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公开(公告)号：CN117008420A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202311113264.3
申请日：2016-06-07
Applicant: 日产化学工业株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供下述感放射线性组合物，其将显示酚醛塑料交联反应性的硅氧烷聚合物作为基础树脂，其分辨率优异，且能够高精度地形成所期望形状的图案。本发明的解决方法是一种感放射线性组合物，其包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物或其水解缩合物、以及光产酸剂，该水解性硅烷包含式(1)和式(2)所示的水解性硅烷。R1aR2bSi(R3)4‑(a+b) 式(1)〔式(1)中，R1是式(1‑2)所示的有机基团，且R1通过Si‑C键或Si‑O键与硅原子结合。R2表示有机基团。R3表示水解性基团。〕R7cR8dSi(R9)4‑(c+d) 式(2)〔式(2)中，R7是式(2‑1)所示的有机基团，且R7通过Si‑C键与硅原子结合。R8是有机基团，且R8通过Si‑C键与硅原子结合。R9表示水解性基团。〕#imgabs0#
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公开(公告)号：CN115016230A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210831769.2
申请日：2015-07-10
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/16 , G03F7/30 , G03F7/40 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供在将上层抗蚀剂曝光并利用碱性显影液、有机溶剂进行显影时形成优异的抗蚀剂图案形状的抗蚀剂下层膜及其形成用组合物。本发明的解决方法是一种含有脂肪族多环结构的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物、或它们的组合，脂肪族多环结构是式(1)(式(1)中，R1是含有脂肪族多环结构且通过Si‑C键与Si原子结合的有机基团。R3表示乙氧基。a表示1，b表示0～2的整数，a+b表示1～3的整数。)所示的水解性硅烷具有的结构、或者以可具有双键、羟基、或环氧基的脂肪族多环化合物、脂肪族多环式二羧酸、或脂肪族多环式二羧酸酐的形式添加的化合物中包含的结构。R1aR2bSi(R3)4‑(a+b) 式(1)。
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公开(公告)号：CN107533302B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201680028092.1
申请日：2016-05-20
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/40 , C08G77/26 , G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供用于涂布于抗蚀剂图案，利用蚀刻速度差来进行图案的反转的组合物。作为解决本发明课题的方法为一种涂布于抗蚀剂图案的组合物，其包含下述(A)成分和(B)成分，(A)成分：选自金属氧化物(a1)、多酸(a2)、多酸盐(a3)、水解性硅烷(a4)、上述水解性硅烷的水解物(a5)和上述水解性硅烷的水解缩合物(a6)中的至少1种化合物；(B)成分：水性溶剂，上述水解性硅烷(a4)为包含具有氨基的有机基团的水解性硅烷(i)、包含具有离子性官能团的有机基团的水解性硅烷(ii)、包含具有羟基的有机基团的水解性硅烷(iii)或包含具有能够转化为羟基的官能团的有机基团的水解性硅烷(iv)。
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公开(公告)号：CN105612459B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201480055095.5
申请日：2014-10-03
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G77/04 , G03F7/26 , H01L21/027 , G03F7/40
CPC classification number: C09D183/04 , C08G77/04 , C08G77/06 , C08G77/26 , C08G77/58 , C08G77/80 , C08K3/22 , C08K3/24 , C08K2003/2244 , C08L83/04 , C08L85/00 , C09D1/00 , C09D5/00 , C09D5/006 , C09D7/61 , C09D183/08 , C09D183/14 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/168 , G03F7/20 , G03F7/32 , H01L21/0271 , H01L21/0332 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/0338
Abstract: 一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有，(A)成分：同多酸或杂多酸或它们的盐或它们的组合、和(B)成分：聚硅氧烷、聚氧化铪或氧化锆或它们的组合，基于(A)成分和(B)成分的合计量，以0.1～85质量％的比例含有(A)成分，该聚硅氧烷为R1aR2bSi(R3)4‑(a+b)所示的水解性硅烷的水解缩合物，在全部水解性硅烷中含有60～85摩尔％的(a+b)为0的水解性硅烷，该聚氧化铪为Hf(R4)4所示的水解性铪的水解缩合物，该氧化锆为Zr(R5)4、或ZrO(R6)2所示的水解性锆或它们的组合的水解缩合物。
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公开(公告)号：CN102498440A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201080041030.7
申请日：2010-09-07
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G77/28 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: C08G77/04 , C08G77/28 , C09D183/08 , G03F7/0751 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/094
Abstract: 本发明的课题是提供用于形成可以作为硬掩模使用的抗蚀剂下层膜的形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物。用于解决本发明课题的方法是包含具有磺酰胺基的硅烷化合物的形成抗蚀剂下层膜的组合物，该具有磺酰胺基的硅烷化合物是分子内具有磺酰胺基的水解性有机硅烷、其水解物或其水解缩合物的形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物。用于解决本发明课题的方法是包含具有磺酰胺基的硅烷化合物和不具有磺酰胺基的硅烷化合物的组合物，在该硅烷化合物整体中，具有磺酰胺基的硅烷化合物以低于1摩尔％，例如0.1～0.95摩尔％的比例存在。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101946209A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200980105535.2
申请日：2009-02-16
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G77/26 , C08G77/388 , C08L83/08 , G03F7/26
CPC classification number: G03F7/11 , C08G77/26 , C08G77/80 , C08L83/08 , G03F7/0752
Abstract: 本发明的课题在于提供用于形成可以用作硬掩模的抗蚀剂下层膜的形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物。本发明通过提供下述组合物而解决了上述课题，即，一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，是作为硅烷含有水解性有机硅烷、其水解物或其水解缩合物的组合物，该硅烷全体中、具有环状氨基的硅烷以小于1摩尔％的比例存在，优选以0.01～0.95摩尔％的比例存在。含有具有环状氨基的水解性有机硅烷、其水解物、或其水解缩合物的形成膜的组合物。含有具有环状氨基的水解性有机硅烷、其水解物、或其水解缩合物的形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物。上述环状氨基是仲氨基或叔氨基。水解性有机硅烷是式(1)所示的化合物，R1aR2bSi(R3)4-(a+b)式(1)(式中，R1是环状氨基或含有环状氨基的有机基团)。
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公开(公告)号：CN107966879A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201711347297.9
申请日：2013-02-22
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/09 , H01L21/308 , G03F7/075 , C09D183/08 , C09D183/04 , C08K5/548 , C08K5/5455
CPC classification number: H01L21/3081 , C08G77/26 , C08G77/388 , C09D183/04 , C09D183/08 , G03F7/0751 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/3086 , C08K5/548 , C08K5/5455
Abstract: 本发明的目的在于提供抗蚀剂形状良好的极紫外抗蚀剂下层膜形成用组合物。于是，提供了一种极紫外光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有聚硅氧烷A和水解性硅烷化合物b，所述聚硅氧烷A含有水解性硅烷a的水解缩合物，所述水解性硅烷化合物b具有磺酰胺结构、羧酰胺结构、脲结构、或异氰脲酸结构。还提供了一种极紫外光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有聚硅氧烷B，所述聚硅氧烷B含有水解性硅烷a与水解性硅烷化合物b的水解缩合物，所述水解性硅烷化合物b具有磺酰胺结构、羧酰胺结构、脲结构、或异氰脲酸结构。聚硅氧烷(A)是四烷氧基硅烷和烷基三烷氧基硅烷和芳基三烷氧基硅烷的共水解缩合物。
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公开(公告)号：CN107209460A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680007509.6
申请日：2016-01-25
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G77/14 , C08G77/44 , G03F7/40 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供，用于形成可以作为硬掩膜使用的抗蚀剂下层膜的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明的解决方法涉及一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物、或它们的组合，该水解性硅烷包含选自式(1)、式(2)和式(3)所示的水解性硅烷中的至少一种水解性硅烷。本发明的解决方法还涉及一种半导体装置的制造方法，包括下述工序：在半导体基板上形成有机下层膜的工序，在该有机下层膜上涂布抗蚀剂下层膜形成用组合物，进行烧成，形成抗蚀剂下层膜的工序，在前述抗蚀剂下层膜上涂布抗蚀剂膜形成用组合物，形成抗蚀剂膜的工序，将前述抗蚀剂膜进行曝光和显影，获得抗蚀剂图案的工序，然后依次进行蚀刻的工序。
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公开(公告)号：CN107003613A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580065977.4
申请日：2015-12-04
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G77/26 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C08G77/26 , C08G2261/135 , C08G2261/3142 , C08G2261/3241 , C08G2261/76 , C09D165/00 , C09D183/08 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/0752 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2004 , G03F7/26 , G03F7/38 , H01L21/0274 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/31133 , H01L21/31144
Abstract: 本发明的课题是提供可以作为硬掩模使用的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。通过含有三卤代乙酰胺骨架，从而可以提高图案分辨率。作为解决本发明课题的方法涉及一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物、或它们的组合，该水解性硅烷包含具有含卤素的羧酸酰胺基的硅烷。
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公开(公告)号：CN101946209B
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN200980105535.2
申请日：2009-02-16
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G77/26 , C08G77/388 , C08L83/08 , G03F7/26
CPC classification number: G03F7/11 , C08G77/26 , C08G77/80 , C08L83/08 , G03F7/0752
Abstract: 本发明的课题在于提供用于形成可以用作硬掩模的抗蚀剂下层膜的形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物。本发明通过提供下述组合物而解决了上述课题，即，一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，是作为硅烷含有水解性有机硅烷、其水解物或其水解缩合物的组合物，该硅烷全体中、具有环状氨基的硅烷以小于1摩尔％的比例存在，优选以0.01～0.95摩尔％的比例存在。含有具有环状氨基的水解性有机硅烷、其水解物、或其水解缩合物的形成膜的组合物。含有具有环状氨基的水解性有机硅烷、其水解物、或其水解缩合物的形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物。上述环状氨基是仲氨基或叔氨基。水解性有机硅烷是式(1)所示的化合物，R1aR2bSi(R3)4-(a+b)式(1)(式中，R1是环状氨基或含有环状氨基的有机基团。)
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