C09D133/14 ,  C09D201/00 ,  G02B5/30

Abstract: 例如含有(A)具有由下述式(1)表示的液晶性侧链、例如由下述式(2)表示的垂直取向性基团和热交联性基团的聚合物、(B)交联剂和(C)溶剂的热固化性树脂组合物即使不使用垂直取向膜也可垂直取向，同时给予白浊(透明性)、表面粘性得到了改善的热固化膜、垂直取向相位差膜。(式中，Y1～Y4表示单键等，Y5表示苯环等，m表示0～4的整数，Y6表示氢原子、碳原子数1～18烷基等，Y2～Y6表示的取代基的总碳原子数为6～30。X表示COO基或OCO基，R表示氟原子、氰基、碳原子数1～6的烷基或碳原子数1～6的烷氧基，n表示1～10的整数，o和p表示1或2的整数。)

公开(公告)号：CN106796373B

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201580047882.X

申请日：2015-09-08

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 伊藤润 ,  菅野裕太 ,  畑中真

IPC: G02F1/1337 ,  C08G59/16 ,  C08G59/40 ,  C08L63/00 ,  G02B5/30

Abstract: 本发明提供固化膜形成用组合物，其用于提供具有优异的垂直取向性，并且具备光学补偿膜所要求的透明性、耐溶剂性、以及与基材和聚合性液晶层的密合性，即使在树脂膜上也可以在低温短时间的烧成条件下稳定地使聚合性液晶垂直地取向的取向材。作为解决本发明课题的方法涉及：固化膜形成用组合物，其特征在于，含有(A)使具有羧基和垂直取向性基团的化合物的羧基对侧链或末端具有1个以上环氧基的聚合物的环氧基进行反应而得的聚合物、(B)交联剂、以及(C)密合促进剂和(D)具有热交联性基团的聚合物中的任一者或两者；取向材，其特征在于，是使用该组合物而获得的；相位差材，其特征在于，是使用该组合物而获得的。

公开(公告)号：CN107615148A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201680032189.X

申请日：2016-05-27

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 伊藤润 ,  菅野裕太 ,  畑中真

IPC: G02F1/1337 ,  C08F20/18 ,  C08L33/06 ,  G02F1/13363

CPC classification number: C09K19/56 ,  C08F20/18 ,  C08F220/30 ,  C08F267/06 ,  C08L33/06 ,  G02B27/26 ,  G02F1/13363 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/133711 ,  G02F1/133788 ,  C08F2220/303

Abstract: 本发明的课题在于提供一种光取向用液晶取向剂，其用于提供具有优异的光反应效率、且能够以高灵敏度使聚合性液晶取向的取向材料。解决手段为一种光取向用液晶取向剂、由该光取向用液晶取向剂得到的取向材料、相位差材料，所述光取向用液晶取向剂含有以下成分，(A)成分：具有包含下述式(1)所示结构的侧链的树脂；和(B)成分：下述式(2)所示的化合物。(式中，X1表示可以被任意取代的苯环，R表示选自OH及NH2中的取代基，R1、R2、R3、R4及R5分别独立地表示氢原子、卤素原子、C1～C6烷基、C1～C6卤代烷基等，n表示整数0或1。)

公开(公告)号：CN107429081A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680014475.3

申请日：2016-03-10

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 菅野裕太 ,  伊藤润 ,  畑中真

IPC: C09D4/02 ,  C07C69/736 ,  C08K5/101 ,  C08L61/28 ,  C08L101/02 ,  C09D7/12 ,  C09D201/02 ,  G02B5/30 ,  G02F1/13363 ,  G02F1/1337

Abstract: 本发明的课题是提供适合形成具有优异的液晶取向性的固化膜的固化膜形成用组合物，提供取向材，提供使用该取向材的相位差材。该固化膜形成用组合物含有：(A)具有下述式(1)所示的基团的肉桂酸酯中的一种或多种(式中，R1和R2分别独立地表示氢原子或烷基，R3表示烷基等，X1表示可以被取代的亚苯基。)；(B)选自下述(B-1)～(B-3)中的至少一种的聚合物，(B-1)：具有至少2个选自羟基、羧基、酰胺基、氨基、烷氧基甲硅烷基和下述式(2)所示的基团中的基团的聚合物(式中，R62表示烷基、烷氧基或苯基。)，(B-2)：能够与选自羟基、羧基、酰胺基、氨基、烷氧基甲硅烷基和上述式(2)所示的基团中的至少一种基团发生热反应且能够自交联的聚合物，(B-3)：三聚氰胺甲醛树脂；以及(C)交联剂(其中，在(B)成分为上述(B-2)时，(C)成分可以与(B-2)成分相同。)，本发明还涉及固化膜、取向材、相位差材。

公开(公告)号：CN107207641A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680009257.0

申请日：2016-02-10

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 菅野裕太 ,  伊藤润 ,  畑中真

IPC: C08F2/44 ,  G02B5/30 ,  G02F1/13363 ,  G02F1/1337

Abstract: 本发明的课题是提供一种固化膜形成用组合物，所述固化膜形成用组合物用于提供具备优异的垂直取向性和密合性、即使在树脂膜上也能够使聚合性液晶以高灵敏度垂直地取向的取向材料、以及使用这样的取向材料的相位差材料。本发明的解决方法是含有(A)具有垂直取向性基团和能够热交联的官能团的低分子化合物、和(B)交联剂的固化膜形成用组合物、以使用该组合物而获得为特征的取向材料、以使用该组合物而获得为特征的相位差材料。

公开(公告)号：CN103718111B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201280035516.9

申请日：2012-07-20

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 中岛诚 ,  菅野裕太 ,  武田谕 ,  境田康志 ,  志垣修平

IPC: G03F7/11 ,  C08G79/00 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0332 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/40 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31138

Abstract: 本发明提供用于形成在半导体装置的制造中使用的抗蚀剂下层膜等的薄膜形成用组合物。而且，提供能够使在极紫外光刻中不受欢迎的UV光在抵达抗蚀剂层前就被抗蚀剂上层存在的薄膜高效吸收的抗蚀剂上层膜、以及极紫外抗蚀剂用下层膜(硬掩模)、图案反转材料、溶剂显影用抗蚀剂的下层膜。本发明提供了一种在光刻工序中与抗蚀剂一起使用的薄膜形成用组合物，是含有以下混合物、该混合物的水解物、或该混合物的水解缩合物的组合物，所述混合物是钛化合物(A)和硅化合物(B)的混合物，所述钛化合物(A)选自下述式(1)所表示的化合物、钛络合物、和水解性钛二聚体，所述硅化合物(B)以下述式(2)表示，相对于该组合物中的以Ti原子和Si原子换算的总计摩尔数，Ti原子的摩尔数为50％～90％。ROaTi(R1)(4‑a) 式(1)R2a'R3bsi(R4)4‑(a'+b) 式(2)。

公开(公告)号：CN102754034B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201180009570.1

申请日：2011-02-18

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 中岛诚 ,  菅野裕太 ,  柴山亘

IPC: G03F7/11 ,  C07F7/18 ,  C08G77/26 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC classification number: C07F7/1804 ,  C08G77/388 ,  C09D183/08 ,  G03F7/0751 ,  G03F7/094 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明的课题是提供用于形成可以作为硬掩模使用的抗蚀剂下层膜的形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物。解决本发明课题的手段是提供包含水解性有机硅烷、其水解物、或其水解缩合物作为硅烷化合物的形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，作为该水解性有机硅烷，包含下述式(1)所示的水解性有机硅烷，R1aR2bSi(R3)4-(a+b) 式(1)〔式中，R1表示式(2)所示的基团，[式(2)中，R4表示有机基团，R5表示碳原子数1～10的亚烷基、羟基亚烷基、硫醚键、醚键、酯键、或它们的组合，X1表示式(3)、式(4)、或式(5)。]R2为有机基团，R3表示水解基团。〕。

公开(公告)号：CN102460301B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201080024296.0

申请日：2010-05-28

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 菅野裕太 ,  中岛诚 ,  柴山亘

IPC: G03F7/11

CPC classification number: G03F7/11 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明提供用于形成可以作为硬掩模使用的抗蚀剂下层膜的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。还提供使用该光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物形成抗蚀剂图案的方法。本发明提供了作为带硅原子的化合物含有水解性有机硅烷、其水解物、或其水解缩合物的组合物，其是上述带硅原子的化合物全体中的、硫原子相对硅原子的比例小于5摩尔％的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。水解性有机硅烷是式(1)：[R1aSi(R2)3-a]bR3 式(1)。式(1)的R3具有式(2)：R4-S-R5 式(2)的部分结构。

公开(公告)号：CN102460301A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201080024296.0

申请日：2010-05-28

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 菅野裕太 ,  中岛诚 ,  柴山亘

IPC: G03F7/11

CPC classification number: G03F7/11 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明提供用于形成可以作为硬掩模使用的抗蚀剂下层膜的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。还提供使用该光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物形成抗蚀剂图案的方法。本发明提供了作为带硅原子的化合物含有水解性有机硅烷、其水解物、或其水解缩合物的组合物，其是上述带硅原子的化合物全体中的、硫原子相对硅原子的比例小于5摩尔％的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。水解性有机硅烷是式(1)：[R1aSi(R2)3-a]bR3式(1)。式(1)的R3具有式(2)：R4-S-R5式(2)的部分结构。

公开(公告)号：CN102124064A

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200980132386.9

申请日：2009-08-13

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 柴山亘 ,  中岛诚 ,  菅野裕太

IPC: C09D183/08 ,  C09D201/00 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0755 ,  C08G77/26 ,  C09D5/006 ,  C09D183/08 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/095 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明提供一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其可形成可作为硬掩模使用、可作为防反射膜使用、与抗蚀剂膜不发生混合、比抗蚀剂膜干蚀刻速度大的抗蚀剂下层膜。提供了一种膜形成用组合物，含有具有基的硅烷化合物，该具有基的硅烷化合物是分子内具有基的水解性有机硅烷、其水解物或其水解缩合物。膜形成用组合物是光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。该组合物含有具有基的硅烷化合物和不具有基的硅烷化合物，在该硅烷化合物全体中具有基的硅烷化合物以小于1摩尔％、例如0.01～0.95摩尔％的比例存在。水解性有机硅烷以式(1)表示。还提供了将该抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布在半导体基板上并烘烤，从而得到的抗蚀剂下层膜。R1aR2bSi(R3)4-(a+b) 式(1)。